阵列基板及其制备方法、液晶显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，该阵列基板包括基板、形成在基板上的至少一层减反层，以及形成在减反层上的器件层；其中，减反层的材质为铜的氮化物或/和铜的氧化物。本发明专利技术通过在基板上形成该减反层能够降低对外界环境光的反射，进而能提升显示的对比度。

Array substrate and its preparation method, liquid crystal display panel

The present invention discloses an array substrate and a preparation method, a liquid crystal display panel, which includes a substrate, at least a layer of antireflection layer formed on a substrate, and a device layer formed on a antireflective layer, in which the material of the antireflective layer is a copper nitride or / and a copper oxide. By forming the antireflection layer on the substrate, the invention can reduce the reflection of the external environment light and further enhance the contrast of the display.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、液晶显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。
技术介绍
随着近年来显示器需求量的不断提高，一些新技术应运而生，而显示面板的亮度和对比度仍然是制约显示器整体质量的一个重要因素。当对比度较佳时，显示面板的整体色彩与显示效果都较为理想，如何提高显示面板的对比度已经成为当前研究的重点。而在提高对比的方式上，除了提高发光单元的亮度外，如何降低外界光的反射也成为一个重要方面。由于外界环境光的进入，传统显示器的阵列基板因为金属信号线的存在而反射外界环境光，容易出现镜面的效果，从而会降低显示对比度，影响最终的显示效果。因此，有必要提出一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，能够降低外界环境光的反射，进而提升显示的对比度。为解决上述技术问题，本专利技术采用的第一个技术方案是提供一种阵列基板，该阵列基板包括基板、形成在基板上的至少一层减反层，以及形成在减反层上的器件层；其中，减反层的材质为铜的氮化物或/和铜的氧化物。为解决上述技术问题，本专利技术采用的第二个技术方案是提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括上述任一阵列基板。为解决上述技术问题，本专利技术采用的第三个技术方案是提供一种阵列基板的制备方法，该制备方法包括：准备基板；在基板上形成至少一层减反层；其中，减反层的材质为铜的氮化物或/和铜的氧化物；在减反层上形成器件层。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术的基板上包括依次形成的至少一层减反层及器件层，其中，减反层的材质为铜的氧化物或/和铜的氮化物。通过在基板上形成该至少一层减反层能降低对外界环境光的反射，进而能提升显示的对比度。附图说明图1是本专利技术提供的阵列基板一实施例的结构示意图；图2是本专利技术提供的阵列基板制备方法一实施例的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。为了降低对外界环境光的反射，本专利技术的阵列基板包括基板、形成在基板上的至少一层减反层，以及形成在该减反层上的器件层，该减反层的材质为铜的氮化物或/和铜的氧化物，其中，铜的氧化物不限于氧化铜，铜的氮化物不限于氮化铜。以下，结合附图进行详细说明。请参阅图1，图1是本专利技术提供的阵列基板一实施例的结构示意图。如图1所示，阵列基板10包括基板101、设置在基板101上的至少一层减反层102以及设置在减反层102上的器件层103，器件层103包括设置在减反层102上的栅极1031、设置在栅极1031上的栅极绝缘层1032、设置在栅极绝缘层1032上的有源层1033，设置在有源层1033上的源极1034、漏极1035和钝化层1036。其中，栅极1031即为金属信号线，栅极1031的材质可以为铜、铝或钼或其它金属；减反层102与设置在其上的栅极1031至少部分重叠，优选地，设置减反层102和栅极1031完全重叠。进一步地，减反层102至少为一层，本实施例中设置减反层102为两层，减反层102的单层厚度为20纳米～100纳米，减反层102的总厚度为40纳米～200纳米，通过将减反层102的总厚度设置为40纳米～200纳米能更好的吸收光，进而降低光的反射，且易重复的制备该厚度范围内的薄膜。具体地，可以先在基板101上设置一层铜的氮化物薄膜再设置一层铜的氧化物薄膜，也可以先在基板101上设置一层铜的氧化物薄膜再设置一层铜的氮化物薄膜，也可以将两层均设置为铜的氧化物与铜的氮化物的混合物薄膜，且可以通过调节该混合物薄膜中铜的氧化物和铜的氮化物的比例进而获得不同反射率的减反层102，还可以将减反层102的两层均设置为铜的氮化物薄膜或铜的氧化物薄膜，当然，其他实施例中也可以将减反层102设置为一层、三层或更多层，在此不做具体限定。优选地，减反层102为依次叠置的铜的氮化物层或/和铜的氧化物层组成的多膜层结构，其中，铜的氮化物层或/和铜的氧化物层依次交替设置。需要说明的是，铜的氮化物与基板101间的附着力好，当减反层102中包含铜的氮化物时能增加栅极1031和基板101间的连接性，能防止薄膜脱落现象，进而提高显示质量。本实施中，基底101为透明基底，具体设置为玻璃基底，其他实施例中也可以设置为其他基底。更进一步地，本实施例中的减反层102是通过磁控溅射法，喷墨法以及原子沉积法中的任一种工艺而制备形成的。具体地，磁控溅射法是指在高真空腔体中充入适量的氩气作为工作气体，在靶材和腔体壁之间施加电压，在溅射腔体内产生磁控型辉光放电使氩气发生电离。磁控溅射包括直流磁控溅射和射频磁控溅射，可以采用铜靶来溅射，并通过控制充入到溅射腔体内的氩气、氮气和氧气的体积比以及溅射的温度、气压、功率和时间进而在基底上镀总厚度为40纳米～200纳米的薄膜，也可以在溅射过程中只通入氩气和氮气，并通过在含氧气的氛围中进行退火处理，也可以在溅射过程中只通入氩气，并通过在含氧气和氮气的氛围中进行退火处理，其中，通过控制溅射时间可以调控薄膜的厚度；还可以采用氧化铜靶来溅射，并通过控制充入到溅射腔体内的氩气和氮气的体积比以及溅射的温度、气压、功率和时间进而在基底上镀总厚度为40纳米～200纳米的薄膜；在磁控溅射仪条件允许的情况下，也可以在腔体内安装氧化铜和氮化铜两个靶材，用这两个靶来同时溅射，通过控制溅射气压、温度、功率和时间进而得到该减反层。当然，铜的氧化物不限于氧化铜，铜的氮化物不限于氮化铜，也可以采用其他的铜的氧化物或/和铜的氮化物作为靶材来溅射。喷墨法是指采用有机铜络合物及铜盐作为铜源，选择合适的溶剂配置成油墨，通过涂覆的方式在基底上形成减反层。本实施例中是通过将镀有铜膜的基底静置于过氧化氢溶液中，并通过控制温度使铜膜表面发生氧化生成氧化铜薄膜，再在氧化铜薄膜上，以六氟乙酰丙酮酸铜和氮气分别作为铜源和氮源，并通过控制温度来制备氮化铜薄膜。原子沉积法是指通过改变溅射功率与注入能量，采用离子注入的方式将离子注入到铜膜中，并同时进行退火处理以获得减反层。本实施例中，通过在垂直于铜膜的方向注入氮离子并同时进行退火处理得到铜的氮化物薄膜，在铜的氮化物薄膜上沉积一层铜膜，再在垂直于铜膜的方向上注入氧离子并同时进行退火处理得到铜的氧化物薄膜，或者先形成铜的氧化物薄膜再形成铜的氮化物薄膜，或者在垂直于铜膜的方向同时注入氮离子和氧离子，并同时进行退火处理进而得到铜的氮化物和铜的氧化物的混合薄膜。由上述可知，本专利技术的基板上包括依次形成的至少一层减反层及器件层，其中减反层的材质为铜的氧化物或/和铜的氮化物。通过在基板上形成该至少一层减反层能降低对外界环境光的反射，进而能提升显示的对比度。请参阅图2，图2是本专利技术提供的阵列基板制备方法一实施例的流程示意图。以下，结合图2详细说明阵列基板中减反层的制备过程。S201：准备基板。本实施例中选用玻璃基板，将玻璃基板切割成合适的尺寸后用丙酮、去离子水、酒精清洗干净，再在氮气的氛围下进行干燥。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板、形成在所述基板上的至少一层减反层，以及形成在所述减反层上的器件层；其中，所述减反层的材质为铜的氧化物或/和铜的氮化物。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板、形成在所述基板上的至少一层减反层，以及形成在所述减反层上的器件层；其中，所述减反层的材质为铜的氧化物或/和铜的氮化物。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述减反层的厚度为40纳米～200纳米。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述减反层是通过磁控溅射法，喷墨法以及原子沉积法中的任一种工艺而制备形成的。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述减反层为依次叠置的铜的氮化物层或/和铜的氧化物层组成的多膜层结构。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述铜的氮化物层或/和铜的氧化物层依次交替设置。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述多膜层结构的减反层的单层厚度为20纳米～100纳米。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵源，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44