用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置制造方法及图纸

光电子装置包括：(1)衬底；(2)覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层；和(3)包括第一部分和第二部分的传导性覆层。传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，传导性覆层的第二部分与成核抑制覆层部分地重叠，并且传导性覆层的第二部分通过间隙与成核抑制覆层分隔开。

Method for patterning surface overlay and device comprising patterned coating

The optoelectronic device comprises: (1) a substrate; (2) a nucleation inhibition coating covering the first region of the substrate; and (3) a conductive coating comprising the first and second parts. The first part of the conductive cladding covers the second area of the substrate, the second part of the conductive cladding overlaps partially with the nucleation inhibition cladding, and the second part of the conductive cladding is separated from the nucleation inhibition cladding through a gap.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置相关申请的交叉引用本申请要求2015年10月26日提交的美国临时申请号62/246,597、2016年1月13日提交的美国临时申请号62/277,989、2016年8月11日提交的美国临时申请号62/373,927和2016年8月19日提交的美国临时申请号62/377,429的权益和优先权，其内容通过引用以其全部并入本文。
下列一般地涉及用于在表面上沉积导电材料的方法。具体而言，方法涉及在表面上选择性沉积导电材料，以便形成装置的导电结构。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)通常包括介于传导性薄膜电极之间的数层有机材料，其中有机层中的至少一层是电致发光层。当施加电压至电极时，分别由阳极和阴极注入空穴和电子。由电极注入的空穴和电子迁移通过有机层以到达电致发光层。当空穴和电子紧密靠近时，它们由于库仑力彼此吸引。空穴与电子然后可以结合以形成称为激子的结合态。激子可以通过其中释放光子的辐射复合过程衰变。可选地，激子可以通过其中不释放光子的非辐射复合过程衰变。注意，如本文使用的，内量子效率(IQE)将被理解为在装置中生成的通过辐射复合过程衰变的所有电子-空穴对的比例。辐射复合过程可以作为荧光或磷光过程发生，这取决于电子-空穴对(即，激子)的自旋态。具体而言，由电子-空穴对形成的激子可以被表征为具有自旋单态或自旋三重态。通常，单态激子的辐射衰变产生荧光，而三态激子的辐射衰变产生磷光。最近，已经提出和研究了OLED的其它光发射机制，包括热激活延迟荧光(TADF)。简言之，TADF发射通过如下发生：在热能的帮助下经由反向系统间交叉跃迁过程将三态激子转变为单态激子，接着是单态激子的辐射衰变。OLED装置的外量子效率(EQE)可以指的是提供至OLED装置的电荷载流子相对于由装置发射的光子数目的比率。例如，100％的EQE指示对于被注入装置的每个电子发射一个光子。如将领会的，装置的EQE通常大幅低于装置的IQE。EQE和IQE之间的差异通常可以归因于大量的因素，比如由装置的多个组件引起的光的吸收和反射。OLED装置通常可以被分类为“底部-发射”或“顶部-发射”装置，这取决于光由装置发射的相对方向。在底部-发射装置中，以朝向装置的基座衬底(basesubstrate)的方向发射由于辐射复合过程生成的光，而在顶部-发射装置中，以远离基座衬底的方向发射光。因此，在底部-发射装置中，在基座衬底近侧的电极通常被制作为光透射的(例如，基本上透明的或半透明的)，而在顶部-发射装置中，在基座衬底远侧的电极通常被制作为光透射的，以便减少光的衰减。取决于具体的装置结构，阳极或阴极可以充当顶部-发射和底部-发射装置中的透射电极(transmissiveelectrode)。OLED装置还可以是双侧发射装置，其被配置为以相对于基座衬底的两个方向发射光。例如，双侧发射装置可以包括透射阳极和透射阴极，以便以两个方向发射来自每个像素的光。在另一个实例中，双侧发射显示装置可以包括配置为以一个方向发射光的第一组像素，以及配置为以另一个方向发射光的第二组像素，以便从每个像素，单电极是透射的。除上面的装置配置之外，还可以实施透明的或半透明的OLED装置，其中装置包括允许外部光传播通过装置的透明部分。例如，在透明的OLED显示装置中，透明部分可以被提供在每个相邻像素之间的非发射区域中。在另一个实例中，可以通过在面板的发射区域之间提供多个透明区域来形成透明的OLED照明面板。透明的或半透明的OLED装置可以是底部-发射、顶部-发射或双侧发射装置。虽然阴极或阳极可以被选择为透射电极，但是典型的顶部-发射装置包括光透射阴极。通常用于形成透射阴极的材料包括透明导电氧化物(TCO)，比如氧化铟锡(ITO)和氧化锌(ZnO)，以及薄膜，比如通过沉积薄层的银(Ag)、铝(A1)、或多种金属合金比如镁银(Mg∶Ag)合金和镱银(Yb∶Ag)合金——其中按体积计组成范围在大约1∶9至大约9∶1内——形成的那些。还可以使用包括两层或更多层TCO和/或薄金属膜的多层阴极。特别在薄膜的情况下，高至大约几十纳米的相对薄层厚度有助于用于OLED的增强的透明度和有利的光学性质(例如，减少的微腔效应)。然而，透射电极的厚度减小伴随着其片电阻的增加。具有高片电阻的电极通常不期望用于OLED，这是由于当使用装置时它产生大的电流-电阻(IR)下降，其对OLED的性能和效率是有害的。可以通过增加供电水平一定程度上补偿IR下降；然而，当对于一个像素增加供电水平时，供应至其它组件的电压也被增加以维持装置的适当操作，并且因而是不利的。为了降低顶部-发射OLED装置的供电规格，已经提出方案以在装置上形成母线结构或辅助电极。例如，可以通过沉积与OLED装置的透射电极电通信的传导性覆层形成这样的辅助电极。这样的辅助电极可以通过降低透射电极的片电阻和相关联的IR下降允许电流被更有效地输送至装置的多个区域。由于辅助电极通常被提供在OLED叠层——其包括阳极、一个或多个有机层、和阴极——的顶部上，传统上使用具有掩模孔隙(maskaperture)的荫罩——通过其选择性地沉积传导性覆层，例如通过物理气相沉积(PVD)过程——实现辅助电极的图案化。然而，由于掩模通常是金属掩模，它们具有在高温沉积过程期间翘曲(warp)的倾向，从而扭曲掩模孔隙和得到的沉积图案。另外，随着传导性覆层粘附至掩模并且模糊掩模的零件，掩模通常通过连续沉积被降级。因此，应当使用耗时的和昂贵的过程清洁这样的掩模或一旦认为掩模在生产期望的图案方面无效则应当丢弃这样的掩模，从而致使这样的过程高度昂贵和复杂。因此，荫罩过程对OLED装置的大批量生产可能不是商业上可行的。而且，由于大的金属掩模通常在荫罩沉积过程期间被拉伸，可以使用荫罩过程生产的零件的纵横比通常由于金属掩模的屏蔽效应和机械(例如，伸长的)强度而被局限。通过荫罩将传导性覆层图案化至表面上的另一个挑战是可以使用单个掩模实现某些但并非所有图案。由于掩模的每个部分被物理地支撑，并非所有图案在单个加工阶段中是可能的。例如，在图案规定分离的特征时，单个掩模加工阶段通常不能被用于实现期望的图案。此外，被用于生产遍及整个装置表面的重复结构(例如，母线结构或辅助电极)的掩模包括在掩模上形成的大量的穿孔或孔隙。然而，在掩模上形成大量的孔隙可能损害掩模的结构完整性，因而在加工期间导致掩模的显著翘曲或变形，其可能扭曲沉积结构的图案。
技术实现思路
根据一些实施方式，装置(例如，光电子装置)包括：(1)衬底；(2)覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层(nucleationinhibitingcoating)；和(3)包括第一部分和第二部分的传导性覆层。传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，传导性覆层的第二部分与成核抑制覆层部分地重叠，并且传导性覆层的第二部分通过间隙与成核抑制覆层分隔开。根据一些实施方式，装置(例如，光电子装置)包括：(1)包括第一区域和第二区域的衬底；和(2)包括第一部分和第二部分的传导性覆层。传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，传导性覆层的第二部分覆盖衬底的部分第一区域，并且传导性覆层的第二部分通过间隙与衬底的第一区域分隔开。根据一些实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光电子装置，其包括：衬底；覆盖所述衬底的第一区域的成核抑制覆层；和包括第一部分和第二部分的传导性覆层，所述传导性覆层的第一部分覆盖所述衬底的第二区域，并且所述传导性覆层的第二部分与所述成核抑制覆层部分地重叠，其中所述传导性覆层的第二部分通过间隙与所述成核抑制覆层分隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.26 US 62/246,597;2016.01.13 US 62/277,989;1.光电子装置，其包括：衬底；覆盖所述衬底的第一区域的成核抑制覆层；和包括第一部分和第二部分的传导性覆层，所述传导性覆层的第一部分覆盖所述衬底的第二区域，并且所述传导性覆层的第二部分与所述成核抑制覆层部分地重叠，其中所述传导性覆层的第二部分通过间隙与所述成核抑制覆层分隔开。2.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分在所述成核抑制覆层的重叠部分之上延伸，并且通过所述间隙与所述成核抑制覆层的重叠部分分隔开。3.权利要求2所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层的另一部分从所述传导性覆层暴露。4.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括与所述成核抑制覆层接触的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分的厚度不大于所述传导性覆层的第一部分的厚度的5％。5.权利要求4所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分在所述传导性覆层的第三部分之上延伸，并且与所述传导性覆层的第三部分分隔开。6.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括安置在所述传导性覆层的第一部分和所述传导性覆层的第二部分之间的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分与所述成核抑制覆层接触。7.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括与所述成核抑制覆层接触的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分在所述成核抑制覆层的表面上包括断连的簇。8.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层包括镁。9.权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层被表征为具有不大于0.02的对于所述传导性覆层的材料的初始粘着概率。10.权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机分子，其每个包括核心部分和结合至所述核心部分的末端部分，并且所述末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分。11.权利要求10所述的光电子装置，其中所述核心部分包括杂环部分。12.权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机分子，其每个包括核心部分和结合至所述核心部分的多个末端部分，所述多个末端部分的第一末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分，并且所述多个末端部分的每个其余的末端部分的分子量不大于所述第一末端部分的分子量的2倍。13.权利要求1所述的光电子装置，进一步包括安置在所述传导性覆层的第一部分和所述衬底的第二区域之间的成核促进覆层。14.权利要求13所述的光电子装置，其中所述成核促进覆层包括富勒烯。15.权利要求1所述的光电子装置，其中所述衬底包括背板和安置在所述背板上的前板。16.权利要求15所述的光电子装置，其中所述背板包括晶体管，并且所述前板包括电连接至所述晶体管的电极，和安置在所述电极上的至少一个有机层。17.权利要求16所述的光电子装置，其中所述电极是第一电极，并且所述前板进一步包括安置在所述有机层上的第二电极。18.光电子装置，其包括：包括第一区域和第二区域的衬底；和包括第一部分和第二部分的传导性覆层，所述传导性覆层的第一部分覆盖所述衬底的第二区域，并且所述传导性覆层的第二部分重叠部分所述衬底的第一区域，其中所述传导性覆层的第二部分通过间隙与所述衬底的第一区域分隔开。19.权利要求18所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分在所述衬底的第一区域之上延伸，并且通过所述间隙与所述衬底的第一区域分隔开。20.权利要求18所述的光电子装置，其中所述衬底的第一区域的另一部分从所述传导性覆层暴露。21.权利要求18所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分的宽度与所述传导性覆层的第一部分的厚度的比率在1∶1至1∶3的范围中。22.权利要求18所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第一部分的厚度是500nm或更大。23.权利要求18所述的光电子装置，其中所述传导性覆层包括镁。24.权利要求18所述的光电子装置，进一步包括安置在所述传导性覆层的第一部分和所述衬底的第二区域之间的成核促进覆层。25.权利要求24所述的光电子装置，其中所述成核促进覆层包括富勒烯。26.光电子装置，其包括：衬底；覆盖所述衬底的第一区域的成核抑制覆层；和覆盖所述衬底的侧向邻近的第二区域的传导性覆层，其中所述传导性覆层包括导电材料，并且所述成核抑制覆层被表征为具有不大于0.02的对于所述导电材料的初始粘着概率。27.权利要求26所述的光电子装置，其中对于所述导电材料的初始粘着概率不大于0.01。28.权利要求26所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括多环芳香族化合物。29.权利要求26所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机化合物，所述有机化合物包括核心部分和结合至所述核心部分的末端部分，并且所述末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分。30.权利要求29所述的光电子装置，其中所述核...

【专利技术属性】
技术研发人员：YL·常，Q·王，M·赫兰德，J·邱，Z·王，T·雷夫，
申请(专利权)人：OTI照明公司，
类型：发明
国别省市：加拿大,CA