包括开关的半导体装置制造方法及图纸

一种包括开关的半导体装置和一种制造半导体装置的方法。所述装置具有包括一个或多个矩形单位单元的布局。每个单位单元包括栅极，所述栅极具有：大体上十字形的部分，包括将所述单位单元划分到象限中的四个支臂；以及大体上环形的部分，其中所述十字形的部分的中心定位于所述环形部分内部，且其中所述环形部分与所述十字形部分的每个支臂相交以将每个象限划分成：内部区域，定位于所述环形部分内部；以及外部区域，定位于所述环形部分外部。每个单位单元还包括形成所述开关的源极和漏极的大体上环形的有源区域。每个单位单元另外包括多个连接部件，所述多个连接部件在所述栅极、源极和漏极上方延伸以提供到所述源极和漏极的电气连接。

A semiconductor device including a switch

A semiconductor device including a switch and a method of manufacturing a semiconductor device. The device has a layout comprising one or more rectangular unit units. Each unit unit comprises a gate, which has a generally tenth shaped part, including four branches that divide the unit unit into the quadrant, and the roughly annular part, wherein the center of the cross section is located inside the ring part, and the ring part is with the cross. Each arm of the shape part is intersected to divide each quadrant into: the inner region, located in the annular part, and the outer region, located outside the ring part. Each unit unit also includes a substantially circular active region forming the source and drain of the switch. Each unit unit also includes a plurality of connecting parts, which are extended above the gate, source and drain to provide electrical connections to the source and drain.

【技术实现步骤摘要】
包括开关的半导体装置
本公开涉及一种包括开关的半导体装置。
技术介绍
已知的射频(RadioFrequency，RF)金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)开关是基于梳形布局。在此布局中，开关包括具有多个互连指状物的栅极。指状物穿插在包括细长条带的源极和漏极区域中。金属互连件沿着每个条带通过位于若干点处的一系列通孔提供到每个源极和漏极区域。一般来说，在装置的一侧处，在互连所述梳状物的每个指状物的共同条带处进行到栅极的连接。装置可以由深沟槽隔离(deeptrenchisolation，DTI)包围。此开关内的损耗可以是相对高的。举例来说，由包围装置的DTI提供的隔离不影响装置内的衬底阻抗。而且，到源极和漏极区域的连接是相对困难的，并可需要具有待使用的相对高电阻的连接件。此装置的尺度还受限于将另外的指状物添加到梳状物或通过改变指状物的长度受限。
技术实现思路
在随附的独立权利要求和从属权利要求中陈述了本公开的各方面。来自从属权利要求的特征的组合能按需要与独立权利要求的特征进行组合，而不仅仅是按照权利要求书中所明确陈述的那样组合。根据本公开的一方面，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括开关，所述装置具有包括一个或多个矩形单位单元的布局，每个单位单元包括：栅极，所述栅极包括：大体上十字形的部分，所述部分包括将所述单位单元划分到象限中的四个支臂；以及大体上环形的部分，其中所述十字形的部分的中心定位于所述环形部分内部，且其中所述环形部分与所述十字形部分的每个支臂相交以将每个象限划分成：内部区域，所述内部区域定位于所述环形部分内部；以及外部区域，所述外部区域定位于所述环形部分外部；大体上环形的有源区域，所述有源区域形成所述开关的源极和漏极，其中所述环形有源区域中定位于所述单位单元的沿对角线相对的相应第一与第二象限中的第一和第二部分各自包括：定位于...

【技术特征摘要】
2017.01.24 EP 17305072.51.一种半导体装置，其特征在于，包括开关，所述装置具有包括一个或多个矩形单位单元的布局，每个单位单元包括：栅极，所述栅极包括：大体上十字形的部分，所述部分包括将所述单位单元划分到象限中的四个支臂；以及大体上环形的部分，其中所述十字形的部分的中心定位于所述环形部分内部，且其中所述环形部分与所述十字形部分的每个支臂相交以将每个象限划分成：内部区域，所述内部区域定位于所述环形部分内部；以及外部区域，所述外部区域定位于所述环形部分外部；大体上环形的有源区域，所述有源区域形成所述开关的源极和漏极，其中所述环形有源区域中定位于所述单位单元的沿对角线相对的相应第一与第二象限中的第一和第二部分各自包括：定位于所述栅极的所述环形部分内部的内部源极区域和定位于所述栅极的所述环形部分的外侧上的外部漏极区域，其中所述环形有源区域中定位于所述单位单元的沿对角线相对的相应第三与第四象限中的第三和第四部分各自包括：定位于所述栅极的所述环形部分内部的内部漏极区域和定位于所述栅极的所述环形部分的外侧上的外部源极区域；以及多个连接部件，所述多个连接部件在所述栅极、源极和漏极上方延伸以提供到所述源极和漏极的电气连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个单位单元进一步包括沟槽隔离。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，每个单位单元的所述沟槽隔离包括定位于所述环形有源区域内部、所述栅极的所述十字形部分的所述中心底下的岛状物。4.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，每个单位单元的所述沟槽隔离包括环形沟槽，所述环形沟槽完全围绕所述单位单元的周边延伸，以在从上面定位有所述单位单元的表面上方查看时围封所述单位单元的所述环形有源区域。5.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，每个单位单元包括以下各项中的至少一个：内部源极连接部件，所述内部源极连接部件以电气方式沿对角线跨越所述单位单元延伸，以互连所述环形有源区域的所述内部源极区域；以及内部漏极连接部件，所述内部漏极连接部件以电气方式沿对角线跨越所述单位单元延伸，以互连所述环形有源区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥利弗·泰森，托马斯·弗朗索瓦，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL