清管器的信号发射装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种清管器的信号发射装置，属于清管器定位技术领域。该信号发射装置包括：电源模块、升压电路、H桥电路、LC振荡电路、降压电路、单片机模块和升压控制电路。本实用新型专利技术通过降压电路对电源模块提供的电压进行降压后输出至单片机模块和升压控制电路，在单片机模块工作后分别向升压控制电路和H桥电路发送控制信号，升压控制电路基于接收到的控制信号控制升压电路是否进行工作。在升压电路处于非工作状态时，该信号发射装置节省能耗延长工作时长。在升压电路处于工作状态时对电源模块提供的电压进行升压，并输出至H桥电路。H桥电路基于接收到的控制信号，通过LC振荡电路增大该信号发射装置产生的电磁信号的磁场强度。

Signal launcher of pig

The utility model discloses a signal launcher of a pig, belonging to the technical field of pig positioning. The signal transmitter consists of power supply module, boost circuit, H bridge circuit, LC oscillation circuit, step-down circuit, single chip microcomputer module and boost control circuit. The utility model outputs the voltage provided by the power module to the SCM module and the boost control circuit after the power module is bucked by the buck circuit, and sends the control signals to the boost control circuit and the H bridge circuit respectively after the SCM module works. The boost control circuit controls whether the boost circuit works or not based on the received control signals. . When the boost circuit is in a non working state, the signal launcher saves energy and prolongs the working time. When the boost circuit is in operation, the voltage supplied by the power module is boosted and output to the H bridge circuit. Based on the received control signal, the H-bridge circuit increases the magnetic field intensity of the electromagnetic signal generated by the signal transmitter through the LC oscillation circuit.

【技术实现步骤摘要】
清管器的信号发射装置
本技术涉及清管器定位
，特别涉及一种清管器的信号发射装置。
技术介绍
管道运输是油气资源的最佳运输方式，在通过管道对油气的运输中，对管道进行定期清管作业是管道安全平稳运行的保障。目前，清管作业通常采用清管器来进行，而在通过清管器对管道进行清管作业的过程中，当清管器发生丢失或卡堵时，为了避免造成更严重的经济损失，可以在清管器内设置信号发射装置，用于对清管器的定位跟踪。现有技术中，为了可以更精确地对清管器进行定位跟踪，可以通过清管器内的信号发射装置不间断的发射穿透能力强的低频率的电磁信号，该电磁信号会有部分磁场穿透管壁发射到管道外的空间，从而通过携带有磁场传感器的信号接收器沿管道的铺设路径检测该低频率的电磁信号发射至管道外的空间的磁场，进而基于该磁场完成清管器的精确定位。然而，由于信号发射装置不间断的发射电磁信号，导致信号发射装置的电源模块耗电较快，不能长期使用。如果在清管作业中发生卡堵现象时，必须在短时间内取出清管器，以避免电源模块电量耗尽后，难以查找清管器的准确位置。另外，由于信号发射装置被固定在清管器的骨架内部，对于该信号发射装置发射的电磁信号穿透管壁发射至管道外的空间的磁场，管道的管壁越厚电磁信号穿透管壁发射到管道外的空间的磁场强度越弱，从能可能造成携带有磁场传感器的信号接收器难以准确检测到管道外的空间的磁场，以致于不能准确对清管器进行定位。
技术实现思路
为了更为精确的确定信号发射装置在管道内的位置，以及延长该信号发射装置的工作时长，本技术提供了一种清管器的信号发射装置。所述技术方案如下：本技术提供了一种清管器的信号发射装置，所述信号发射装置包括：电源模块、升压电路、H桥电路、LC振荡电路、降压电路、单片机模块和升压控制电路；所述电源模块的输出端与所述升压电路的输入端和所述降压电路的输入端分别连接，所述降压电路的输出端与所述单片机模块的输入端和所述升压控制电路的输入端分别连接，所述单片机模块的使能端与所述升压控制电路的使能端连接，所述单片机模块的第一控制端和第二控制端分别与所述H桥电路的第一控制端和第二控制端对应连接；所述升压控制电路的控制端与所述升压电路的控制端连接，所述升压电路的输出端与所述H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的第一输出端和第二输出端分别与所述LC振荡电路的两端连接；所述电源模块的输入端、所述升压电路的接地端、所述H桥电路的接地端、所述降压电路的接地端、所述单片机模块的接地端和所述升压芯片控制电路的接地端均接地。可选地，所述升压电路包括：升压芯片、电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容；所述电源模块的输出端分别与所述升压芯片的输入引脚、所述第一电容的一端和所述第一电阻的一端连接，所述第一电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端分别与所述升压芯片的使能引脚和所述升压控制电路的控制端连接，所述电感并联在所述升压芯片的输入引脚与开关控制引脚之间，所述升压芯片的开关控制引脚还与所述第一二极管的阳极连接，所述升压芯片的电压反馈引脚分别与所述第二电阻的一端、所述第二电容的一端和所述第三电阻的一端连接，所述升压芯片的接地引脚接地；所述第一二极管的阴极、所述第二电阻的另一端和所述第二电容的另一端分别与所述第三电容的一端连接，所述第三电阻的另一端和所述第三电容的另一端接地，所述第四电容并联在所述第三电容的两端，所述第二二极管的阴极分别与所述第四电容的一端和所述第三二极管的阳极连接，所述第三二极管的阴极与所述第四二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极和所述第四二极管的阳极接地，所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阴极还分别与所述H桥电路的输入端连接。可选地，所述H桥电路包括：第一控制模块、第一控制电路、第二控制模块和第二控制电路；所述升压电路的输出端分别与所述第一控制模块包括的第一MOS管的源极、所述第一控制电路的输入端、所述第二控制模块包括的第一MOS管的源极和所述第二控制电路的输入端连接；所述第一控制电路的控制端与所述单片机模块的第一控制端连接，所述第一控制电路的第一驱动控制端与所述第一控制模块包括的第一MOS管的栅极连接，所述第一控制电路的第二驱动控制端与所述第二控制模块包括的第二MOS管的栅极连接，所述第二控制电路的控制端与所述单片机模块的第二控制端连接，所述第二控制电路的第一驱动控制端与所述第二控制模块包括的第一MOS管的栅极连接，所述第二控制电路的第二驱动控制端与所述第一控制模块包括的第二MOS管的栅极连接，所述第一控制电路的接地端和所述第二控制电路的接地端均接地；所述第一控制模块包括的第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与所述LC振荡电路的一端连接，所述第二控制模块包括的第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与所述LC振荡电路的另一端连接，所述第一控制模块包括的第二MOS管的源极和所述第二控制模块包括的第二MOS管的源极均接地。可选地，所述降压电路包括：稳压管、第五电容、电解电容、第六电容和降压芯片；所述电源模块的输出端分别与所述稳压管的阴极、所述第五电容的一端、所述降压芯片的使能引脚和输入引脚连接，所述稳压管的阳极和所述第五电容的另一端均接地；所述降压芯片的输出引脚分别与所述电解电容的阳极、所述单片机模块的输入端和所述升压控制电路的输入端连接，所述降压芯片的电压反馈引脚与所述第六电容的一端连接，所述降压芯片的四个接地引脚、所述电解电容的阴极和所述第六电容的另一端均接地。可选地，所述单片机模块包括：单片机、复位电路、高频率振荡电路、低频率振荡电路和四个第七电容；所述降压电路的输出端分别与所述单片机的四个输入引脚、所述复位电路的输入端和所述四个第七电容中每个第七电容的一端连接，所述单片机的高频输入引脚和高频输出引脚分别与所述高频率振荡电路的高频输入端和高频输出端对应连接，所述单片机的低频输入引脚和低频输出引脚分别与所述低频率振荡电路的低频输入端和低频输出端对应连接，所述单片机的第一控制引脚和第二控制引脚分别与所述H桥电路的第一控制端和第二控制端对应连接，所述单片机的使能引脚与所述升压控制电路的使能端连接；所述复位电路的输出端与所述单片机的复位引脚连接，所述复位电路的接地端、所述单片机的四个接地引脚、每个第七电容的另一端、所述高频率振荡电路的接地端和所述低频率振荡电路的接地端均接地。可选地，所述单片机模块还包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻和调试芯片；所述降压电路的输出端分别与所述第四电阻的一端、所述第五电阻的一端和所述调试芯片的输入引脚连接，所述第四电阻的另一端分别与所述单片机的第一调试引脚和所述调试芯片的第一调试引脚连接，所述第五电阻的另一端分别与所述单片机的第二调试引脚和所述调试芯片的第二调试引脚连接，所述调试芯片的接地引脚接地；所述第六电阻的一端与所述单片机的程序存储位置选择引脚连接，所述第六电阻的另一端接地。可选地，所述升压控制电路包括：第七电阻、第八电阻、第九电阻和第三MOS管；所述降压电路的输出端与所述所述第七电阻的一端连接，所述第八电阻的一端与所述单片机模块的使能端连接，所述第九电阻的一端接地，所述第七电阻的另一端、所述第八电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清管器的信号发射装置，其特征在于，所述信号发射装置包括：电源模块、升压电路、H桥电路、LC振荡电路、降压电路、单片机模块和升压控制电路；所述电源模块的输出端与所述升压电路的输入端和所述降压电路的输入端分别连接，所述降压电路的输出端与所述单片机模块的输入端和所述升压控制电路的输入端分别连接，所述单片机模块的使能端与所述升压控制电路的使能端连接，所述单片机模块的第一控制端和第二控制端分别与所述H桥电路的第一控制端和第二控制端对应连接；所述升压控制电路的控制端与所述升压电路的控制端连接，所述升压电路的输出端与所述H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的第一输出端和第二输出端分别与所述LC振荡电路的两端连接；所述电源模块的输入端、所述升压电路的接地端、所述H桥电路的接地端、所述降压电路的接地端、所述单片机模块的接地端和所述升压芯片控制电路的接地端均接地。

【技术特征摘要】
1.一种清管器的信号发射装置，其特征在于，所述信号发射装置包括：电源模块、升压电路、H桥电路、LC振荡电路、降压电路、单片机模块和升压控制电路；所述电源模块的输出端与所述升压电路的输入端和所述降压电路的输入端分别连接，所述降压电路的输出端与所述单片机模块的输入端和所述升压控制电路的输入端分别连接，所述单片机模块的使能端与所述升压控制电路的使能端连接，所述单片机模块的第一控制端和第二控制端分别与所述H桥电路的第一控制端和第二控制端对应连接；所述升压控制电路的控制端与所述升压电路的控制端连接，所述升压电路的输出端与所述H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的第一输出端和第二输出端分别与所述LC振荡电路的两端连接；所述电源模块的输入端、所述升压电路的接地端、所述H桥电路的接地端、所述降压电路的接地端、所述单片机模块的接地端和所述升压芯片控制电路的接地端均接地。2.如权利要求1所述的信号发射装置，其特征在于，所述升压电路包括：升压芯片、电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容；所述电源模块的输出端分别与所述升压芯片的输入引脚、所述第一电容的一端和所述第一电阻的一端连接，所述第一电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端分别与所述升压芯片的使能引脚和所述升压控制电路的控制端连接，所述电感并联在所述升压芯片的输入引脚与开关控制引脚之间，所述升压芯片的开关控制引脚还与所述第一二极管的阳极连接，所述升压芯片的电压反馈引脚分别与所述第二电阻的一端、所述第二电容的一端和所述第三电阻的一端连接，所述升压芯片的接地引脚接地；所述第一二极管的阴极、所述第二电阻的另一端和所述第二电容的另一端分别与所述第三电容的一端连接，所述第三电阻的另一端和所述第三电容的另一端接地，所述第四电容并联在所述第三电容的两端，所述第二二极管的阴极分别与所述第四电容的一端和所述第三二极管的阳极连接，所述第三二极管的阴极与所述第四二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极和所述第四二极管的阳极接地，所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阴极还分别与所述H桥电路的输入端连接。3.如权利要求1所述的信号发射装置，其特征在于，所述H桥电路包括：第一控制模块、第一控制电路、第二控制模块和第二控制电路；所述升压电路的输出端分别与所述第一控制模块包括的第一MOS管的源极、所述第一控制电路的输入端、所述第二控制模块包括的第一MOS管的源极和所述第二控制电路的输入端连接；所述第一控制电路的控制端与所述单片机模块的第一控制端连接，所述第一控制电路的第一驱动控制端与所述第一控制模块包括的第一MOS管的栅极连接，所述第一控制电路的第二驱动控制端与所述第二控制模块包括的第二MOS管的栅极连接，所述第二控制电路的控制端与所述单片机模块的第二控制端连接，所述第二控制电路的第一驱动控制端与所述第二控制模块包括的第一MOS管的栅极连接，所述第二控制电路的第二驱动控制端与所述第一控制模块包括的第二MOS管的栅极连接，所述第一控制电路的接地端和所述第二控制电路的接地端均接地；所述第一控制模块包括的第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与所述LC振荡电路的一端连接，所述第二控制模块包括的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘良果，张圣兵，李晓霜，陈强，罗敏，杨建明，侯胜，黄海，梅茜迪，
申请(专利权)人：中国石油天然气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11