一种DC-DC逆变电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种DC‑DC逆变电路，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路。本实用新型专利技术提供的DC‑DC逆变电路，可以作为车载功放的供电电路，提供适应多种需求的供电电压，以适应不同的应用场景。

A DC-DC inverter circuit

The utility model discloses a DC inverter DC inverter circuit, including an exciting drive integrated circuit, a parallel push-pull circuit, an absorption circuit and a voltage variable output circuit, which includes a power supply circuit, a voltage divider circuit, a exciting drive integrated core and a dead time control circuit, and the power supply is supplied. The circuit includes resistance R1, voltage regulator D1, resistance R2, triode Q1, resistance R3, resistance R4 and transistor Q2, which include resistance R5 and resistance R6. The dead time control circuit includes resistance R7, resistance R8, resistance R9 and capacitance, and the parallel push-pull circuit includes two push-pull circuits. The DC inverter circuit provided by the utility model can be used as the power supply circuit for the vehicle amplifier, and provides the power supply voltage suitable for various needs to adapt to different application scenes.

【技术实现步骤摘要】
一种DC-DC逆变电路
本技术涉及逆变电路
，具体为一种DC-DC逆变电路。
技术介绍
随着汽车的广泛普及，汽车用品的使用也大大增加，车载功能越来越多样化，然后，现有的车载功放供电电路还有很多不足，不能适应功能多样化的需求，因此，需要对其控制电路做一定的改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种DC-DC逆变电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种DC-DC逆变电路，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路包括三极管Q3、MOS管Q4、二极管D2、电阻R11、电阻R10、电阻R12、三极管Q5、三极管Q6和电阻R13，与所述他激式驱动集成芯片的第九脚连接，另一路包括三极管Q7、MOS管Q8、二极管D3、电阻R14、电阻R15、电阻R16、三极管Q9、三极管Q10和电阻R17，与所述他激式驱动集成芯片的第十脚连接，所述吸收电路包括电容C2、电容C3和电阻R18，所述变压输出电路包括变压器T1、二极管D4、二极管D5、MOS管Q11、三极管Q12、稳压管D7、二极管D9、MOS管Q14、稳压管D8、三极管Q13和双向触发二极管D6。优选地，所述供电电路中，所述电阻R1、稳压管D1和电阻R2依次串联连接，所述稳压管D1和电阻R2的串接点连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接至所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极和基极之间串接有所述电阻R3，所述三极管Q2的集电极连接至所述分压电路。优选地，所述分压电路中，所述电阻R5和电阻R6串联连接，串接点连接至所述三极管Q2的集电极，所述电阻R6的另一端连接至所述他激式驱动集成芯片的第二脚。优选地，所述死区时间控制电路中，所述电阻R7和电阻R9串联连接，串接点连接至所述电阻R8，所述电阻R8和电容C1串联连接，串接点连接至所述他激式驱动集成芯片的第四脚。优选地，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路推挽电路中，所述三极管Q3和MOS管Q4串联连接，串接点连接至二极管D2，所述二极管D2和电阻R10串联连接，所述三极管Q5和三极管Q6串联连接，所述三极管Q5的基极和三极管Q6的基极连接，连接点和电阻R10另一端连接，所述三极管Q5的基极与三极管Q6的基极的连接点和所述三极管Q5的发射极与三极管Q6的发射极的连接点之间串联连接所述电阻R12，所述三极管Q5的发射极和三极管Q6的发射极的连接点连接电阻R13，所述电阻R11和二极管D2并联连接。优选地，另一路推挽电路中，所述三极管Q7和MOS管Q8串联连接，串接点连接至二极管D3，所述二极管D3和电阻R14串联连接，所述三极管Q9和三极管Q10串联连接，所述三极管Q9的基极和三极管Q10的基极连接，连接点和电阻R14另一端连接，所述三极管Q9的基极与三极管Q10的基极的连接点和所述三极管Q9的发射极与三极管Q10的发射极的连接点之间串联连接所述电阻R16，所述三极管Q9的发射极与三极管Q10的发射极的连接点连接电阻R17，所述电阻R15和二极管D3并联连接。优选地，所述吸收电路中，所述电容C3和电阻R18串联连接后与所述电容C2并联连接。优选地，所述变压输出电路中，所述变压器T1分别连接所述二极管D4、二极管D5、双向触发二极管D6和二极管D9，所述二极管D5连接至所述MOS管Q11的漏极，所述MOS管Q11的源极和栅极连接，连接点连接至稳压管D7，所述稳压管D7和三极管Q12的基极连接，所述三极管Q12的集电极和二极管D5连接。优选地，所述二极管D9连接至MOS管Q14的源极，所述MOS管Q14的源极和栅极连接，连接点连接至三极管Q13的集电极，所述MOS管Q14的漏极连接至稳压管D8，所述稳压管D8连接至三极管Q13的基极。优选地，所述他激式驱动集成芯片采用TL494芯片。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术提供的DC-DC逆变电路，可以作为车载功放的供电电路，提供适应多种需求的供电电压，以适应不同的应用场景。附图说明图1-2为本技术电路结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种DC-DC逆变电路，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路包括三极管Q3、MOS管Q4、二极管D2、电阻R11、电阻R10、电阻R12、三极管Q5、三极管Q6和电阻R13，与所述他激式驱动集成芯片的第九脚连接，另一路包括三极管Q7、MOS管Q8、二极管D3、电阻R14、电阻R15、电阻R16、三极管Q9、三极管Q10和电阻R17，与所述他激式驱动集成芯片的第十脚连接，所述吸收电路包括电容C2、电容C3和电阻R18，所述变压输出电路包括变压器T1、二极管D4、二极管D5、MOS管Q11、三极管Q12、稳压管D7、二极管D9、MOS管Q14、稳压管D8、三极管Q13和双向触发二极管D6。优选地，所述供电电路中，所述电阻R1、稳压管D1和电阻R2依次串联连接，所述稳压管D1和电阻R2的串接点连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接至所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极和基极之间串接有所述电阻R3，所述三极管Q2的集电极连接至所述分压电路。优选地，所述分压电路中，所述电阻R5和电阻R6串联连接，串接点连接至所述三极管Q2的集电极，所述电阻R6的另一端连接至所述他激式驱动集成芯片的第二脚。优选地，所述死区时间控制电路中，所述电阻R7和电阻R9串联连接，串接点连接至所述电阻R8，所述电阻R8和电容C1串联连接，串接点连接至所述他激式驱动集成芯片的第四脚。优选地，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路推挽电路中，所述三极管Q3和MOS管Q4串联连接，串接点连接至二极管D2，所述二极管D2和电阻R10串联连接，所述三极管Q5和三极管Q6串联连接，所述三极管Q5的基极和三极管Q6的基极连接，连接点和电阻R10另一端连接，所述三极管Q5的基极与三极管Q6的基极的连接点和所述三极管Q5的发射极与三极管Q6的发射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DC‑DC逆变电路，其特征在于，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路包括三极管Q3、MOS管Q4、二极管D2、电阻R11、电阻R10、电阻R12、三极管Q5、三极管Q6和电阻R13，与所述他激式驱动集成芯片的第九脚连接，另一路包括三极管Q7、MOS管Q8、二极管D3、电阻R14、电阻R15、电阻R16、三极管Q9、三极管Q10和电阻R17，与所述他激式驱动集成芯片的第十脚连接，所述吸收电路包括电容C2、电容C3和电阻R18，所述变压输出电路包括变压器T1、二极管D4、二极管D5、MOS管Q11、三极管Q12、稳压管D7、二极管D9、MOS管Q14、稳压管D8、三极管Q13和双向触发二极管D6。

【技术特征摘要】
1.一种DC-DC逆变电路，其特征在于，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路包括三极管Q3、MOS管Q4、二极管D2、电阻R11、电阻R10、电阻R12、三极管Q5、三极管Q6和电阻R13，与所述他激式驱动集成芯片的第九脚连接，另一路包括三极管Q7、MOS管Q8、二极管D3、电阻R14、电阻R15、电阻R16、三极管Q9、三极管Q10和电阻R17，与所述他激式驱动集成芯片的第十脚连接，所述吸收电路包括电容C2、电容C3和电阻R18，所述变压输出电路包括变压器T1、二极管D4、二极管D5、MOS管Q11、三极管Q12、稳压管D7、二极管D9、MOS管Q14、稳压管D8、三极管Q13和双向触发二极管D6。2.根据权利要求1所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述供电电路中，所述电阻R1、稳压管D1和电阻R2依次串联连接，所述稳压管D1和电阻R2的串接点连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接至所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极和基极之间串接有所述电阻R3，所述三极管Q2的集电极连接至所述分压电路。3.根据权利要求2所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述分压电路中，所述电阻R5和电阻R6串联连接，串接点连接至所述三极管Q2的集电极，所述电阻R6的另一端连接至所述他激式驱动集成芯片的第二脚。4.根据权利要求3所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述死区时间控制电路中，所述电阻R7和电阻R9串联连接，串接点连接至所述电阻R8，所述电阻R8和电容C1串联连接，串接点连接至所述他激式驱动集成芯片的第四脚。5.根据权利要求4所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱高峰，张艳蕾，
申请(专利权)人：湖南人文科技学院，
类型：新型
国别省市：湖南,43