【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过在溅射气体混合物中使用痕量原位清洁气体改善离子布植等离子体浸没枪(PFG)性能
本公开大体上涉及离子布植设施及过程，且更明确来说涉及用于改善离子布植等离子体浸没枪性能的设备及方法。
技术介绍
在半导体制造领域中，离子布植是半导体装置制造的基本单元操作。离子布植设施可具有变化多端的类型，且可包含束离子布植系统、等离子体浸入系统及其它可变类型的系统。在使用束离子布植系统时，带正电荷的离子撞击被布植的晶片衬底，且这个撞击可导致正电荷积聚在晶片衬底的绝缘区域上，从而产生正表面电势。晶片充电也可由来自晶片衬底的电子的次级发射引起。晶片衬底表面电荷可足够强而不利地影响或甚至永久损坏晶片的集成电路特征，例如薄膜晶体管(TFT)电路。等离子体浸没枪设备可用以通过产生包括低能量电子的等离子体使得低能量电子可分配到离子束中且传输到晶片表面以中和原本将发生的电荷积聚来解决此表面电荷积聚。等离子体浸没枪设备可具有不同类型，但典型地包括布置有离子化细丝元件且耦合到由螺线管线圈外接的等离子体管且与离子束室连通的弧室。弧室中的离子化细丝元件由耐火金属(通常为钨)形成，且用以形成低能量电子等...
【技术保护点】
1.一种用于将气体输送到等离子体浸没枪的气体供应组合件，其包括：流体供应包装，其经配置以将惰性气体输送到等离子体浸没枪以用于产生惰性气体等离子体，所述惰性气体等离子体包含在离子布植操作中用于调制衬底的表面电荷的电子；及清洁气体，其在所述惰性气体流体供应包装中与所述惰性气体混合，或在经配置以相对于输送惰性气体到所述等离子体浸没枪而将清洁气体同时或依序输送到所述等离子体浸没枪的单独清洁气体供应包装中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.27 US 62/271,2781.一种用于将气体输送到等离子体浸没枪的气体供应组合件，其包括：流体供应包装，其经配置以将惰性气体输送到等离子体浸没枪以用于产生惰性气体等离子体，所述惰性气体等离子体包含在离子布植操作中用于调制衬底的表面电荷的电子；及清洁气体，其在所述惰性气体流体供应包装中与所述惰性气体混合，或在经配置以相对于输送惰性气体到所述等离子体浸没枪而将清洁气体同时或依序输送到所述等离子体浸没枪的单独清洁气体供应包装中。2.根据权利要求1所述的气体供应组合件，其中所述清洁气体是在所述惰性气体流体供应包装中与所述惰性气体混合。3.根据权利要求1所述的气体供应组合件，其中所述清洁气体是在单独清洁气体供应包装中，且所述组合件进一步包括流动回路，所述流动回路经配置以从所述清洁气体供应包装接收清洁气体且从所述惰性气体流体供应包装接收惰性气体以使其混合，以形成用于施配到所述等离子体浸没枪的清洁气体及惰性气体的混合物。4.根据权利要求3所述的气体供应组合件，其中所述流动回路包括混合室，所述混合室经布置以从清洁气体及惰性气体的相应流体供应包装接收所述清洁气体及所述惰性气体以使其混合，以形成用于施配到所述等离子体浸没枪的清洁气体及惰性气体的所述混合物。5.根据权利要求3所述的气体供应组合件，其中所述流动回路包括阀门，所述阀门经配置以选择性地实现所述混合室中的所述清洁气体及所述惰性气体的混合，且替代地选择性地使所述清洁气体及所述惰性气体能够分别流动到所述等离子体浸没枪。6.根据权利要求3所述的气体供应组合件，其进一步包括处理器，所述处理器经配置以控制从所述清洁气体供应包装施配清洁气体，及从所述惰性气体供应包装施配惰性气体。7.根据权利要求6所述的气体供应组合件，其中所述处理器经配置以控制惰性气体的施配，使得在离子布植期间连续地施配惰性气体，且所述处理器经配置以控制清洁气体的施配，使得在惰性气体的施配期间间歇地施配清洁气体，或使得在惰性气体的施配之后依序施配清洁气体。8.根据权利要求1所述的气体供应组合件，其中所述清洁气体自所述等离子体浸没枪中的材料沉积物有效地产生挥发性反应产物气体、实现所述等离子体浸没枪中的等离子体产生细丝的再金属化，或两者。9.根据权利要求1所述的气体供应组合件，其中所述清洁气体包括选自由F2、O2、H2、HF、SiF4、G...
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