一种异质结电池的边缘隔离结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种异质结电池的边缘隔离结构，其包括用于支撑定位硅片的支撑定位机构和对硅片进行涂墨的压合涂墨机构，其中所述支撑定位机构包括沟槽、支撑台面和定位装置，压合涂墨机构包括压合台面，出墨装置，所述出墨装置与支撑定位机构的沟槽相对应，工作时压合涂墨机构向下运动接触到硅片，出墨装置中的油墨接触硅片边缘。本实用新型专利技术采用边缘接触蚀刻油墨蚀刻掉硅片侧面边缘的ITO和金属，最终达到绝缘的效果；能够实现自动化或半自动化，工艺简单，生产效率高；减少与硅片的硬性接触，降低硅片破片、崩边等不良品率；能够把边缘腐蚀干净，无透明导电膜和金属残留，电池正负极完全隔离。

Edge isolation structure of a heterojunction battery

The utility model discloses an edge isolating structure of a heterojunction battery, which includes a supporting positioning mechanism for supporting the positioning silicon chip and a pressing and ink painting mechanism for the coating of silicon. The supporting positioning mechanism includes a groove, a support table and a positioning device, and a pressing and inking mechanism includes a pressing table and an ink outlet device. The ink producing device corresponds to the grooves of the supporting positioning mechanism. When working, the press contact ink mechanism is in contact with the silicon chip, and the ink in the ink outlet device contacts the edge of the silicon wafer. The utility model adopts the edge contact etching ink to etch the ITO and metal on the side edge of silicon wafer, and finally achieves the effect of insulation; it can realize automation or semi automation, simple process and high production efficiency, reduce hard contact with silicon chip, reduce the bad product rate of fragment and edge of silicon chip, and can corrode the edge clean. There is no transparent conductive film and metal residue. The positive and negative electrodes of the battery are completely isolated.

【技术实现步骤摘要】
一种异质结电池的边缘隔离结构
本技术涉及晶体硅高效太阳能电池领域，尤其涉及一种异质结电池的边缘隔离结构。
技术介绍
目前，高效太阳能电池是众多光伏企业和研究机构关注的一个热点，HJT电池已经是量产的两种高效电池技术之一。HJT电池以其高效转化效率、低温度系数、低温工艺以及适合薄片化等优势获得众多机构和生产企业的特别青睐，研发热情高居不下，基本都取得了不错的研发进展。其中HJT电池采用N型硅片作为衬底，经过制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、透明导电薄膜沉积、金属电极制作等一系列工艺步骤完成电池片的制作。透明导电膜沉积及金属电极制作有可能涉及到边缘短路的问题，所以必须对边缘加以处理以防止电池的正背面直接导通引起短路。目前最常见的方法是用Mask对边缘进行压框遮挡，这样边缘基本上不会镀上透明导电膜或金属背电极，从而保证电池的正负极不导通短路。但是这种方法的缺点有如下：(1)Mask压框一般都是手工压框，不易自动化，生产效率比较低；(2)Mask压框容易引起硅片破片，蹦角等不良品产生；(3)Mask压框由于使用寿命及对位精度问题有可能造成侧镀，从而导致产生边缘漏电的风险存在。这些劣势无疑是增加了HJ本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结电池的边缘隔离结构，其特征在于：所述结构包括用于支撑定位硅片的支撑定位机构和对硅片进行涂墨的压合涂墨机构，其中所述支撑定位机构包括沟槽、支撑台面和定位装置，压合涂墨机构包括压合台面，出墨装置，所述出墨装置与支撑定位机构的沟槽相对应，工作时压合涂墨机构向下运动接触到硅片，出墨装置中的油墨接触硅片边缘。

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的边缘隔离结构，其特征在于：所述结构包括用于支撑定位硅片的支撑定位机构和对硅片进行涂墨的压合涂墨机构，其中所述支撑定位机构包括沟槽、支撑台面和定位装置，压合涂墨机构包括压合台面，出墨装置，所述出墨装置与支撑定位机构的沟槽相对应，工作时压合涂墨机构向下运动接触到硅片，出墨装置中的油...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋广华，张杰，
申请(专利权)人：福建钧石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35