助焊剂用清洗剂组合物制造技术

本发明专利技术提供一种适于助焊剂残渣的清洗的助焊剂用清洗剂组合物。本发明专利技术的一个实施方式涉及一种助焊剂用清洗剂组合物，其含有下述式(I)表示的化合物(成分A)、下述式(II)表示的化合物(成分B)、下述式(III)表示的化合物(成分C)、下述式(IV)表示的化合物(成分D)、芳香族醇(成分E)及水(成分F)，并且成分E的质量与成分C及成分D的合计质量的比(成分E/(成分C+成分D))为0.18以上且0.45以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】助焊剂用清洗剂组合物
本专利技术涉及一种助焊剂用清洗剂组合物、助焊剂残渣的清洗方法及电子部件的制造方法。
技术介绍
近年来，关于印刷配线板或陶瓷基板上的电子部件的安装，就低耗电、高速处理等观点而言，部件变得小型化，在焊接助焊剂的清洗方面，应清洗的间隙变狭窄。此外，就环境安全方面而言，正逐步使用无铅焊料，于此相伴，使用有松香系助焊剂。专利文献1中公开有用于金属部件、电子部件、半导体部件及液晶显示面板等精密部件的含水系清洗剂组合物，该含水系清洗剂组合物含有有机溶剂、5～30重量％的具有碳数4～12的烷基或烯基的甘油醚以及5重量％以上的水而成。专利文献2中公开有硬质表面用清洗剂组合物，其含有(A)甘油醚0.25～15.0重量％、(B)HLB为12.0～18.0的非离子表面活性剂1.0～60.0重量％、(C)烃1.0～10.0重量％、(D)二醇醚1.0～20.0重量％以及(E)水而成，且该成分(B)的非离子表面活性剂由下式：R-X-(EO)m(PO)n-H表示，且该成分(B)与该成分(A)的重量比(成分(B)/成分(A))为4/1～8/1，清洗剂组合物均匀且安全性较高，狭窄间隙中的各种污垢的清洗性、反复清洗性及冲洗性优异，在清洗及冲洗时耐起泡性良好。专利文献3中公开有包含苄醇的焊接电子部件的助焊剂清洗剂。专利文献4中公开有焊接助焊剂去除用清洗剂，其特征在于：在二醇化合物的含量相对于总量低于1重量％的情形时，将苄醇的含量设为70～99.9重量％的范围，并将氨基醇的含量设为0.1～30重量％的范围，在二醇化合物的含量为1～40重量％的情形时，将苄醇的含量设为15～99重量％的范围，并将氨基醇的含量设为0.1～30重量％的范围。专利文献5中公开有工业用清洗剂组合物，其特征在于，其含有(A)苄醇50～70重量％、(B)某特定的水溶性二醇醚20～40重量％、(C)HLB为12～18的非离子表面活性剂1～20重量％、(D)水5～20重量％以及剩余重量％的(E)，所述(E)为选自烷醇胺、碱盐类、有机酸、消泡剂、增稠剂中的至少1种，调配上述(A)～(E)成分并将整体设为100重量％而成。专利文献6中公开有夹具类用清洗剂组合物，其含有具有碳数为1～18的烃基的甘油醚，且其用于精密部件或其组装加工工序。专利文献7中公开有清洗剂组合物，其含有某特定的聚氧亚烷基二烷基醚、某特定的聚氧亚烷基单烷基醚及胺系化合物，且25℃下的动态粘度为5mm2/s以下，并且可适宜地用于去除在电子部件、精密部件或其组装加工工序中所使用的夹具类的固体表面所存在的油脂、机械油、切削油、润滑脂、液晶、松香系助焊剂等污垢。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-2688号公报专利文献2：日本特开2010-155904号公报专利文献3：日本特开平4-34000号公报专利文献4：国际公开第2005/021700公报专利文献5：日本特开2000-8080号公报专利文献6：日本特开平6-346092号公报专利文献7：日本特开平10-168488号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题近年来，因半导体封装基板的小型化，导致焊料凸块变得微小化、或与所连接的部件的间隙变狭小。并且，由于焊料凸块的微小化或与所连接的部件的间隙变狭小，上述专利文献所公开的清洗剂组合物对于助焊剂残渣的清洗性而言，并不充分。因此，本专利技术提供一种适于助焊剂残渣的清洗的助焊剂用清洗剂组合物、使用其的清洗方法及电子部件的清洗方法。解决问题的技术手段本专利技术涉及一种助焊剂用清洗剂组合物，其含有下述式(I)表示的化合物(成分A)、下述式(II)表示的化合物(成分B)、下述式(III)表示的化合物(成分C)、下述式(IV)表示的化合物(成分D)、芳香族醇(成分E)以及水(成分F)，并且成分E的质量与成分C及成分D的合计质量的比(成分E/(成分C+成分D))为0.18以上且0.45以下。[化学式1]上述式(I)中，R1为选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R2为选自氢原子、羟基乙基、羟基丙基、甲基以及乙基中的至少1种，R3为选自羟基乙基及羟基丙基中的至少1种。R4-O-(CH2CH2O)n-H(II)上述式(II)中，R4表示碳数4以上且7以下的烃基，n为加成摩尔数并且为1以上且5以下的整数。R5-O-(CH2CH2O)m-H(III)上述式(III)中，R5表示碳数8以上且12以下的烃基，m为平均加成摩尔数并且为4以上且8以下的数。R6OCH2-CH(OH)-CH2OH(IV)上述式(IV)中，R6表示碳数6以上且11以下的烃基。本专利技术涉及一种助焊剂残渣的清洗方法，其具有通过本专利技术的清洗剂组合物清洗具有助焊剂残渣的被清洗物的工序。本专利技术涉及一种电子部件的制造方法，其包括：选自通过使用了助焊剂的焊接将选自半导体芯片、芯片型电容器以及电路基板中的至少之一的部件搭载于电路基板上的工序以及将用于连接所述部件等的焊料凸块形成于电路基板上的工序中的至少之一的工序；以及利本专利技术的助焊剂残渣的清洗方法来清洗选自搭载有所述部件的电路基板以及形成有所述焊料凸块的电路基板中的至少之一的工序。专利技术的效果根据本专利技术，可提供一种助焊剂残渣的清洗性优异的助焊剂用清洗剂组合物。具体实施方式本专利技术基于如下见解：在含有特定的胺(成分A)、特定的二醇醚(成分B)、特定的聚氧亚乙基烷基醚(成分C)、特定的甘油醚(成分D)及芳香族醇(成分E)的清洗剂组合物中，通过限定成分E的质量与成分C及成分D的合计质量的比，而较现有技术进一步提高助焊剂残渣的清洗性。即，本专利技术涉及一种助焊剂用清洗剂组合物(以下也称为“本专利技术的清洗剂组合物”)，其含有上述式(I)表示的化合物(成分A)、上述式(II)表示的化合物(成分B)、上述式(III)表示的化合物(成分C)、上述式(IV)表示的化合物(成分D)、芳香族醇(成分E)以及水(成分F)，且成分E的质量与成分C及成分D的合计质量的比(成分E/(成分C+成分D))为0.18以上且0.45以下。根据本专利技术，可获得一种助焊剂残渣的清洗性优异的助焊剂用清洗剂组合物。进而，根据本专利技术，可获得一种稳定性以及利用水的冲洗性良好，且能够抑制对焊料金属的腐蚀等影响的助焊剂用清洗剂组合物。本专利技术的清洗剂组合物的效果的详细作用机制仍有不明的部分，但推定如下。即，在本专利技术的清洗剂组合物中，在上述成分A及成分B的存在下，且以特定的质量比含有成分C、成分D及成分E，因此推测，在清洗剂组合物中，成分C、成分D及成分E取向存在，可使对助焊剂的溶解性高但难溶于水的成分E均匀分散于清洗剂组合物中，其结果，提高对助焊剂残渣的清洗性。进而，推测通过发生如上述取向，可抑制被认为腐蚀焊料表面的主要起因的胺成分(成分A)与焊料过量接触，因此，在焊料凸块表面不产生腐蚀等影响。然而，本专利技术可不受该机制限定地进行解释。进而，近年来，随着焊料凸块的微小化及与所连接的部件的间隙变狭窄，使用可维持印刷性、熔融性、清洗性并且抑制孔隙产生的高功能助焊剂(例如高活性助焊剂)，但本专利技术的清洗剂组合物即便对于此种高功能助焊剂的残渣，亦可适宜地使用。在本专利技术中，所谓“助焊剂”，是指用于去除妨碍电极或配线等金属与焊料金属的连接的氧化物并促进上述连接的焊接中所使用的含有松香本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种助焊剂用清洗剂组合物，其含有：下述式(I)表示的化合物、即成分A，下述式(II)表示的化合物、即成分B，下述式(III)表示的化合物、即成分C，下述式(IV)表示的化合物、即成分D，芳香族醇、即成分E，以及水、即成分F，成分E的质量与成分C及成分D的合计质量的比、即成分E/(成分C+成分D)为0.18以上且0.45以下，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.24 JP 2015-2521851.一种助焊剂用清洗剂组合物，其含有：下述式(I)表示的化合物、即成分A，下述式(II)表示的化合物、即成分B，下述式(III)表示的化合物、即成分C，下述式(IV)表示的化合物、即成分D，芳香族醇、即成分E，以及水、即成分F，成分E的质量与成分C及成分D的合计质量的比、即成分E/(成分C+成分D)为0.18以上且0.45以下，上述式(I)中，R1为选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R2为选自氢原子、羟基乙基、羟基丙基、甲基及乙基中的至少1种，R3为选自羟基乙基及羟基丙基中的至少1种，R4-O-(CH2CH2O)n-H(II)上述式(II)中，R4表示碳数4以上且7以下的烃基，n为加成摩尔数而且为1以上且5以下的整数，R5-O-(CH2CH2O)m-H(III)上述式(III)中，R5表示碳数为8以上且12以下的烃基，m为平均加成摩尔数...

【专利技术属性】
技术研发人员：茅洼大辅，川下浩一，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP