均衡充电供电电路制造技术

均衡充电供电电路属于充电供电电路技术领域，尤其涉及一种均衡充电供电电路。本发明专利技术提供一种可靠性高的均衡充电供电电路。本发明专利技术包括均衡充电电路和工作电源电路，其结构要点均衡充电电路包括LM321芯片U8，U8的1脚通过电阻R58与C8051F007芯片U7的31脚相连，U8的5脚分别与电源VCC、电容C29一端相连，电容C29另一端接第一地，U8的2脚接第一地。

【技术实现步骤摘要】
均衡充电供电电路
本专利技术属于充电供电电路
，尤其涉及一种均衡充电供电电路。
技术介绍
蓄电池是将化学能直接转化成电能的一种装置。蓄电池在充电过程中，随着使用环境和自身差异会出现浮充电压不一致的现象，继而影响蓄电池的放电能力；因此需要一种智能蓄电池管理系统，而均衡充电供电电路是智能蓄电池管理系统的一部分。
技术实现思路
本专利技术就是针对上述问题，提供一种可靠性高的均衡充电供电电路。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案，本专利技术包括均衡充电电路和工作电源电路，其结构要点均衡充电电路包括LM321芯片U8，U8的1脚通过电阻R58与C8051F007芯片U7的31脚相连，U8的5脚分别与电源VCC、电容C29一端相连，电容C29另一端接第一地，U8的2脚接第一地；U8的4脚分别与电阻R59一端、电容C43一端相连，电容C43另一端分别与电阻R59另一端、NPN三极管Q1的集电极、电阻R53一端、NMOS管Q5的栅极相连，NPN三极管Q1的发射极接第一地，NPN三极管Q1的基极通过电阻R56与U7的27脚相连，电阻R53另一端分别与第一地线、电阻R48一端相连，电阻R48另一端分别与电阻R55一端、NMOS管Q5的源极相连，电阻R55另一端与U8的3脚相连，NMOS管Q5的漏极分别与电阻R47一端、6脚微型自锁开关S2的1脚、6脚微型自锁开关S2的2脚、6脚微型自锁开关S2的5脚、6脚微型自锁开关S2的6脚相连，电阻R47另一端分别与电容C6一端、电容C8正极、Power+端相连，电容C6另一端分别与第一地线、电容C8负极相连；工作电源电路包括LY1039F芯片U1和LD1117-ADJ芯片A1，U1的1脚分别与U1的4脚、二极管V3阴极相连，二极管V3阳极分别与电感L2一端、6脚微型自锁开关S2的3脚、S2的4脚、电阻R2一端相连；电感L2另一端分别与U1的2脚、二极管V2阳极相连，二极管V2阴极分别与电容C9一端、电阻R8一端、电阻R10一端相连，U1的5脚分别与电容C9另一端、电阻R8另一端、电阻R1一端相连，U1的3脚分别与第一地线、电阻R1另一端、电容C11一端、电容C26一端相连，电容C26另一端分别与VCC电源、电容C11另一端、电阻R10另一端相连；电阻R2另一端分别与电阻R30一端、电阻R21一端、电阻R26一端、PMOS管Q2的源极相连，电阻R21另一端分别与电阻R25一端、电阻R24一端、LM431芯片Q3的2脚相连，电阻R25另一端接VCC电源，电阻R24另一端分别与第一地线、Q3的3脚相连，Q3的1脚分别与电阻R26另一端、电阻R27一端相连，电阻R27另一端接PMOS管Q2的栅极，PMOS管Q2的漏极分别与电阻R30一端、二极管V4阳极相连，二极管V4阴极分别与VCC电源、电容C12正极端、电容C15一端、A1的3脚相连，电容C12负极端分别与电容C15另一端、第一地线、电阻R4一端相连，电阻R4另一端分别与A1的1脚、电阻R5一端相连，电阻R5另一端分别与A1的2脚、A1的4脚、二极管V1阴极、电容C32正极端、电阻R9一端、电阻R40一端、电阻R11一端相连，二极管V1阳极分别与第一地线、电容C32负极端相连；电阻R9另一端分别与电容C3一端、电容C1一端、AVDD电源端相连，电容C3另一端分别与电容C1另一端、第二地线相连；电阻R40另一端分别与电容C4一端、电容C2一端、VDD电源端相连，电容C4另一端分别与电容C2另一端、第一地线相连；电阻R11另一端分别与电容C14一端、电容C13一端、+3.3V电源端相连，电容C14另一端分别与电容C13另一端、第一地线相连；第一地线通过电阻R12与第二地线相连。作为一种优选方案，本专利技术所述电阻R58为3K欧姆电阻，电容C29为100nF电容，电阻R59为1K或1.5K欧姆电阻，电容C43为470pF电容，电阻R55为100欧姆电阻，电阻R56为2.2K欧姆电阻，电阻R53为47K欧姆电阻，电容C6为100nF电容，电容C8为100uF/16V电容。作为另一种优选方案，本专利技术所述三极管Q1为SS8050型三极管，NMOS管Q5为FQB30N06L型NMOS管。作为另一种优选方案，本专利技术所述电感L2为15uH电感，电容C9为1uF电容，电阻R8为100K欧姆电阻，电阻R1为16K欧姆电阻，电容C11为10uF/16V电容，电容C26为100nF电容，电阻R25为390K欧姆电阻，电阻R21为36K欧姆电阻，电阻R24为7.5K欧姆电阻，电阻R26为7.5K欧姆电阻，电阻R27为1K欧姆电阻，电阻R12、R11、R40、R9为0欧姆电阻，电容C12和C32为10uF/16V电容，电容C15为100nF电容，电阻R4为910欧姆电阻，电阻R5为510欧姆电阻，电容C14、C4、C3为100nF电容，电容C13、C2、C1为1uF电容。作为另一种优选方案，本专利技术所述PMOS管Q2采用AO3415型PMOS管。作为另一种优选方案，本专利技术所述U7的12脚分别与电容C18一端、电阻R35一端相连，电容C18另一端接第一地，电阻R35另一端分别与电容C17一端、电阻R34一端、开关S1一端相连，电阻R34另一端接+3.3V电源，开关S1另一端分别与电容C17另一端、第一地线相连。作为另一种优选方案，本专利技术所述电容C18为1uF电容，电阻R35为1K欧姆电阻，电阻R34为100K欧姆电阻，电容C17为100nF电容。作为另一种优选方案，本专利技术所述U7的31脚发出电压控制信号电压，控制信号给定电压与U8的3脚的反馈电压比较，在Q5产生方波，频率由电压控制信号的给定频率决定；U7的27脚在U7的31脚发出电压控制信号电压的同时给出电流参考信号，电流参考信号分别为3A和8A；通过Q5做频率为80Hz～200Hz幅值为3A～8A的直流方波恒流源，在POWER+端和蓄电池负极B-之间形成放电激励回路；通过U7的4、5脚采集蓄电池正极B+和蓄电池负极B-电压差及电流差，用公式Rin=（V1-V2）/（I1-I2）计算得出内阻，其中V1、V2是两次不同恒流源给定所对应的电压，I1、I2是恒流源给定的3A和8A。作为另一种优选方案，本专利技术所述U7接到上位机许可信号才能发出电压控制信号电压和电流参考信号，上位机许可信号的产生条件为电流检测传感器的电流检测值H1＜300MA。其次，本专利技术所述U7发出电压控制信号电压和电流参考信号后，进行以下计算处理步骤：在恒流源输出信号频率为80Hz时，测试V1、V2,存储I1、I2，验证V1、V2是否正常；若是，1）用公式Rin=（V1-V2）/（I1-I2）计算得出内阻；若否，2）恒流源输出信号频率加1，测试该频率下的V1、V2,存储该频率下的I1、I2，验证该频率下的V1/V2是否正常；若是，进行步骤1）；若否，进行步骤2）。另外，本专利技术所述用公式Rin=(V1-V2)/(I1-I2)计算Rin，与Rin初始值比对；若变化值＜Rin初始值的15%；则对比V1、V2与各自的初始值，若变化值大于等于初始值的百分之二，则启动均衡充电150MA放电，直至V1、V2比对初始值的变化值小于初始值的百分之二，上传数据至上位机；若V1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.均衡充电供电电路，包括均衡充电电路和工作电源电路，其特征在于均衡充电电路包括LM321芯片U8，U8的1脚通过电阻R58与C8051F007芯片U7的31脚相连，U8的5脚分别与电源VCC、电容C29一端相连，电容C29另一端接第一地，U8的2脚接第一地；U8的4脚分别与电阻R59一端、电容C43一端相连，电容C43另一端分别与电阻R59另一端、NPN三极管Q1的集电极、电阻R53一端、NMOS管Q5的栅极相连，NPN三极管Q1的发射极接第一地，NPN三极管Q1的基极通过电阻R56与U7的27脚相连，电阻R53另一端分别与第一地线、电阻R48一端相连，电阻R48另一端分别与电阻R55一端、NMOS管Q5的源极相连，电阻R55另一端与U8的3脚相连，NMOS管Q5的漏极分别与电阻R47一端、6脚微型自锁开关S2的1脚、6脚微型自锁开关S2的2脚、6脚微型自锁开关S2的5脚、6脚微型自锁开关S2的6脚相连，电阻R47另一端分别与电容C6一端、电容C8正极、Power+端相连，电容C6另一端分别与第一地线、电容C8负极相连；工作电源电路包括LY1039F芯片U1和LD1117‑ADJ芯片A1，U1的1脚分别与U1的4脚、二极管V3阴极相连，二极管V3阳极分别与电感L2一端、6脚微型自锁开关S2的3脚、S2的4脚、电阻R2一端相连；电感L2另一端分别与U1的2脚、二极管V2阳极相连，二极管V2阴极分别与电容C9一端、电阻R8一端、电阻R10一端相连，U1的5脚分别与电容C9另一端、电阻R8另一端、电阻R1一端相连，U1的3脚分别与第一地线、电阻R1另一端、电容C11一端、电容C26一端相连，电容C26另一端分别与VCC电源、电容C11另一端、电阻R10另一端相连；电阻R2另一端分别与电阻R30一端、电阻R21一端、电阻R26一端、PMOS管Q2的源极相连，电阻R21另一端分别与电阻R25一端、电阻R24一端、LM431芯片Q3的2脚相连，电阻R25另一端接VCC电源，电阻R24另一端分别与第一地线、Q3的3脚相连，Q3的1脚分别与电阻R26另一端、电阻R27一端相连，电阻R27另一端接PMOS管Q2的栅极，PMOS管Q2的漏极分别与电阻R30一端、二极管V4阳极相连，二极管V4阴极分别与VCC电源、电容C12正极端、电容C15一端、A1的3脚相连，电容C12负极端分别与电容C15另一端、第一地线、电阻R4一端相连，电阻R4另一端分别与A1的1脚、电阻R5一端相连，电阻R5另一端分别与A1的2脚、A1的4脚、二极管V1阴极、电容C32正极端、电阻R9一端、电阻R40一端、电阻R11一端相连，二极管V1阳极分别与第一地线、电容C32负极端相连；电阻R9另一端分别与电容C3一端、电容C1一端、AVDD电源端相连，电容C3另一端分别与电容C1另一端、第二地线相连；电阻R40另一端分别与电容C4一端、电容C2一端、VDD电源端相连，电容C4另一端分别与电容C2另一端、第一地线相连；电阻R11另一端分别与电容C14一端、电容C13一端、+3.3V电源端相连，电容C14另一端分别与电容C13另一端、第一地线相连；第一地线通过电阻R12与第二地线相连。...

【技术特征摘要】
1.均衡充电供电电路，包括均衡充电电路和工作电源电路，其特征在于均衡充电电路包括LM321芯片U8，U8的1脚通过电阻R58与C8051F007芯片U7的31脚相连，U8的5脚分别与电源VCC、电容C29一端相连，电容C29另一端接第一地，U8的2脚接第一地；U8的4脚分别与电阻R59一端、电容C43一端相连，电容C43另一端分别与电阻R59另一端、NPN三极管Q1的集电极、电阻R53一端、NMOS管Q5的栅极相连，NPN三极管Q1的发射极接第一地，NPN三极管Q1的基极通过电阻R56与U7的27脚相连，电阻R53另一端分别与第一地线、电阻R48一端相连，电阻R48另一端分别与电阻R55一端、NMOS管Q5的源极相连，电阻R55另一端与U8的3脚相连，NMOS管Q5的漏极分别与电阻R47一端、6脚微型自锁开关S2的1脚、6脚微型自锁开关S2的2脚、6脚微型自锁开关S2的5脚、6脚微型自锁开关S2的6脚相连，电阻R47另一端分别与电容C6一端、电容C8正极、Power+端相连，电容C6另一端分别与第一地线、电容C8负极相连；工作电源电路包括LY1039F芯片U1和LD1117-ADJ芯片A1，U1的1脚分别与U1的4脚、二极管V3阴极相连，二极管V3阳极分别与电感L2一端、6脚微型自锁开关S2的3脚、S2的4脚、电阻R2一端相连；电感L2另一端分别与U1的2脚、二极管V2阳极相连，二极管V2阴极分别与电容C9一端、电阻R8一端、电阻R10一端相连，U1的5脚分别与电容C9另一端、电阻R8另一端、电阻R1一端相连，U1的3脚分别与第一地线、电阻R1另一端、电容C11一端、电容C26一端相连，电容C26另一端分别与VCC电源、电容C11另一端、电阻R10另一端相连；电阻R2另一端分别与电阻R30一端、电阻R21一端、电阻R26一端、PMOS管Q2的源极相连，电阻R21另一端分别与电阻R25一端、电阻R24一端、LM431芯片Q3的2脚相连，电阻R25另一端接VCC电源，电阻R24另一端分别与第一地线、Q3的3脚相连，Q3的1脚分别与电阻R26另一端、电阻R27一端相连，电阻R27另一端接PMOS管Q2的栅极，PMOS管Q2的漏极分别与电阻R30一端、二极管V4阳极相连，二极管V4阴极分别与VCC电源、电容C12正极端、电容C15一端、A1的3脚相连，电容C12负极端分别与电容C15另一端、第一地线、电阻R4一端相连，电阻R4另一端分别与A1的1脚、电阻R5一端相连，电阻R5另一端分别与A1的2脚、A1的4脚、二极管V1阴极、电容C32正极端、电阻R9一端、电阻R40一端、电阻R11一端相连，二极管V1阳极分别与第一地线、电容C32负极端相连；电阻R9另一端分别与电容C3一端、电容C1一端、AVDD电源端相连，电容C3另一端分别与电容C1另一端、第二地线相连；电阻R40另一端分别与电容C4一端、电容C2一端、VDD电源端相连，电容C4另一端分别与电容C2另一端、第一地线相连；电阻R11另一端分别与电容C14一端、电容C13一端、+3.3V电源端相连，电容C14另一端分别与电容C13另一端、第一地线相连；第一地线通过电阻R12与第二地线相连。2.根据权利要求1所述均衡充电供电电路，其特征在于所述电阻R58为3K欧姆电阻，电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐威虎，陈传彪，孙登科，王龙生，周志远，郭士波，王土荣，王利，邱莎莎，王丽梅，
申请(专利权)人：沈阳劲达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21