等离子体增强化学气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括：真空腔体(10)，设置有多个加热元件；加热台(20)，设置在真空腔体的内部；匀气装置(30)，设置在真空腔体的内部，并位于加热台的上方，且朝向加热台出气；以及进气装置(40)，设置在真空腔体的外部，并与匀气装置相通，所述等离子体增强化学气相沉积设备还包括：通孔(11)，设置所述真空腔体(10)的位置高于所述加热台(20)的腔壁上，并且通过透明密封件(50)而与真空腔体实现密封连接，以及红外热像仪(60)，其设置在真空腔体的外侧，并经由透明密封件对加热台的温度进行探测。本实用新型专利技术的等离子体增强化学气相沉积设备的操作简单，且测量范围比较广，测量结果更加准确。

Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment

The utility model discloses a plasma enhanced chemical vapor deposition device, which comprises a vacuum chamber (10) with a plurality of heating elements, a heating table (20) with an inner part of the vacuum chamber, a homogenizing device (30) with an inner part of the vacuum chamber and above the heating table, and a gas outlet toward the heating table, and an inlet and outlet thereof. The plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) device also includes a through hole (11), a vacuum chamber (10) is positioned above the cavity wall of the heating table (20), and is sealed with the vacuum chamber by a transparent seal (50). And infrared thermal imager (60), which is located outside the vacuum chamber, and through a transparent seal to detect the temperature of the heating table. The plasma enhanced chemical vapor deposition device of the utility model has the advantages of simple operation, wide measuring range and more accurate measuring results.

【技术实现步骤摘要】
等离子体增强化学气相沉积设备
本技术涉及材料制备
，尤其涉及一种等离子体增强化学气相沉积设备。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积系统是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，并利用等离子体化学活性强而很容易发生反应的特性，从而在基片上沉积出所期望的薄膜。利用低温等离子体作为能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电或另外设置发热体使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体通过一系列的化学反应和等离子体反应，从而在样品表面形成固态薄膜。等离子体增强型化学气相沉积系统对基片的温度要求很严格，均匀的反应温度是保证薄膜膜层均匀的必要条件。目前存在的诸多系统中，多采用加热载片台的方式对基片进行加热，使基片达到所需要的设定温度，但是在基片尺寸比较大的系统中，载片台的加热范围较大，很容易造成基片局部加热不充分或局部温度过大，导致表面成膜厚度不均匀，影响工艺结果。为了检测加热台的表面温度是否达到预先设定的温度以及温度分布是否均匀，在一些设备上是采用在加热台表面的不同区域粘贴几个测温热电偶，通过热电偶传递加热台局部温度，该种操作方法操作比较复杂，且探测温度区域比较狭小，只能探测到粘贴的某一点的温度，容易造成测量结果的误差，因此需要设计一种操作方便且测量准确、结果直观的方法来监测加热台表面的温度场。也就是说，需要提出一种操作简单、测量范围广且结果准确的等离子体增强化学气相沉积设备。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括：真空腔体，其内设置有多个加热元件；加热台，其设置在所述真空腔体的内部；匀气装置，其设置在所述真空腔体的内部，并位于所述加热台的上方，且朝向所述加热台出气；以及进气装置，其设置在所述真空腔体的外部，并与所述匀气装置相通，所述等离子体增强化学气相沉积设备还包括：通孔，其设置所述真空腔体的位置高于所述加热台的腔壁上，并且通过透明密封件与所述真空腔体实现密封连接，以及红外热像仪，其设置在所述真空腔体的外侧，并经由所述透明密封件对所述加热台的温度进行探测。本技术的等离子体增强化学气相沉积设备操作简单，无需单独打开真空腔体粘贴测温热电偶，且测量范围比较广，测量出来的结果较准确。在本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，优选为，所述红外热像仪包括红外探测摄像头、控制器和控制计算机，所述红外探测摄像头与所述通孔对准，经由所述透明密封件对所述真空腔体的内部进行红外线摄像，从而对温度进行探测。在本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，优选为，所述通孔的中心轴线延伸穿过所述加热台。在本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，优选为，所述通孔为台阶状的阶梯孔，包括粗径部、细径部以及位于所述粗径部和所述细径部之间的台阶面，所述细径部从所述台阶面朝向所述真空腔体内延伸，所述粗径部朝向所述真空腔体外延伸，所述透明密封件安装在所述台阶面上在本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，优选为，所述台阶面上设有密封槽，所述密封槽内设有密封圈，所述透明密封件通过中空法兰盘抵压在所述密封圈上。在本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，优选为，所述真空腔体包括上端开口的圆柱形凹槽和腔室上盖，所述腔室上盖封盖所述圆柱形凹槽，所述匀气装置设置在所述腔室上盖上。在本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，优选为，所述真空腔体为长方体，所述长方体在靠近所述腔室上盖的顶角处形成斜面，所述通孔设置在所述斜面上。在本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，优选为，所述通孔的中心轴线垂直于所述斜面。在本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，优选为，所述等离子体增强化学气相沉积设备还包括升降调节机构，其设置在所述真空腔体的底部，所述升降调节机构包括升降杆，所述升降杆的一端与所述加热台连接，所述升降杆的另一端伸出到所述真空腔体外。通过上述技术方案，本技术通过在真空腔体的腔壁上设置通孔，并通过透明密封件对通孔进行密封。红外热像仪安装在真空腔体的外部，可以通过透明密封件和通孔，调节其与真空腔体之间的距离，使得本技术的等离子体增强化学气相沉积设备操作简单，无需单独打开真空腔体粘贴测温热电偶，且红外热像仪可以探测其大范围的温度，测量出来的结果较准确。附图说明图1是本技术的等离子体增强化学气相沉积设备的立体图；图2是本技术的等离子体增强化学气相沉积设备的局部剖视图；图3是本技术的等离子体增强化学气相沉积设备的真空腔体的立体图。附图标记：10～真空腔体；11～通孔；12～圆柱形凹槽；13～腔室上盖；14～斜面；15～螺纹安装孔；20～加热台；30～匀气装置；40～进气装置；41～中空法兰盘；50～透明密封件；60～红外热像仪；61～红外探测摄像头；62～控制器；63～控制计算机；70～升降调节机构；71～升降杆；111～粗径部；112～细径部；113～密封槽；100～晶片。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“水平”、“竖直”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1至图3所示，本技术的等离子体增强化学气相沉积设备，包括：真空腔体10，其内设置有多个加热元件；加热台20，其设置在真空腔体10的内部；匀气装置30，其设置在真空腔体10的内部，并位于加热台20的上方，且朝向加热台20导出气体；以及进气装置40，其设置在真空腔体10的外部，并与匀气装置30相通。本技术的等离子体增强化学气相沉积设备还包括：通孔11，其设置真空腔体10的位置高于加热台20的腔壁上，并且通过透明密封件50与真空腔体10实现密封连接，以及红外热像仪60，其设置在真空腔体10的外侧，并经由透明密封件50对加热台20的温度进行探测。本技术的等离子体增强化学气相沉积设备中，加热台20是整个设备的载片装置，如图2所示，加热台20的形状呈圆盘状，内部布满加热丝和测温的热电偶，上表面有晶片凹槽，晶片100可放置在该晶片凹槽内。在进行镀膜反应时，加热台20内部的加热丝开始加热，直到热电偶显示温度达到预设温度。在此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括：真空腔体(10)，其内设置有多个加热元件；加热台(20)，其设置在所述真空腔体(10)的内部；匀气装置(30)，其设置在所述真空腔体(10)的内部，并位于所述加热台(20)的上方，且朝向所述加热台(20)出气；以及进气装置(40)，其设置在所述真空腔体(10)的外部，并与所述匀气装置(30)相通，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积设备还包括：通孔(11)，其设置所述真空腔体(10)的位置高于所述加热台(20)的腔壁上，并且通过透明密封件(50)与所述真空腔体(10)实现密封连接，以及红外热像仪(60)，其设置在所述真空腔体(10)的外侧，并经由所述透明密封件(50)对所述加热台(20)的温度进行探测。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括：真空腔体(10)，其内设置有多个加热元件；加热台(20)，其设置在所述真空腔体(10)的内部；匀气装置(30)，其设置在所述真空腔体(10)的内部，并位于所述加热台(20)的上方，且朝向所述加热台(20)出气；以及进气装置(40)，其设置在所述真空腔体(10)的外部，并与所述匀气装置(30)相通，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积设备还包括：通孔(11)，其设置所述真空腔体(10)的位置高于所述加热台(20)的腔壁上，并且通过透明密封件(50)与所述真空腔体(10)实现密封连接，以及红外热像仪(60)，其设置在所述真空腔体(10)的外侧，并经由所述透明密封件(50)对所述加热台(20)的温度进行探测。2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述红外热像仪(60)包括红外探测摄像头(61)、控制器(62)和控制计算机(63)，所述红外探测摄像头(61)与所述通孔(11)对准，经由所述透明密封件(50)对所述真空腔体(10)的内部进行红外线摄像，从而对温度进行探测。3.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述通孔(11)的中心轴线延伸穿过所述加热台(20)。4.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述通孔(11)为台阶状的阶梯孔，包括粗径部(111)、细径部(112)以及位于所述粗径部(111)和所述细径部(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡冬冬，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32