功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，包括AlN衬底、AlN表面反应层、Cu、Ti、Al膜和Cu箔，所述AlN表面反应层存在于AlN衬底和Cu、Ti、Al膜之间，所述Cu、Ti、Al膜涂敷在AlN表面，所述Cu箔敷接于Cu、Ti、Al膜之上。本实用新型专利技术工艺简单，成本低且获得的AlN陶瓷敷铜基板具有热导率高，结合强度大，表面电阻小等优点。

AlN ceramic coated copper substrate for power electronic devices

The utility model discloses a copper substrate coated with AlN ceramics for power electronic devices, which is characterized in that the substrate comprises an AlN substrate, an AlN surface reaction layer, a Cu, Ti, an Al film and a Cu foil. The AlN surface reaction layer exists between an AlN substrate and a Cu, Ti, and an Al film. The Cu, Ti, and an Al film are coated on an AlN surface, and the Cu foil is coated on a Cu, Ti, and an Al foil. Above the Al membrane. The aluminum nitride ceramic coated copper substrate has the advantages of simple process, low cost and high thermal conductivity, high bonding strength and low surface resistance.

【技术实现步骤摘要】
功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板
本技术涉及陶瓷敷铜基板，尤其涉及功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板。
技术介绍
随着电力电子技术的发展，大规模集成电路的发热功率密度相对以往大大提高。散热问题因为牵扯到力、光、电、热等一系列的问题，直接影响到功率电子器件的工作温度、电学特性及使用寿命等。随着输入功率的不断提高，如何从根本上解决散热问题成为普遍关注的热点。封装基板在电力电子系统散热中起到了决定性的作用，其中高性能的陶瓷覆铜基板是功率模块封装技术中的关键材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。铜是良好的导体材料，具有电阻率低，抗电子迁移能力好，可以承受大电流，导热性能（398W/m·K）好可以将器件内产生的热量及时的传导出以降低器件的工作温度，提高器件的性能，非常适用于功率电路和高频电路。金属铜材料相对于其他厚膜金属材料，价格更便宜，可以极大地降低器件的制作成本。现阶段开发的高热导率陶瓷基有BeO、SiC、Al2O3和AlN，其中BeO具有毒性，不利于环保；SiC介电常数偏高，不适宜作基片，Al2O3的绝缘性好、化学稳定性好、强度高，且价格低，是陶瓷敷铜基板的优选材料，但是Al2O3的热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，包括AlN衬底、AlN表面反应层、Cu、Ti、Al膜和Cu箔，所述AlN表面反应层存在于AlN衬底和Cu、Ti、Al膜之间，所述Cu、Ti、Al膜涂敷在AlN表面，所述Cu箔敷接于Cu、Ti、Al膜之上。

【技术特征摘要】
1.功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，包括AlN衬底、AlN表面反应层、Cu、Ti、Al膜和Cu箔，所述AlN表面反应层存在于AlN衬底和Cu、Ti、Al膜之间，所述Cu、Ti、Al膜涂敷在AlN表面，所述Cu箔敷接于Cu、Ti、Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈科成，王疆瑛，张景基，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：新型
国别省市：浙江,33