基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端，其中射频电路包括：PIFA天线电路、开关电路、低噪声放大电路、滤波电路和混频电路；PIFA天线电路的输出端与开关电路的输入端连接，开关电路的输出端与低噪声放大电路的输入端连接，低噪声放大电路的输出端与滤波电路的输入端连接，滤波电路的输出端与混频电路的输入端连接；混频电路的输出端并联有降噪网络。上述电路在一定程度上降低了噪声干扰，提升了接收机的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端
本专利技术涉及电路结构
，尤其涉及一种基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端。
技术介绍
物联网通过智能感知、识别技术与普适计算等通信感知技术广泛应用于网络的融合中，也因此被称为继计算机、互联网之后世界信息产业发展的第三次浪潮。物联网技术的飞速发展与应用，意味着对通信技术的要求越来越高，通讯信号的传输面临着越来越大的挑战。在射频电路中天线的选择、天线开关的设计和混频器的设计对接收机的灵敏度有很大影响，若设计不当，将会使得接收机灵敏度急剧下降。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端，能够在一定程度上优化电路体积，同时提升接收信号的信噪比，进而在一定程度上提升了调制解调器对信号的处理效果。本专利技术实施例的第一方面提供了一种信号处理电路，该电路包括：PIFA天线电路、开关电路、低噪声放大电路、滤波电路和混频电路；所述PIFA天线电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述滤波电路的输入端连接，所述滤波电路的输出端与所述混频电路的输入端连接；所述混频电路的输出端并联有降噪网络；所述PIFA天线电路包括：短路板、同轴内导体、同轴外导体、辐射片、地板和电容，所述辐射片平行设置于所述地板上方，所述辐射片左端的端部与所述地板左端的端部通过短路板连接，所述电容设置于地板中，所述同轴外导体竖直设置于所述地板左端下方并与所述电容的第一端连接，所述同轴内导体竖直设置于辐射片与地板之间，且同轴内导体的上端与辐射片左端下表面连接，同轴内导体的下端与所述电容的第二端连接。可选的，所述低噪声放大电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第一电源、第二电源和第三电源；所述第一电源的输出端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端和所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一场效应晶体管的漏极和所述第二场效应晶体管的源极连接，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端接地，所述第二电源的输出端与所述第二电容的第一端和所述第二场效应晶体管的栅极连接，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二场效应晶体管的漏极和所述第三电容的第一端和所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与所述第三电源的输出端连接。可选的，所述滤波电路包括第一滤波器件、第二滤波器件、第三滤波器件、第四滤波器件、第五滤波器件、第六滤波器件、第七滤波器件、第八滤波器件、第四电容、第五电容、第六电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第四电容的第一端与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第五电容的第一端和所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述第六电容的第一端和所述第五电阻的第一端和所述第一滤波器件的第一端连接，所述第一滤波器件的第二端与所述第二滤波器件的第一端、第三滤波器件的第一端和第四滤波器件的第一端连接，所述第四滤波器件的第二端与所述第五滤波器件的第一端连接，所述第五滤波器件的第二端与所述第六滤波器件的第一端、第七滤波器件的第一端和第八滤波器件的第一端连接，所述第八滤波器件的第二端与所述第六电阻的第一端连接，所述第四电容的第二端与所述第五电容的第二端、第六电阻的第二端、第五电阻的第二端、第二滤波器件的第二端、第三滤波器件的第二端、第六滤波器件的第二端、第七滤波器件的第二端和第六电阻的第二端连接。可选的，所述混频电路包括第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、第八场效应晶体管、第一降噪电路和第二降噪电路；所述第七晶体管的源极与所述第八晶体管的源极和地连接，所述第七晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极连接，所述第三晶体管的漏极与所述第一降噪电路连接，所述第四晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极连接，所述第八晶体管的漏极与所述第五晶体管的源极和所述第六晶体管的源极连接，所述第六晶体管的漏极与所述第二降噪电路连接。可选的，所述第一降噪电路包括第七电阻、第七电容和第一MCU；所述第七电容的第一端与所述第七电阻的第一端连接，且所述第七电容的第一端接地，所述第七电容的第二端与所述第七电阻的第二端连接，所述第一MCU与所述第七电容和第七电阻耦合。可选的，所述开关电路包括两路信号发射电路和四路信号接收电路，所述信号发射电路用于处理发射信号，信号接收电路用于处理接收信号。可选的，所述电路还包括保护电路，所述保护电路用于在所述天线遭受预设电压时为所述电路提供保护。本专利技术实施例的第二方面提供了一种芯片，该芯片包括处理器、电源电路和上述任第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所提供的信号处理电路。本专利技术实施例的第三方面提供了一种电路板，该电路板包括调制解调器、信号处理器和本专利技术实施例第二方面提供的芯片。本专利技术实施例的第四方面提供了一种物联网终端，该终端包括壳体和本专利技术实施例第三方面提供的电路板。本专利技术实施例具有如下有益效果：通过PIFA天线电路的设计，增加了电流路径，增大电长度，降低了天线的谐振频率，使得天线带宽增宽，同时满足了天线的机械强度。在低噪放的栅极和漏极并联反馈电路，能够很好地改善晶体管的稳定性，此外，反馈的效应使输入和输出更易匹配。在混频电路前串联低通滤波电路与声表面滤波电路串联形成的滤波电路，能够有效滤除噪声，提升信噪比。在混频电路的输出端并联降噪网络，能够进一步降低电路中的噪声，从而降低干扰对信号的影响，提升接收机的灵敏度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为本专利技术实施例提供的一种信号处理电路；图2为本专利技术实施例提供的一种PIFA天线电路的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种低噪声放大电路结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种滤波电路结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种双平衡混频电路结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种可能的降噪结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种保护电路结构示意图；图8为本专利技术实施例提供了芯片的一种可能的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供了电路板的一种可能的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种信号处理电路，其特征在于，应用于物联网终端，所述电路包括：PIFA天线电路、开关电路、低噪声放大电路、滤波电路和混频电路；所述PIFA天线电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述滤波电路的输入端连接，所述滤波电路的输出端与所述混频电路的输入端连接；所述混频电路的输出端并联有降噪网络；所述PIFA天线电路包括：短路板、同轴内导体、同轴外导体、辐射片、地板和电容，所述辐射片平行设置于所述地板上方，所述辐射片左端的端部与所述地板左端的端部通过短路板连接，所述电容设置于地板中，所述同轴外导体竖直设置于所述地板左端下方并与所述电容的第一端连接，所述同轴内导体竖直设置于辐射片与地板之间，且同轴内导体的上端与辐射片左端下表面连接，同轴内导体的下端与所述电容的第二端连接。

【技术特征摘要】
1.一种信号处理电路，其特征在于，应用于物联网终端，所述电路包括：PIFA天线电路、开关电路、低噪声放大电路、滤波电路和混频电路；所述PIFA天线电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述滤波电路的输入端连接，所述滤波电路的输出端与所述混频电路的输入端连接；所述混频电路的输出端并联有降噪网络；所述PIFA天线电路包括：短路板、同轴内导体、同轴外导体、辐射片、地板和电容，所述辐射片平行设置于所述地板上方，所述辐射片左端的端部与所述地板左端的端部通过短路板连接，所述电容设置于地板中，所述同轴外导体竖直设置于所述地板左端下方并与所述电容的第一端连接，所述同轴内导体竖直设置于辐射片与地板之间，且同轴内导体的上端与辐射片左端下表面连接，同轴内导体的下端与所述电容的第二端连接。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低噪声放大电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第一电源、第二电源和第三电源；所述第一电源的输出端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端和所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一场效应晶体管的漏极和所述第二场效应晶体管的源极连接，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端接地，所述第二电源的输出端与所述第二电容的第一端和所述第二场效应晶体管的栅极连接，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二场效应晶体管的漏极和所述第三电容的第一端和所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与所述第三电源的输出端连接。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述滤波电路包括第一滤波器件、第二滤波器件、第三滤波器件、第四滤波器件、第五滤波器件、第六滤波器件、第七滤波器件、第八滤波器件、第四电容、第五电容、第六电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第四电容的第一端与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第五电容的第一端和所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜光东，
申请(专利权)人：深圳市盛路物联通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44