The invention belongs to the technical field of graphene preparation and manufacturing, in particular to a method for preparing graphene, which comprises the following steps: obtaining carbon material, rolling the carbon material to form graphite particles with dispersed structure and relatively crushed structure; oxidizing the graphite particles at high temperature of 600 degrees Celsius or above to form graphite particles. Graphite oxide particles; graphene oxide particles are put into the graphene preparation system to open the graphene preparation system, so that the graphene preparation system microwave irradiation and tremor of the graphene oxide particles to form the required graphene; graphene is collected after graphene is produced; graphene is optimized by the present invention. The preparation method can make the graphite oxide particles rapidly irradiated by microwave and reduced to graphene, and the preparation speed is fast. At the same time, the invention can quickly collect graphene, avoid the deformation and warping of the stripped graphene, improve the efficiency of graphene preparation and the quality of graphene preparation.
【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯制备方法
本专利技术属于石墨烯制备制造
,具体的说是一种石墨烯制备方法。
技术介绍
单层石墨由于其大的比表面积,优良的导电、导热性能和低的热膨胀系数而被认为是理想的材料。尤其是其高导电性质,大的比表面性质和其单分子层二维的纳米尺度的结构性质,可在超级电容器和锂离子电池中用作电极材料。石墨烯的制备工艺有:机械剥离法、化学气相沉积法、外延晶体生长法、氧化还原法等。机械剥离法,是利用机械剥离石墨获得纯石墨烯片体,但因产量过低而无法进行大规模生产。化学气相沉积法或外延晶体成长法,是利用通入热裂解的碳氢化合物气源并沉积在镍片或铜片上以制备石墨烯,其特色为可制备出大面积单层或多层石墨烯,但其缺点为均匀性与厚度难以控制;另外,于绝缘体基材上生长石墨烯,例如于碳化硅表面可生长极薄的石墨烯,其缺点为价格昂贵且难以制备大面积。传统的氧化还原法,则是利用石墨粉或石墨纤维以硫酸与硝酸等强氧化剂或其他氧化处理的化学剥离产生官能化石墨氧化物,再利用高温炉以1100℃至1250℃的高温,使氧化石墨复合物迅速膨胀剥离,但如若被剥离的石墨烯未能被快速收集,容易产生变形和翘曲,使得石墨烯质量良莠不齐;同时,被剥离的石墨烯在高温的空气中,容易被燃烧甚至易引起火患,为生产石墨烯的工业化应用带来了潜在的安全威胁。鉴于此,本专利技术所述的一种石墨烯制备方法,本专利技术通过石墨烯制备系统改良了石墨烯制备方法,使在制备石墨烯时,氧化石墨颗粒可以被快速剥离成石墨烯,同时,被剥离出来的石墨烯可被快速及时收集,避免了被剥离的石墨烯继续升温而变形和翘曲,提高了石墨烯制备的效率和石墨烯制备的质量。 ...
【技术保护点】
1.一种石墨烯制备方法,其特征在于:该制备方法包括如下步骤:步骤一:获取碳材,对碳材进行碾压,以形成结构分散、较为粉碎的石墨颗粒;步骤二:将步骤一获得的石墨颗粒进行高温氧化,温度为600℃及以上,以形成氧化石墨颗粒;步骤三:将步骤二中获得的氧化石墨颗粒投入到石墨烯制备系统中,开启石墨烯制备系统,使石墨烯制备系统对氧化石墨颗粒进行微波辐照和震颤,以形成所需的石墨烯;步骤四:待步骤三制备并产生石墨烯后,对石墨烯进行收集;所述步骤三中的石墨烯制备系统包括腔体(1)、进料漏斗(2)、微波发生器(3)、放置架(4)、支撑弹簧(5)、震荡单元(6)和抽风机(7),所述腔体(1)的内部为反应腔,腔体(1)的下端设置有出料口(11);所述进料漏斗(2)位于腔体(1)的上端,进料漏斗(2)与腔体(1)相连,进料漏斗(2)为石墨颗粒进入反应腔的入口;所述微波发生器(3)位于腔体(1)的内壁上,微波发生器(3)用于对氧化石墨颗粒进行微波幅照;所述支撑弹簧(5)位于腔体(1)的下部,支撑弹簧(5)用于支撑放置架(4);所述放置架(4)位于腔体(1)的中部,放置架(4)上开设有供石墨烯漏下的漏孔(41),放置架 ...
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯制备方法,其特征在于:该制备方法包括如下步骤:步骤一:获取碳材,对碳材进行碾压,以形成结构分散、较为粉碎的石墨颗粒;步骤二:将步骤一获得的石墨颗粒进行高温氧化,温度为600℃及以上,以形成氧化石墨颗粒;步骤三:将步骤二中获得的氧化石墨颗粒投入到石墨烯制备系统中,开启石墨烯制备系统,使石墨烯制备系统对氧化石墨颗粒进行微波辐照和震颤,以形成所需的石墨烯;步骤四:待步骤三制备并产生石墨烯后,对石墨烯进行收集;所述步骤三中的石墨烯制备系统包括腔体(1)、进料漏斗(2)、微波发生器(3)、放置架(4)、支撑弹簧(5)、震荡单元(6)和抽风机(7),所述腔体(1)的内部为反应腔,腔体(1)的下端设置有出料口(11);所述进料漏斗(2)位于腔体(1)的上端,进料漏斗(2)与腔体(1)相连,进料漏斗(2)为石墨颗粒进入反应腔的入口;所述微波发生器(3)位于腔体(1)的内壁上,微波发生器(3)用于对氧化石墨颗粒进行微波幅照;所述支撑弹簧(5)位于腔体(1)的下部,支撑弹簧(5)用于支撑放置架(4);所述放置架(4)位于腔体(1)的中部,放置架(4)上开设有供石墨烯漏下的漏孔(41),放置架(4)用于放置氧化石墨颗粒;所述震荡单元(6)位于放置架(4)的下端,震荡单元(6)用于使放置架(4)上的氧化石墨颗粒产生震颤;所述抽风机(7)位于腔体(1)的底部,抽风机(7)用于将反应腔内的石墨烯吸出,同时,抽风机(7)为震荡单元(6)震颤提供动力。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯制...
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