The utility model provides a photoelectric detector, which comprises a substrate, an isolating layer and an optical absorption layer arranged on the surface of the substrate, and a source and a drain set at the opposite ends of the light absorption layer and respectively contact with the light absorption layer, and a channel structure formed between the source and the drain is exposed to a partial light absorption layer, and the light absorption is exposed. The receiving layer is a beta InSe nanoscale. The photoelectric detector has very high near-infrared light responsiveness and environmental stability.
【技术实现步骤摘要】
一种近红外光电探测器
本技术涉及光电探测器领域，具体涉及一种近红外电探测器。
技术介绍
光电探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起的被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电探测器用途广泛，涵盖军事和国民经济的各个领域，如在可见光和近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等。目前科学研究和工业生产领域利用新型二维材料半导体形成高效光电探测器正在迅猛发展。III-VI半导体材料由于具有特殊的电学和光学性能，在电子和光电子领域具有巨大的潜在应用。在这些半导体中，InSe是一种重要的层状半导体，其光电探测范围可从可见光到近红外波段，且具有高的光电响应，但是目前报道的γ-InSe在环境条件下容易被氧化，这极大地限制了其应用。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了一种近红外光电探测器。本技术提供的近红外光电探测器具有很高的近红外光响应度，同时具有很好的环境稳定性。本技术提供了一种近红外光电探测器，包括：基底、依次设置在所述基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在所述光吸收层相对的两端且分别与所述光吸收层接触的源极和...
【技术保护点】
1.一种近红外光电探测器，其特征在于，包括：基底、依次设置在所述基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在所述光吸收层相对的两端且分别与所述光吸收层接触的源极和漏极，所述源极和所述漏极之间形成的沟道结构暴露出部分所述光吸收层，所述光吸收层为β‑InSe纳米薄片。
【技术特征摘要】
1.一种近红外光电探测器，其特征在于，包括：基底、依次设置在所述基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在所述光吸收层相对的两端且分别与所述光吸收层接触的源极和漏极，所述源极和所述漏极之间形成的沟道结构暴露出部分所述光吸收层，所述光吸收层为β-InSe纳米薄片。2.如权利要求1所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述光吸收层的厚度为2-20nm。3.如权利要求2所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述光吸收层的厚度为5-10nm。4.如权利要求1所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述源极和所述漏极之间暴露出的光吸收层沿垂直于所述源极和所述漏极延伸方向的长度为1-10μm，沿平行于所述源极和所述漏极延伸方向的宽度为1-15μm。5.如权利要求4所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述源极和所述漏极之间暴露出的...
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