氖气回收/净化系统和氖气回收/净化方法技术方案

披露了一种氖气回收/净化系统，该氖气回收/净化系统包括：回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存排放气体，该排放气体路径从排放管线分支并延伸；将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力的压缩机；调节已经被该压缩机升高压力的排放气体的流量的排放气体流量调节单元；从该排放气体中去除第一杂质的第一杂质去除单元；从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质的第二杂质去除单元；储存已经被该第一杂质去除单元和该第二杂质去除单元处理过的经净化气体的升压器皿；将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力的减压阀；以及调节被供应至制造系统的供应管线的经净化气体的流量的经净化气体流量调节单元。

Neon recovery / purification system and neon recovery / purification method

A neon recovery / purification system is disclosed. The neon recovery / purification system includes a recycling utensil, which is arranged on the discharge gas path and stores the gas. The discharge gas path is branched and extended from the discharge line; the pressure of the discharge gas sent from the recycling vessel is raised to third pressure. A compressor; a discharge gas flow regulating unit that regulates the flow of a discharge gas that has been raised by the compressor; a first impurity removal unit is removed from the discharge gas; a second impurity removal unit is removed from the emission gas that has been removed from the first impurity; storage has already been stored. The first impurity removal unit and the purified gas treated by the second impurity removal unit, the pressure reducing valve of the purified gas sent from the lift vessel to the first pressure, and the purified gas flow for regulating the flow of the purified gas supplied to the supply line of the manufacturing system. The adjustment unit.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氖气回收/净化系统和氖气回收/净化方法本专利技术涉及一种从例如安装有准分子激光器的半导体制造设备所排出的排放气体中回收并净化氖气的系统，并且涉及一种安装在安装有半导体制造设备的工厂中的系统、以及氖气回收/净化方法。JP-A-2001-232134描述了一种示例性氖气回收设备，该设备从KrF准分子激光振荡器所排出的气体中回收高纯度氖气。此外，JP-A-2010-241686描述了，当从使用氪气、氙气和氖气中的至少一种高附加值气体作为大气气体的半导体产品或显示设备制造设施所排出的排放气体中分离并净化该高附加值气体以便回收时，有效地去除了排放气体中所含的轻微量的杂质，例如氮氧化物、氨气、氧气、氮气、氢气、氦气、以及水分，并且连续地分离并净化该高附加值气体以进行高回收率回收。在JP-A-2001-232134中描述了以下内容。因为一个工厂中的KrF准分子激光振荡器所排出的排放气体的量不大，因此与在每个工厂安装一个氖气回收设备作为设施相比，将若干工厂的排放气体放到一起进行净化是更高效的。因此，排放气体被一次储存在气瓶中、并被运输到另一个气体净化工厂。接着，由安装在该气体净化工厂中的氖气回收设备对运输的气体一起进行氖气回收工艺。以此方式，实现了高效的回收。在JP-A-2010-241686中描述了以下内容。使用吸附剂从半导体制造设施所排出的排放气体中去除氨气和水分。随后，将高附加值气体(例如氖气)从排放气体中选择性吸附到吸附剂上，并且将该高附加值气体脱附。进一步，使用不容易吸附高附加值气体(氖气)的吸附剂通过吸附来去除杂质。以此方式，将高附加值气体分离并净化。即，除了吸附高附加值气体之外的杂质外，甚至选择性地吸附高附加值气体。因此，复杂的步骤是必需的，并且分离和净化的成本会不可避免地高。本专利技术是在上述实际情形下作出的、具有的目的是提供一种氖气回收/净化系统，该氖气回收/净化系统能够连接至例如半导体制造设备等制造系统上、从该制造系统所排出的排放气体中回收氖气、并且将所回收的氖气供应至该制造系统，而不需要不必要地分离和净化杂质、同时采用的是比常规配置更简单的系统配置。根据第一专利技术的一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：-回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；-压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；-排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且调节被送到该排放气体路径下游侧且已经被该压缩机升高压力的排放气体的流量；-第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；-第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；-升压器皿，该升压器皿被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且储存已经被该第一杂质去除单元和该第二杂质去除单元处理过的经净化气体；-减压装置，该减压装置被安排在该升压器皿的经净化气体路径下游侧、并且将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及-经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。根据这种配置，因为提供了该回收器皿，因此可以储存排放气体。接着，当排放气体的量达到给定量时，排放气体的压力可以被该压缩机升高到等于或大于该第一压力的给定压力，并且该排放气体可以被该排放气体流量调节单元以给定的流量连续送至该第一杂质去除单元和下一级的第二杂质去除单元。因此，杂质去除过程的表现可以保证，并且可以有利地获得经净化气体：氖气。进一步，该经净化气体可以被储存在升压器皿中。接着，当经净化气体的量达到给定量时，经净化气体的压力可以被该减压装置减小至该第一压力，并且该经净化气体可以被该经净化气体流量调节单元以给定的流量送至该供应管线。因此，可以高准确性地控制混合惰性气体与经净化气体的混合。其结果是，能够连接至制造系统例如半导体制造设备上、从排放气体中分离出除氖气外的不同组分、有利地回收氖气、并且将所回收的氖气再次供应至该制造系统，同时采用比常规配置更简单的配置。根据第二专利技术的一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：-回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；-压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；-升压器皿，该升压器皿被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且储存已经被该压缩机升高压力的排放气体；-排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该升压器皿的排放气体路径下游侧、并且调节被送至该排放气体路径下游侧的排放气体的流量；-第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；-第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；-减压装置，该减压装置被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且将从该第二杂质去除单元送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及-经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。根据这种配置，因为提供了该回收器皿，因此可以储存排放气体。接着，当排放气体的量达到给定量时，排放气体的压力可以被该压缩机升高到等于或大于该第一压力的给定压力，所得的排放气体可以被储存在该升压器皿中，并且所储存的排放气体可以被该排放气体流量调节单元以给定的流量连续送至该第一杂质去除单元和下一级的第二杂质去除单元。因此，杂质去除过程的表现可以保证，并且可以有利地获得经净化气体：氖气。进一步，经净化气体的压力可以被安排在下一级的第二杂质去除单元中的减压装置减小至该第一压力，并且该经净化气体可以被该经净化气体流量调节单元以给定的流量送至该供应管线。因此，可以高准确性地控制混合惰性气体与经净化气体的混合。其结果是，能够连接至制造系统例如半导体制造设备上、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：‑回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；‑压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；‑排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且调节被送到该排放气体路径下游侧且已经被该压缩机升高压力的排放气体的流量；‑第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；‑第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；‑升压器皿，该升压器皿被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且储存已经被该第一杂质去除单元和该第二杂质去除单元处理过的经净化气体；‑减压装置，该减压装置被安排在该升压器皿的经净化气体路径下游侧、并且将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及‑经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.30 JP 2015-2141291.一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：-回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；-压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；-排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且调节被送到该排放气体路径下游侧且已经被该压缩机升高压力的排放气体的流量；-第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；-第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；-升压器皿，该升压器皿被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且储存已经被该第一杂质去除单元和该第二杂质去除单元处理过的经净化气体；-减压装置，该减压装置被安排在该升压器皿的经净化气体路径下游侧、并且将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及-经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。2.一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：-回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；-压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；-升压器皿，该升压器皿被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且储存已经被该压缩机升高压力的排放气体；-排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该升压器皿的排放气体路径下游侧、并且调节被送至该排放气体路径下游侧的排放气体的流量；-第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；-第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；-减压装置，该减压装置被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且将从该第二杂质去除单元送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及-经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。3.根据权利要求1或2所述的氖气回收/净化系统，进一步包括通气路径，该通气路径是用于将从该第二杂质去除单元送出的经净化气体排出至大气中的路径。4.根据权利要求1至3中任一项所述的氖气回收/净化系统，其中，该第一惰性气体是氪气(Kr)。5.根据权利要求1至3中任一项所述的氖气回收/净化系统，其中，-该第一惰性气体是氩气(Ar)，-该混合惰性气体进一步包含氙气(Xe)作为第二惰性气体，并且-该氖气回收/净化系统进一步包括：■去除氙气的氙气去除单元，该氙气去除单元位于该第一杂质去除单元与该第二杂质去除单元之间；以及■辅助惰性气体供应路径，该辅助惰性气体供应路径将氖气与氙气的辅助惰性气体供应至该经净化气体路径的、在该经净化气体流量调节单元的经净化气体路径下游侧的位置处。6.根据权利要求5所述的氖气回收/净化系统，进一步包括：-辅助器皿，该辅助器皿被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且储存氖气与氙气的辅助惰性气体；-辅助惰性气体减压阀，该辅助惰性气体减压阀被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且将从该辅助器皿送出的辅助惰性气体的压力减小至该第一压力；以及-辅助惰性气体流量调节单元，该辅助惰性气体流量调节单元被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且控制该辅助惰性气体的供应量。7.根据权利要求1至6中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木清香，小浦辉政，野泽史和，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR