掩模组件的制造方法技术

本发明专利技术涉及能够提升图案精度的掩模组件的制造方法，该方法包括以下步骤：准备载体衬底；在载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；在载体衬底和第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在载体衬底上沉积金属层；去除布置在第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模，其中，第一光致抗蚀剂为正(positive)性光致抗蚀剂，而第二光致抗蚀剂为负(negative)性光致抗蚀剂。

Manufacturing method of mask module

The invention relates to a manufacturing method of a mask assembly capable of improving the pattern accuracy, including the following steps: preparing the carrier substrate, coating the first photoinduced anticorrosion on the carrier substrate, patterning the first photoinduced anticorrosion agent to form a first photoresist pattern, coating the carrier substrate and the first photoinduced anticorrosion agent. Second photoresist; patterned second photoresist to form a second photoresist pattern; depositing a metal layer on the carrier substrate; removing the metal layer arranged on the first photoresist pattern and the second photoinduced anticorrosive pattern; and separating the carrier substrate from the gold layer to make a split mask, The first photoresist is positive photoresist, and the second photoresist is negative photoresist.

【技术实现步骤摘要】
掩模组件的制造方法
本专利技术涉及掩模组件的制造方法，尤其涉及能够提高沉积精度的掩模组件的制造方法。
技术介绍
有机发光显示装置(organiclightemittingdiodedisplay)是具有发射光的有机发光器件并显示图像的自发光型显示装置。不同于液晶显示装置(liquidcrystaldisplay)，有机发光显示装置不需要额外的光源，因此具有相对小的厚度和重量。此外，有机发光显示装置因具有消耗电力低、亮度高以及反应速度快等高品质特性而作为便携式电子设备的下一代显示装置而备受瞩目。有机发光显示装置通过使注入到阳极和阴极的空穴和电子在发光层中再结合来发射光，从而实现色彩，并且具有发光层插置于阳极与阴极之间的叠层型结构。然而，由于通过上述结构难以实现高效率发光，因此选择性地将电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层等中间层附加地插入到各个电极与发光层之间来使用。另外，有机发光显示装置的电极以及包括发光层的中间层可通过各种方法来形成，而其中的一种方法为沉积法。为了使用沉积法制造有机发光显示装置，使用具有与待形成在衬底上的薄膜的图案相同的图案的精细金属掩模(FineMetalMask；FMM)。精细金属掩模(FMM)对齐到衬底上，并且在衬底上通过沉积构成薄膜的物质来图案化薄膜。此时，为了制造高分辨率的显示器，正在进行着对于制造能够提高沉积精度的掩模组件的研究。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供能够提高沉积精度的掩模组件的制造方法。用于实现如上所述的目的的、根据本专利技术的掩模组件制造方法包括以下步骤：准备载体衬底；在载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；在载体衬底和第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在载体衬底上沉积金属层；去除布置在第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模，其中，第一光致抗蚀剂为正(positive)性光致抗蚀剂，且第二光致抗蚀剂为负(negative)性光致抗蚀剂。在对第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案的步骤中，第一光致抗蚀剂图案的侧面可与载体衬底构成钝角。在对第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案的步骤中，第二光致抗蚀剂图案的侧面可与载体衬底构成锐角。第一光致抗蚀剂图案的上表面的面积可小于第二光致抗蚀剂图案的上表面的面积。第一光致抗蚀剂图案的下表面的面积可大于第一光致抗蚀剂图案的上表面的面积。第二光致抗蚀剂图案的上表面的面积可大于第二光致抗蚀剂图案的下表面的面积。分割掩模的厚度可以是50μm以下。金属层可由26％以上且46％以下的镍(Ni)、10％以下的钴(Co)和44％以上且74％以下的铁(Fe)构成。在载体衬底上沉积金属层的步骤中，布置在第二光致抗蚀剂图案上的金属层与直接接触载体衬底的金属层可分隔开。将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模的步骤可包括以下步骤：对载体衬底照射激光。在载体衬底上沉积金属层的步骤中，可采用电子束真空沉积法(E-beamEvaporation)。根据本专利技术的掩模组件制造方法还包括以下步骤：将分割掩模布置在掩模框架上；以及将分割掩模固定至掩模框架。将分割掩模固定至掩模框架的步骤可包括以下步骤：将分割掩模焊接至掩模框架。根据本专利技术的掩模组件制造方法能够减少形成在分割掩模上的坎状部，从而能够提高掩模组件的沉积精度。附图说明图1是根据本专利技术一实施方式的掩模组件的平面图。图2是根据本专利技术一实施方式的分割掩模的立体图。图3a至图3j是示出根据本专利技术另一实施方式的分割掩模的制造工艺的视图。具体实施方式参照在下文中结合附图详细描述的实施方式，本专利技术的优点和特征以及实现它们的方法将变得明确。然而，本专利技术并不限于下文中所公开的实施方式，而是可实现为彼此不同的各种形态。本实施方式仅仅是为了使本专利技术的公开完整并且将专利技术的范围完整地告知给本专利技术所属
的普通技术人员而被提供的。本专利技术仅由权利要求书的范围来限定。因此，在一些实施方式中，为了避免模糊地解释本专利技术，将不具体说明众所周知的工艺步骤、众所周知的器件结构和众所周知的技术。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的构成要素。在附图中，为了明确地表现多个层和区域，厚度被放大示出。在整个说明书中，对相似的部分指定了相同的附图标记。当层、膜、区域、板等部分被称为位于其它部分“上”时，不仅包括“直接”位于其它部分“上”的情况，而且也包括其中间存在另外的其它部分的情况。相反，当某一部分被称为“直接”位于其它部分“上”时，则意味着中间不存在其它部分。此外，当层、膜、区域、板等部分被称为位于其它部分“下”时，不仅包括“直接”位于其它部分“下”的情况，而且也包括其中间存在另外的其它部分的情况。相反，当某一部分被称为“直接”位于其它部分“下”时，则意味着中间不存在其它部分。“下方(below)”、“之下(beneath)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等空间相对用语如图中所示可用于容易地阐述一个器件或构成要素与其它器件或构成要素的相关关系。空间相对用语应理解为包括图中所示的方向以及器件在使用时或操作时的彼此不同的方向的用语。例如，在图中所示的器件被翻转的情况下，被记载为位于其它器件“下方(below)”或“之下(beneath)”的器件可放置在其它器件“上方(above)”。因此，作为示例性用语的“下方”可包括上方向和下方向两者。器件也可定向在其它方向上，因此空间相对用语可根据定向进行解释。虽然第一、第二、第三等用语可在本说明书中用于说明各种构成要素，但是这些构成要素并不由上述用语限定。上述用语用于将一个构成要素与其它构成要素区分开的目的。例如，在不背离本专利技术的权利范围的情况下，第一构成要素可被命名为第二构成要素或第三构成要素等，且类似地，第二构成要素或第三构成要素也可相互交换命名。除非另有定义，否则本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以以本专利技术所属
的普通技术人员所能够共同理解的含义来使用。此外，除非明确地特别定义，否则不应理想化地或过度地解释常用词典中所定义的术语。下文中，参照图1和图2对本专利技术一实施方式进行详细说明。图1是根据本专利技术一实施方式的掩模组件10的平面图，并且图2是根据本专利技术一实施方式的分割掩模100的立体图。参照图1和图2，掩模组件10包括多个分割掩模100和掩模框架200。分割掩模100可包括本体部110和夹持部120。本体部110可包括开口图案111。开口图案111可布置成沿着分割掩模100的长度方向(X方向)彼此相隔开。开口图案111包括多个开口部112。分割掩模100通过开口部112在厚度方向上被贯穿。开口部112各自可形成为与待沉积到沉积用衬底上的薄膜形状对应的形状，其中，在有机发光器件的制造工艺中，沉积用衬底布置在分割掩模100上。由此，在沉积工艺中，沉积物质可经由开口部112沉积到沉积用衬底上，从而形成期望形状的薄膜。如图1和图2中所示，开口部112可以是四边形形状。但并不限于此，并且开口部112可以是圆形状、条形状等各种形状。夹持部120位于本体部110的两端部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.掩模组件制造方法，包括以下步骤：准备载体衬底；在所述载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对所述第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；所述载体衬底和所述第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对所述第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在所述载体衬底上沉积金属层；去除布置在所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将所述载体衬底与所述金属层分离以制造分割掩模，其中，所述第一光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂，且所述第二光致抗蚀剂为负性光致抗蚀剂。

【技术特征摘要】
2017.01.31 KR 10-2017-00141021.掩模组件制造方法，包括以下步骤：准备载体衬底；在所述载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对所述第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；所述载体衬底和所述第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对所述第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在所述载体衬底上沉积金属层；去除布置在所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将所述载体衬底与所述金属层分离以制造分割掩模，其中，所述第一光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂，且所述第二光致抗蚀剂为负性光致抗蚀剂。2.如权利要求1所述的掩模组件制造方法，其中，在对所述第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案的步骤中，所述第一光致抗蚀剂图案的侧面与所述载体衬底构成钝角。3.如权利要求1所述的掩模组件制造方法，其中，在对所述第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案的步骤中，所述第二光致抗蚀剂图案的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金桢国，任星淳，黄圭焕，金圣哲，文英慜，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR