用于半导体掩模检验的基于多边形的几何分类制造技术

本发明专利技术揭示用于提供特征分类以用于光刻掩模的检验的方法及设备。用于制作掩模的设计数据库包含各自由一组顶点定义的多边形。将彼此邻接的所述多边形中的任一者分组在一起。将任何经分组多边形合拢以便消除每一组经分组多边形的内部边缘以获得与此组经分组多边形的覆盖区域对应的多边形。提供并使用规定用于检测多个特征类别的要求的几何约束来检测所述设计数据库的所述多边形中的多个特征类别。使用所述所检测特征类别来检测所述掩模中的缺陷。

Polygon based geometric classification for semiconductor mask inspection

The invention discloses methods and apparatus for providing feature classification for inspection of photolithography masks. The design database used to make the mask contains polygons defined by each set of vertices. Group any one of the polygons which are adjacent to each other. Any group polygon is closed in order to eliminate the internal edges of each group of group polygons to obtain the polygon corresponding to the group's covering area. Provides and detects multiple feature classes in the polygon of the design database using the required geometric constraints for detecting multiple feature classes. The defects in the mask are detected by using the detected characteristic classes.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体掩模检验的基于多边形的几何分类相关申请案交叉参考本申请案主张以下现有申请案的权益：(i)2015年8月10日提出申请的殷旭(YinXu)等人的标题为“用于半导体掩模检验的基于多边形的几何分类(POLYGON-BASEDGEOMETRYCLASSIFICATIONFORSEMICONDUCTORMASKINSPECTION)”的美国临时申请案第62/203,281号，所述申请案出于所有目的以其全文引用的方式并入本文中。
本专利技术一般来说涉及光罩检验的领域。更特定来说，本专利技术涉及在检验期间用于缺陷检测的特征的几何分类。
技术介绍
半导体制造工业涉及用于将电路集成到半导体材料中的高度复杂技术。所述技术中的一者包含光刻，其涉及使用蚀刻与沉积工艺的组合来将图案从光掩模或光罩转印到光致抗蚀剂层。经图案化光致抗蚀剂层用于选择性地蚀刻形成IC装置的半导体衬底。典型光掩模或光阻挡掩模由支撑经图案化不透明材料(例如铬)层的石英(玻璃)衬底制成。举例来说，一种类型的光阻挡掩模是相移掩模或PSM。其它类型的掩模包含高级相移掩模，例如内嵌式衰减相移掩模(EAPSM)及交替相移掩模(APSM)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提供特征分类以用于光刻掩模的检验的方法，所述方法包括：提供用于制作掩模的设计数据库，其中所述设计数据库具有各自由一组顶点定义的多个多边形；将彼此邻接的所述多边形中的任一者分组；将任何经分组多边形合拢在一起以便消除每一组经分组多边形的内部边缘以获得与此组经分组多边形的覆盖区域对应的多边形；提供规定用于检测多个特征类别的要求的几何约束；在对所述设计数据库执行所述合拢之后，基于所述几何约束而检测所述设计数据库的所述多边形中的多个特征类别；及在利用所述设计数据库制作的掩模的检验中，基于所述设计数据库中的所述所检测特征类别来检测缺陷。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.10 US 62/203,281;2016.08.08 US 15/230,8361.一种用于提供特征分类以用于光刻掩模的检验的方法，所述方法包括：提供用于制作掩模的设计数据库，其中所述设计数据库具有各自由一组顶点定义的多个多边形；将彼此邻接的所述多边形中的任一者分组；将任何经分组多边形合拢在一起以便消除每一组经分组多边形的内部边缘以获得与此组经分组多边形的覆盖区域对应的多边形；提供规定用于检测多个特征类别的要求的几何约束；在对所述设计数据库执行所述合拢之后，基于所述几何约束而检测所述设计数据库的所述多边形中的多个特征类别；及在利用所述设计数据库制作的掩模的检验中，基于所述设计数据库中的所述所检测特征类别来检测缺陷。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述几何约束包含用于检测凸结特征的角度约束、边缘长度约束及内部区约束。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述边缘长度约束规定所述凸结特征的最大宽度、所述凸结特征的最大高度，及最小基底长度，所述凸结特征从所述最小基底长度延伸。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述几何约束包含用于将细线特征检测为具有小于预定义阈值的临界尺寸的约束。5.根据权利要求1所述的方法，其中针对在所述检验期间检测到的候选缺陷周围的区而选择性地检测所述特征类别。6.根据权利要求5所述的方法，其中针对在所述检验期间检测到的候选缺陷周围的区而选择性地执行所述分组及所述合拢。7.根据权利要求1所述的方法，其中检测特征类别是不受分辨率限制的。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括接收新几何约束，所述新几何约束由用户配置以被添加到所述几何约束。9.根据权利要求1所述的方法，其中检测缺陷基于与在所述设计数据库中检测到的所述特征类别对应的多个阈值。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述几何约束包含用于检测凹口特征的角度约束、边缘长度约束及外部区约束，且其中所述边缘长度约束规定所述凹口特征的最大宽度、所述凹口特征的最大高度，及最小基底长度，所述凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐寅，顾文斐亚历克斯，石瑞芳，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US