LED晶片的键合方法技术

本发明专利技术公开一种LED晶片的键合方法，所述LED晶片的键合方法包括以下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；提供一背板；于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合。本发明专利技术的技术方案能够提高背板的利用率。

【技术实现步骤摘要】
LED晶片的键合方法
本专利技术涉及LED
，特别涉及一种LED晶片的键合方法。
技术介绍
随着技术的发展与进步，MicroLED已经展现出了超越OLED的许多优势。例如，MicroLED的LED晶片更小、寿命更长，并且，MicroLED在模组厚度、功耗、亮度、屏幕响应时间、解析度、显示效果等方面都远超OLED。因此，MicroLED是一项极具竞争力的技术。可是，在MicroLED的制造过程中，却存在着需要将LED晶片精确定位至背板的难题。目前，为解决这样的难题，普遍的做法是在背板和衬底上设置对准标记，以利用对准标记实现精确定位。但是，采用这样的方式时，对准标记会占据背板上的宝贵空间，造成背板的利用率低下。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种LED晶片的键合方法，旨在提高背板的利用率。为实现上述目的，本专利技术提出的LED晶片的键合方法，包括以下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；提供一背板；于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合。可选地，所述衬底为氧化锌衬底、氮化铝衬底、氧化铝衬底、或碳化硅衬底。可选地，所述结合层为金属或金属氧化物。可选地，所述结合层为金属铟或氧化铟锡。可选地，所述“于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构”的步骤，包括：于所述衬底表面布置第一成型夹具，并使所述第一成型夹具与所述衬底之间形成晶片生长间隙；于所述晶片生长间隙中生长LED晶片；剥离所述第一成型夹具，以使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；其中，所述第一成型夹具面向所述衬底的表面形成有所述第二键合结构。可选地，所述第一键合结构为凸起或凹陷。可选地，所述“于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构”的步骤，包括：于所述背板表面布置结合层；利用第二成型夹具对所述结合层进行压印；剥离所述第二成型夹具，以使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；其中，所述第二成型夹具面向所述结合层的表面形成有所述第一键合结构。可选地，所述第二键合结构为凸起或凹陷。可选地，所述“将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合”的步骤之后，还包括：剥离所述衬底。可选地，所述“剥离所述衬底”的步骤之后，还包括：于所述LED晶片上装设阴极。本专利技术的技术方案，通过于LED晶片的表面形成第一键合结构，并于背板上结合层的表面形成可与第一键合结构相键合的第二键合结构，这样，当将LED晶片转移至背板时，便可通过第一键合结构与第二键合结构的键合实现LED晶片于结合层的限位固定，实现LED晶片于结合层的精确定位，即实现LED晶片于背板的精确定位。如此，利用第一键合结构与第二键合结构的键合定位，替代了传统工艺中于背板和衬底上设置对准标记的定位方式，避免了背板上的宝贵空间被对准标记占据，从而节省了背板的空间，提高了背板的利用率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术LED晶片的键合方法一实施例的流程示意图；图2为图1中步骤“于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构”的细化步骤的流程示意图；图3为图1中步骤“于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构”的细化步骤的流程示意图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式以下结合说明书附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术，并且在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术提出一种LED晶片的键合方法。请参阅图1，在本专利技术LED晶片的键合方法一实施例中，该LED晶片的键合方法包括以下步骤：步骤S100，提供一衬底。具体地，衬底一般可选择蓝宝石衬底，蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、质量较好；其次，蓝宝石衬底的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石衬底的机械强度高，易于处理和清洗。当然，衬底也可选择导热性能十分优异的碳化硅衬底或硅衬底。此外，衬底还可选择砷化镓衬底或其他合理的材料。步骤S200，于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构。具体地，将衬底加热至晶片生长温度，并于该衬底的表面生长LED晶片。一般地，晶片生长温度为900℃～1200℃。并且，为了使LED晶片的表面形成第一键合结构，一般可以采取以下两种方式实现：第一，对LED晶片的生长过程进行控制。即，对LED晶片的生长空间加以限制，使LED晶片按照预先设定的形状进行生长，以使其生长完成后的表面形成第一键合结构。例如，采用内表面具有特定形状的模具罩设于衬底表面，使LED晶片于模具和衬底所限定的空间内生长。这样，控制过程简单、可靠，模具制造方便、快捷。并且，模具可重复使用，使得生产过程得以简化、生产效率得以提高。第二，对生长完成后的LED晶片进行表面处理。即，对生长完成后的LED晶片的表面进行如刻蚀处理、切割处理、打磨处理、和/或其他合理的表面处理等过程，以使LED晶片的表面在表面处理之后形成第一键合结构。其中，刻蚀处理可通过微纳刻蚀的方式得以实现，即，利用激光对LED晶片的表面进行刻蚀，以在LED晶片的表面刻蚀形成第一键合结构。这样，具有各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高等优点。当然，刻蚀处理还可通过气相腐蚀、等离子体腐蚀等方式得以实现。步骤S300，提供一背板。步骤S400，于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构。具体地，为了使结合层的表面形成第二键合结构，一般可以采取以下两种方式实现：第一，采用压印的方式对结合层的表面进行压印处理。即，采用具有特定表面形状的模具对结合层的表面进行压印处理，以使模具退去后的结合层的表面形成第二键合结构。这样，控制过程简单、可靠，模具制造方便、快捷。并且，模具可重复使用，使得生产过程得以简化、生产效率得以提高。第二，对结合层进行表面处理。即，对结合层的表面进行如刻蚀处理、切割处理、打磨处理、和/或其他合理的表面处理等过程，以使结合层的表面在表面处理之后形成第二键合结构。其中，刻蚀处理可通过微纳刻蚀的方式得以实现，即，利用激光对结合层的表面进行刻蚀，以在结合层的表面刻蚀形成第二键合结构。这样，具有各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高等优点。当然，刻蚀处理还可通过气相腐蚀、等离子体腐蚀等方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED晶片的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；提供一背板；于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合。

【技术特征摘要】
1.一种LED晶片的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；提供一背板；于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合。2.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述衬底为氧化锌衬底、氮化铝衬底、氧化铝衬底、或碳化硅衬底。3.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述结合层为金属或金属氧化物。4.如权利要求3所述的键合方法，其特征在于，所述结合层为金属铟或氧化铟锡。5.如权利要求1至4中任一项所述的键合方法，其特征在于，所述“于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构”的步骤，包括：于所述衬底表面布置第一成型夹具，并使所述第一成型夹具与所述衬底之间形成晶片生长间隙；于所述晶片生长间隙中生长LED晶片；剥离所述第一成型夹具，以使所述LED晶片的表面形成第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛小龙，徐相英，姜晓飞，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37