The invention provides a sub critical preparation method of high quality graphene with three atomic layers. The three order graphite intercalation compound was prepared by using iodine bromide as intercalation agent, and then the three order graphite intercalation compound was placed in the environment of subcritical water. The intercalation agent dissolved in water and reacted with water in the graphite layer. The high pressure permeation of the subcritical water environment acted on the graphite layer and peeled out of the three raw materials. A graphene material with the thickness of the sublayer. The subcritical reaction temperature of the invention is between 100~240 degrees centigrade, suitable for industrial or laboratory operation and rapid reaction. It is suitable for the preparation of graphene materials with the thickness of a large layer of three atomic layers. It can be used in the fields of transparent conductive film, energy storage device and superconductivity.
【技术实现步骤摘要】
一种三原子层高质量石墨烯的亚临界制备方法
本专利技术涉及高质量石墨烯材料制备领域，尤其涉及一种利用亚临界反应快速可控制备三原子层高质量石墨烯材料的方法。
技术介绍
石墨烯是一种完全由sp2杂化的碳原子构成的厚度仅为单原子层或数个单原子层的准二维晶体材料，几乎完全透明，导热系数高，常温下其电子迁移率高，为世上电阻率最小的材料，同时也是世上最薄却也最坚硬的纳米材料。石墨烯可用来发展更薄且导电速度更快的新一代电子元件、透明触控屏幕、高性能纳电子器件、光电器件，同时也可应用在气体传感器、复合材料、场发射材料及能量存储等领域。大片层三原子层厚度的石墨烯材料，可用于透明导电薄膜、储能器件与超导等领域。到目前为止，关于石墨烯的制备已经发展出了很多方法：微机械分离法、氧化石墨还原法、化学气相沉积法、溶剂剥离法等。最开始采用的方法便是微机械分离法，这种方法获得的单层石墨片比较完整，却无法控制单层石墨的尺寸大小，这种方法由人工操作，且厚薄不均一。氧化石墨还原法氧化过程通常会严重破坏石墨烯片层的结构，虽然经过还原处理，所得石墨烯材料的各项性能指标仍与高质量的石墨烯存在较大的差距。此外，...
【技术保护点】
1.一种三原子层高质量石墨烯的亚临界制备方法，包括如下步骤：(1)将溴化碘与石墨混合加热制备三阶石墨插层化合物；(2)使三阶石墨插层化合物在亚临界水中进行反应，从而高效制备三原子层高质量石墨烯。
【技术特征摘要】
1.一种三原子层高质量石墨烯的亚临界制备方法，包括如下步骤：(1)将溴化碘与石墨混合加热制备三阶石墨插层化合物；(2)使三阶石墨插层化合物在亚临界水中进行反应，从而高效制备三原子层高质量石墨烯。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的溴化碘作为三阶石墨插层化合物的插层剂。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征...
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