一种基于硫化钽薄膜的测辐射热计及其制备方法和用途技术

本发明专利技术提供了一种基于硫化钽薄膜的测辐射热计及其制备方法和用途，所述测辐射热计包括硫化钽薄膜、支撑电极和读出电路，其中硫化钽薄膜悬空放置于支撑电极上，支撑电极与读出电路连接。本发明专利技术中所述硫化钽薄膜通过低压化学气相沉积方法在基底上生长并通过湿法转移去掉基底成为悬空薄膜；所述硫化钽薄膜位于支撑电极之上，吸收热辐射使自身温度发生改变，所述硫化钽薄膜作为热敏材料具备极高的电阻温度系数，可在读出电路中测出电路的阻值变化，从而可用于红外探测、红外成像、热成像等。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硫化钽薄膜的测辐射热计及其制备方法和用途
本专利技术属于光电和热电测量
，涉及一种测辐射热计及其制备方法和用途，尤其涉及一种基于硫化钽薄膜的测辐射热计及其制备方法和用途。
技术介绍
红外成像技术是一种运用光电技术检测物体热辐射的红外线特定波段信号，将光信号转换成电信号，再转换成为可供人类视觉分辨的图像和图形的技术，目前在军事和民用领域都有广泛的应用。测辐射热计是具有热敏特性的材料在温度变化时电阻值能够发生一定的变化而构成的一种非制冷型红外探测器，它是可以在常温下工作的红外探测器。在绝热机构上的热敏电阻施加稳定的电压或电流源，入射红外光或热辐射引起的温度变化会使热敏电阻阻值发生变化，从而使热敏电阻的电压、电流发生改变，最后由读出电路读出电信号的变化。因此，作为热敏电阻的材料必须具备较高的电阻温度系数(TCR)，较高的光响应，较高的1/f噪声，较小的热导，易于制备，以及稳定的热性能等特点。目前，市场上应用于测辐射热计的主流热敏电阻材料主要有VOx、Pt和YBCO。如CN10881667A公开了一种非制冷微测辐射热计，其采用氧化钒-碳纳米管复合膜作为微测辐射热计的热敏感层和光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测辐射热计，其特征在于，所述测辐射热计包括硫化钽薄膜、支撑电极和读出电路，其中硫化钽薄膜悬空放置于支撑电极上，支撑电极与读出电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种测辐射热计，其特征在于，所述测辐射热计包括硫化钽薄膜、支撑电极和读出电路，其中硫化钽薄膜悬空放置于支撑电极上，支撑电极与读出电路连接。2.根据要求1所述的测辐射热计，其特征在于，所述支撑电极包括支撑层和设于支撑层内的电学通道，所述电学通道连接硫化钽薄膜和读出电路；优选地，所述支撑层的材料为Si3N4；优选地，所述电学通道为导电金属，优选为镍镉合金。3.根据要求1或2所述的测辐射热计，其特征在于，所述硫化钽薄膜的为1T相；优选地，所述硫化钽薄膜的厚度为0.8nm～200nm；优选地，所述硫化钽薄膜悬空部分的沟道宽度的尺寸为10μm～3mm。4.一种如要求1-3任一项所述的测辐射热计的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：通过低压化学气相沉积在基底上制备硫化钽薄膜，再将基底移除并将硫化钽薄膜转移到支撑电极上，形成测辐射热计；其中，所述低压指压力为1Torr～7.5Torr。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述通过低压化学气相沉积制备硫化钽薄膜具体包括以下步骤：以五氯化钽和硫粉为源，通过低压化学气相沉积方法在基底上生长硫化钽薄膜，其生长温度为810...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢黎明，刘海宁，吴娟霞，王新胜，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京,11