大电流无磁芯EMC滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及大电流无磁芯EMC滤波器，包括X电容（C1，C2，C3）、电路端子、穿心容性低频共模纹波吸收器和/或穿心容性高频吸收器，所述电路端子包括第一输入端子（A）、第二输入端子（B）、第一输出端子（C）和第二输出端子（D），所述穿心容性低频共模纹波吸收器（M1）和/或穿心容性高频纹波吸收器（M2）串接在所述第一输入端子（A）和第二输入端子（C）之间，所述X电容并联接入电路。本实用新型专利技术的大电流无磁芯EMC滤波器，采用体积小巧的特殊穿心容性纹波吸收器件作为主要的EMI滤除器件，配合相匹配的电容器，不需要采用磁性元件（电感），就可以取得非常有效的EMC抑制效果，滤波器的体积和成本都可以得到大幅降低。

【技术实现步骤摘要】
大电流无磁芯EMC滤波器
本技术涉及电子电路滤波器，特别是涉及无磁性元件的电磁抗干扰器。
技术介绍
现有技术的EMC滤波器产品，都由具有磁芯的磁性器件(电感)与电容共同构成。特别是当流过直流或者低频大电流时，比如100A～1000A，为了防止电感中磁芯饱和，不得不采取增大磁芯尺寸，同时降低工作点磁感应强度的办法来设计其中的电感。这样，导致现有的大电流EMC滤波器为了取得好的效果，而出现成本昂贵和体积庞大的现象。
技术实现思路
基于此，针对现有技术，本技术的所要解决的技术问题就是提供一种成本低、结构小巧的大电流无磁芯EMC滤波器。本技术的技术方案为：一种大电流无磁芯EMC滤波器，包括X电容(C1，C2，C3)、电路端子、穿心容性低频共模纹波吸收器和/或穿心容性高频吸收器，所述电路端子包括第一输入端子(A)、第二输入端子(B)、第一输出端子(C)和第二输出端子(D)，所述穿心容性低频共模纹波吸收器(M1)和/或穿心容性高频纹波吸收器(M2)串接在所述第一输入端子(A)和第二输入端子(C)之间，所述X电容并联接入电路。在其中一个实施例中，所述穿心容性低频共模纹波吸收器(M1)包括共模连接端子(X，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，包括X电容(C1，C2，C3)、电路端子、穿心容性低频共模纹波吸收器和/或穿心容性高频吸收器，所述电路端子包括第一输入端子(A)、第二输入端子(B)、第一输出端子(C)和第二输出端子(D)，所述穿心容性低频共模纹波吸收器(M1)和/或穿心容性高频纹波吸收器(M2)串接在所述第一输入端子(A)和第二输入端子(C)之间，所述X电容并联接入电路。

【技术特征摘要】
1.一种大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，包括X电容(C1，C2，C3)、电路端子、穿心容性低频共模纹波吸收器和/或穿心容性高频吸收器，所述电路端子包括第一输入端子(A)、第二输入端子(B)、第一输出端子(C)和第二输出端子(D)，所述穿心容性低频共模纹波吸收器(M1)和/或穿心容性高频纹波吸收器(M2)串接在所述第一输入端子(A)和第二输入端子(C)之间，所述X电容并联接入电路。2.根据权利要求1所述的大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，所述穿心容性低频共模纹波吸收器(M1)包括共模连接端子(X，Y，Z)、共模金属薄膜介质(a，b)，所述共模金属薄膜介质(a，b)包括共模第一金属薄膜介质(a)和共模第二金属薄膜介质(b)，所述共模连接端子(X，Y，Z)包括两共模大电流铜排端子(X，Y)和一接地端子(Z)，两所述共模大电流铜排端子(X，Y)之间设所述共模第一金属薄膜介质(a)，所述接地端子(Z)与所述共模第二金属薄膜介质(b)导通，所述共模第一金属薄膜介质(a)和共模第二金属薄膜介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海涛，
申请(专利权)人：珠海博翔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44