显示屏及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种显示屏及显示装置，其中显示屏包括：第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度，通过调整显示屏设置摄像头处的子像素密度，既满足了摄像头正常显示的要求，又兼顾了摄像头处需保持较高透光率的要求，由于不用为前置摄像头预留位置，因此可以省去有效显示区上方的非显示区，扩大屏占比，优化使用感受，从而，可以解决非显示区的存在导致使用者的使用感受不佳的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
显示屏及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示屏及显示装置。
技术介绍
随着移动电子产品行业飞速发展，新产品不断更新换代，市场对移动显示电子产品存在越来越高的期许。例如，手机等产品由有边框向窄边框和无边框的方向发展。上下无边框直接影响了前置摄像头、感光器件以及产品标识的放置。传统的移动显示电子设备为实现无边框或者窄边框，可以在显示屏上开设槽体或者安装孔等来容纳相关设备，或者直接将相关设备移除。上述方案均无法真正实现全面屏显示。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够真正实现全面屏显示的显示屏及显示装置。一种显示屏，包括：第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度。在其中一个实施例中，在所述第一显示区中，按照第一方式共用子像素形成第一类发光单元；在所述第二显示区中，按照第二方式共用子像素形成第二类发光单元；在所述第三显示区中，按照第三方式排布子像素形成第三类发光单元。在其中一个实施例中，所述第一类发光单元呈共边的一对三角形的形状分布。在其中一个实施例中，所述第一类发光单元为包括1个红色子像素、2个绿色子像素和1个蓝色子像素，所述红色子像素、所述蓝色子像素位于公共边，所述绿色子像素位于另外两个顶点。在其中一个实施例中，所述第二类发光单元呈共顶点的一对三角形的形状分布。在其中一个实施例中，所述第二类发光单元为包括1个红色子像素、2个绿色子像素和2个蓝色子像素，所述红色子像素位于公共顶点，所述绿色子像素和蓝色子像素位于另外两个顶点。在其中一个实施例中，所述第三类发光单元呈三角形的形状分布。在其中一个实施例中，所述第三类发光单元为包括1个红色子像素、1个绿色子像素和1个蓝色子像素，所述三个子像素各自形成三角形的顶点。本申请还提供一种显示装置，包括显示屏和屏下光敏模块；所述显示屏包括：第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度；所述屏下光敏模块，其设置在所述第一显示区下方并且其能感应穿过所述显示屏的所述第一显示区和所述第二显示区照射进来的光。在其中一个实施例中，所述屏下光敏模块为光电传感器、摄像头中至少其中之一。本申请提供的技术方案至少具有如下有益效果：通过调整显示屏设置摄像头处的子像素密度，既满足了摄像头正常显示的要求，又兼顾了摄像头处需保持较高透光率的要求，由于不用为前置摄像头预留位置，因此可以省去有效显示区上方的非显示区，扩大屏占比，优化使用感受，从而，可以解决非显示区的存在导致使用者的使用感受不佳的技术问题。附图说明图1为本申请实施例提供的有机发光显示装置的层状结构示意图。图2为本申请提供的一种显示屏的子像素结构示意图。图3为本申请提供的一种显示屏的子像素的另一种结构示意图。图4为图2中第一类发光单元的子像素共用结构示意图。图5为图2中第二类发光单元的子像素共用结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。一种制造有机发光显示装置的方法，可以包括以下步骤：请参照图1，首先，准备基板11。基板11具有第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域。一组第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域可以构成一个像素区域。基板11可以具有多个像素区域。在一个实施例中，第一子像素区域可以是发射红光的子像素区域。第二子像素区域可以是发射绿光的子像素区域。第三子像素区域可以是发射蓝光的子像素区域。基板11可以由诸如玻璃材料、金属材料或包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺等的塑胶材料中合适的材料形成。薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)可以设置在基板11上。在一个实施例中，在形成TFT之前，可以在基板11上形成诸如缓冲层12的另外的层。缓冲层12可以形成在基板11的整个表面上，也可以通过被图案化来形成。缓冲层12可以具有包括PET、PEN、聚丙烯酸酯和/或聚酰亚胺等材料中合适的材料，以单层或多层堆叠的形式形成层状结构。缓冲层12还可以由氧化硅或氮化硅形成，或者可以包括有机材料和/或无机材料的复合层。TFT可以控制每个子像素的发射，或者可以控制每个子像素发射光时发射的量。TFT可以包括半导体层21、栅电极22、源电极23和漏电极24。半导体层21可以由非晶硅层、氧化硅层金属氧化物或多晶硅层形成，或者可以由有机半导体材料形成。在一个实施例中，半导体层21包括沟道区和掺杂有掺杂剂的源区与漏区。可以利用栅极绝缘层25覆盖半导体层21。栅电极22可以设置在栅极绝缘层25上。大体上，栅极绝缘层25可以覆盖基板11的整个表面。在一个实施例中，可以通过图案化来形成栅极绝缘层25。考虑到与相邻层的粘合、堆叠目标层的可成形性和表面平整性，栅极绝缘层25可以由氧化硅、氮化硅或其他绝缘有机或无机材料形成。栅电极22可以被由氧化硅、氮化硅和/或其他合适的绝缘有机或无机材料形成的层间绝缘层26覆盖。可以去除栅极绝缘层25和层间绝缘层26的一部分，在去除之后形成接触孔以暴露半导体层21的预定区域。源电极23和漏电极24可以经由接触孔接触半导体层21。考虑到导电性，源电极23和漏电极24可以由包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)或其他合适的合金中的至少一种材料的单一材料层或复合材料层形成。由氧化硅、氮化硅和/或其他合适的绝缘有机或无机材料形成的保护层27可以覆盖TFT。保护层27覆盖基板11的全部或局部部分。由于具有复杂的层结构的TFT设置在保护层27下方。因此保护层27的顶表面可能不是足够平坦。因此有必要在保护层27上形成平坦化层28，以便形成足够平坦的顶表面。在形成平坦化层28后，可以在保护层27和平坦化层28中形成通孔，以暴露TFT的源电极23和漏电极24。然后，在平坦化层28上形成第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33。第一子像素电极31形成在第一像素区域。第二子像素电极32形成在第二子像素区域。第三子像素电极33形成在第三子像素区域。这里，第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33可以同时地或同步地形成。第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33中的每一个可以经过通孔电连接到TFT。这里的第一子像素电极31、第二子像素电极32、第三子像素电极33通常被称为阳极。第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33中的每个可以形成透明电极(透反射式)或反射电极。当第一子像素电极31、第二子像素电极32本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示屏，其特征在于，包括：第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度。

【技术特征摘要】
2017.09.30 CN 20171092338671.一种显示屏，其特征在于，包括：第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度。2.根据权利要求1所述的显示屏，其特征在于，在所述第一显示区中，按照第一方式共用子像素形成第一类发光单元；在所述第二显示区中，按照第二方式共用子像素形成第二类发光单元；在所述第三显示区中，按照第三方式排布子像素形成第三类发光单元。3.根据权利要求2所述的显示屏，其特征在于，所述第一类发光单元呈共边的一对三角形的形状分布。4.根据权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述第一类发光单元为包括1个红色子像素、2个绿色子像素和1个蓝色子像素，所述红色子像素、所述蓝色子像素位于公共边，所述绿色子像素位于另外两个顶点。5.根据权利要求2所述的显示屏，其特征在于，所述第二类发光单元呈共顶点的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明星，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32