一种具有安全电源管理电路的4G固定电话制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有安全电源管理电路的4G固定电话，包括过压保护模块、电源管理芯片、电池、充电接口、放电模块、充电保护模块、处理器及4G通信模块；所述过压保护模块的输入端连接于充电接口，所述过压保护模块的输出端连接于电源管理芯片及放电模块，所述电源管理芯片连接于电池，所述电池连接于放电模块；所述放电模块包括MOS管Q3，所述MOS管Q3的源极连接于电池的正极，所述MOS管Q3的栅极连接于电源管理芯片的V+端，所述MOS管Q3的漏极进行供电。当充电电压过高时，过压保护模块进行断开电压进行保护；当充电完成后，充电保护模块断开电池充电；充电时，放电模块断开电池供电，过压保护模块进行供电。

【技术实现步骤摘要】
一种具有安全电源管理电路的4G固定电话
本技术涉及固定电话领域，特别涉及一种具有安全电源管理电路的4G固定电话。
技术介绍
现有4G固定电话带有充电电池及充电器，将充电器插在外接电源进行给4G固定电话进行供电支持，而充电电池在停电的情况下可以给4G固定电话进行供电，而充电电池一直插在充电插座上，实时进行充电，而这很容易对电池产生损伤，从而减少电池的使用寿命。
技术实现思路
为此，需要提供一种保护4G固定电话的电池的具有安全电源管理电路的4G固定电话。为实现上述目的，专利技术人提供了一种具有安全电源管理电路的4G固定电话，包括过压保护模块、电源管理芯片、电池、充电接口、放电模块、充电保护模块、处理器及4G通信模块；所述过压保护模块的输入端连接于充电接口，所述过压保护模块的输出端连接于电源管理芯片及放电模块，所述电源管理芯片连接于电池，所述电池连接于放电模块；所述充电保护模块包括三极管Q4，所述三极管Q4的基极连接于处理器，所述三极管Q4的集电极连接于电源管理芯片U2的V+端，所述三极管Q4的发射极接地；所述放电模块包括MOS管Q3，所述MOS管Q3的源极连接于电池的正极，所述MOS管Q3的栅极连接于电源管理芯片的V+端，所述MOS管Q3的漏极进行供电；所述处理器及4G通信模块连接于放电模块，所述4G通信模块连接于处理器。进一步优化，所述过压保护模块包括MOS管Q1及MOS管Q2，所述MOG的栅极连接于电源管理芯片的V+端，所述MOS管Q1的源极连接于充电接口及MOS管Q2的源极，所述MOS管Q1的漏极接地及MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极连接于电源管理芯片的V+端及MOS管Q3的源极。进一步优化，还包括温度传感器，所述温度传感器设置在电池上，所述温度传感器连接于处理器。进一步优化，所述温度传感器为热敏电阻，所述热敏电阻的一端连接于电池的负极，另一端连接于处理器。进一步优化，所述充电接口为USB插座或者DC插座。进一步优化，还包括WIFI模块，所述WIFI模块连接于处理器。进一步优化，还包括液晶显示模块，所述液晶显示模块连接于处理器。进一步优化，还包括按键模块、麦克风及听筒，所述按键模块、麦克风及听筒连接于处理器。区别于现有技术，上述技术方案，通过过压保护模块输出稳定的电压进行对电池进行充电，而当充电电压过高时，进行断开电压进行保护；同时充电保护模块对电池充电进行管理，当充电完成后，断开电源对电池的充电，充电电池无需实时充电；同时当电池充电的时候，放电模块断开电池供电，直接通过过压保护模块进行供电，对电池进行保护。附图说明图1为本技术具有安全电源管理电路的4G固定电话的一种电路示意图。图2为本技术具有安全电源管理电路的4G固定电话的一种结构示意图。附图标记说明：110、过压保护模块，120、放电模块，130、充电保护模块，210、处理器，221、4G通信模块，222、WIFI模块，230、液晶显示模块，241、麦克风，242、听筒，243、按键模块。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1及图2，本技术一种具有安全电源管理电路的4G固定电话，包括过压保护模块110、电源管理芯片U2、电池TB1、充电接口、放电模块120、充电保护模块130、处理器210及4G通信模块221；其中电源管理芯片U2的型号可以为LY4054。所述过压保护模块110的输入端连接于充电接口，所述过压保护模块110的输出端连接于电源管理芯片U2及放电模块120，所述电源管理芯片U2连接于电池TB1，所述电池TB1连接于放电模块120；所述充电保护模块130包括三极管Q4，所述三极管Q4的基极连接于处理器，所述三极管Q4的集电极连接于电源管理芯片U2的V+端，所述三极管Q4的发射极接地；所述放电模块120包括MOS管Q3，所述MOS管Q3的源极连接于电池TB1的正极，所述MOS管Q3的栅极连接于电源管理芯片U2的V+端，所述MOS管Q3的漏极进行供电；所述处理器210及4G通信模块221连接于放电模块120，所述4G通信模块221连接于处理器210。4G固定电话通过4G通信模块221进行与其他通话设备进行建立通信。在4G固定电话内设置过压保护模块110，当4G固定电话的电池TB1在充电的时候，通过充电接口J1插在电源插座上接入外接电源，J1口的1脚与电源正极连接，过压保护模块110对外接电源进行过压保护，输出稳定的低电压，而当过压保护模块110检测充电电压过高后，断开充电，避免过高的电压对电池TB1照成伤害。其中充电保护模块130对电池TB1充电进行保护，其中电池TB1通过电阻R13连接于处理器210，处理器210进行检测电池TB1的充电情况，当处理器210检测到电池TB1充电完成或者电池TB1异常状态，则通过拉低CHG_CTL，通过三极管Q4进行断开电源管理芯片U2对电池TB1进行充电；而且通过放电模块120进行对4G固定电话进行供电，当电池TB1进行充电的时候，通过MOS管Q3在外接电源时关闭导通，此时不通过电池TB1进行供电，直接通过过压保护模块110进行对4G固定电话进行供电；而当电池TB1不进行供电的时候，此时MOS管Q3导通，通过电池TB1进行正常给4G固定电话进行供电，避免电池TB1在充电的时候还进行放电，减少对电池TB1的损害。在本实施例中，所述过压保护模块110包括MOS管Q1及MOS管Q2，所述MOG的栅极连接于电源管理芯片U2的V+端，所述MOS管Q1的源极连接于充电接口及MOS管Q2的源极，所述MOS管Q1的漏极接地及MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2连接于电源管理芯片U2的V+端及放电模块120。过压保护模块110通过MOS管Q1及MOS管Q2进行对充电电压进行检测及避免过高电压对电池TB1及电源管理芯片U2等照成伤害；其中通过MOS管Q1及MOS管Q2及配合，当充电电压超过5.2V时，MOS管Q2不导通，就是J1口的1脚的电压过高，此时稳压管D6导通，MOS管Q1的栅极电压下降，从而MOS管Q1截止。则MOS管Q1的源极电压降低，MOS管Q2的栅极电压降低，则MOS管Q2截止。从而J1口的1脚的电源不会通过MOS管Q2给后极电路供电。这样就断开对电池TB1的充电。避免了当充电电压过高对电池TB1和电源管理芯片U2等造成伤害。在本实施例中，为了对电池TB1进行温度保护，还包括温度传感器，所述温度传感器设置在电池TB1上，所述温度传感器连接于处理器。通过在电池TB1上设置温度传感器，通过温度传感器检测电池TB1在充电时的温度，而当电池TB1的温度超过预设值的时候，处理器通过电源管理芯片U2进行停止电池TB1充电，避免电池TB1的温度进行一步升高，而造成电池TB1损坏。其中，温度传感器为热敏电阻，所述热敏电阻的一端连接于电池TB1的负极，另一端连接于处理器210。通过热敏电阻设置在电池TB1上，当电池TB1的温度上升后，热敏电阻由于温度的变化，其阻值也跟着发生变化，处理器根据热敏电阻的阻值变化进行判断电池TB1的温度变化，当电池TB1的温度超过预设值的时候，处理器通过电源管理芯片U2进行断开对电池TB本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有安全电源管理电路的4G固定电话，其特征在于，包括过压保护模块、电源管理芯片、电池、充电接口、放电模块、充电保护模块、处理器及4G通信模块；所述过压保护模块的输入端连接于充电接口，所述过压保护模块的输出端连接于电源管理芯片及放电模块，所述电源管理芯片连接于电池，所述电池连接于放电模块；所述充电保护模块包括三极管Q4，所述三极管Q4的基极连接于处理器，所述三极管Q4的集电极连接于电源管理芯片U2的V+端，所述三极管Q4的发射极接地；所述放电模块包括MOS管Q3，所述MOS管Q3的源极连接于电池的正极，所述MOS管Q3的栅极连接于电源管理芯片的V+端，所述MOS管Q3的漏极进行供电；所述处理器及4G通信模块连接于放电模块，所述4G通信模块连接于处理器。

【技术特征摘要】
1.一种具有安全电源管理电路的4G固定电话，其特征在于，包括过压保护模块、电源管理芯片、电池、充电接口、放电模块、充电保护模块、处理器及4G通信模块；所述过压保护模块的输入端连接于充电接口，所述过压保护模块的输出端连接于电源管理芯片及放电模块，所述电源管理芯片连接于电池，所述电池连接于放电模块；所述充电保护模块包括三极管Q4，所述三极管Q4的基极连接于处理器，所述三极管Q4的集电极连接于电源管理芯片U2的V+端，所述三极管Q4的发射极接地；所述放电模块包括MOS管Q3，所述MOS管Q3的源极连接于电池的正极，所述MOS管Q3的栅极连接于电源管理芯片的V+端，所述MOS管Q3的漏极进行供电；所述处理器及4G通信模块连接于放电模块，所述4G通信模块连接于处理器。2.根据权利要求1所述具有安全电源管理电路的4G固定电话，其特征在于，所述过压保护模块包括MOS管Q1及MOS管Q2，所述MOG的栅极连接于电源管理芯片的V+端，所述MOS管Q1的源极连接于充电接口及MOS管Q2的源极，所述MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗礼华，林可楼，丘海印，吴文琛，
申请(专利权)人：福建瑞恒信息科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35