【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物、发光元件、显示装置、电子设备及照明装置
本专利技术的一个方式涉及一种具有苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架和呋喃骨架、噻吩骨架或吡咯骨架的化合物。本专利技术的一个方式涉及一种包含该化合物的发光元件。本专利技术的一个方式涉及一种包括该发光元件的显示装置、包括该发光元件的电子设备及包括该发光元件的照明装置。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外,本专利技术的一个方式涉及一种工序、机器、产品或组合物。具体而言,本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子包括半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、这些任何装置的驱动方法及这些任何装置的制造方法。
技术介绍
近年来,对利用电致发光(EL)的发光元件的研究开发日益增强。在这些发光元件的基本结构中,在一对电极之间夹有包含发光材料的层(EL层)。通过将电压施加到该元件的一对电极间,可以获得来自发光物质的发光。因为上述发光元件是自发光型发光元件,所以使用该发光元件的显示装置具有如下优点: ...
【技术保护点】
1.一种化合物,包括:作为苯并呋喃并嘧啶骨架和苯并噻吩并嘧啶骨架中的一个的骨架;第一取代基;以及第二取代基,其中,所述第一取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架中的任一个,所述第二取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架中的任一个,所述第一取代基与所述骨架的嘧啶环键合,并且,所述第二取代基与所述骨架的苯环键合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.25 JP 2015-2541121.一种化合物,包括:作为苯并呋喃并嘧啶骨架和苯并噻吩并嘧啶骨架中的一个的骨架;第一取代基;以及第二取代基,其中,所述第一取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架中的任一个,所述第二取代基包括呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架中的任一个,所述第一取代基与所述骨架的嘧啶环键合,并且,所述第二取代基与所述骨架的苯环键合。2.根据权利要求1所述的化合物,其中所述骨架为苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶骨架和苯并噻吩并[3,2-d]嘧啶骨架中的一个;所述第一取代基与所述骨架的2位或4位键合,并且所述第二取代基与所述骨架的6位、7位、8位或9位键合。3.根据权利要求2所述的化合物,其中所述第一取代基与所述骨架的4位键合,并且所述第二取代基与所述骨架的8位键合。4.根据权利要求1所述的化合物,其中所述第一取代基和所述第二取代基都包括呋喃骨架,所述第一取代基和所述第二取代基都包括噻吩骨架,或者所述第一取代基和所述第二取代基都包括吡咯骨架。5.根据权利要求1所述的化合物,其中所述第一取代基包括二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架及咔唑骨架中的任一个,并且所述第二取代基包括二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架及咔唑骨架中的任一个。6.根据权利要求5所述的化合物,其中所述第一取代基和所述第二取代基都包括二苯并呋喃骨架,所述第一取代基和所述第二取代基都包括二苯并噻吩骨架,或者所述第一取代基和所述第二取代基都包括咔唑骨架。7.根据权利要求1所述的化合物,其中所述第一取代基和所述第二取代基是相同的取代基。8.根据权利要求1所述的化合物,其中以通式(G0)表示所述化合物:其中:Q表示氧或硫,A1及A2分别独立地表示取代或未取代的二苯并呋喃骨架、取代或未取代的二苯并噻吩骨架及取代或未取代的咔唑骨架中的任一个,R1至R4分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至7的环烷基及取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基中的任一个,α及β分别独立地表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基,m表示0至4的整数,并且n表示0至4的整数。9.根据权利要求8所述的化合物,其中以通式(G1)表示所述化合物:10.根据权利要求8所述的化合物,其中A1和A2都表示取代或未取代的二苯并呋喃骨架,A1和A2都表示取代或未取代的二苯并噻吩骨架,或者A1和A2都表示取代或未取代的咔唑骨架,并且α和β都表示亚苯基。11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:金元美树,井上英子,高桥辰义,木户裕允,濑尾哲史,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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