一种充电器反接保护线路制造技术

本实用新型专利技术涉及电子电路领域，尤其是指一种充电器反接保护线路，第一电阻器并联于第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一电阻器串联于三极管和PE端，所述第二MOSFET的漏极连接于OUT端，所述OUT端串联于第二电阻器和第三电阻器，所述第三电阻器的一端连接于三极管的基极，第三电阻器的另一端连接于PE端，此电路结构简单，成本低，并且实现了电池充电器反接功能，通过三极管的导通，致使第一MOSFET和第二MOSFET实现截止状态，进而实现反接保护作用，很好的实现当电路被反接时不会出现短路，造成损坏充电器和电池的情况，而充电器具有完好的反接保护电路深受到广大客户的认可和青睬。

【技术实现步骤摘要】
一种充电器反接保护线路
本技术涉及充电器领域，尤其是指一种充电器反接保护线路。
技术介绍
随着时代的发展，我国石油资源比较贫乏，燃气以及尾气的排放污染又是未来大中城市大气污染的主要来源，电动车辆发展无疑是未来发展的必然趋势，然而电动车离不开电池，电池最终离不开电池充电器，充电器加装防电池反接保护电池组中单体电池损坏的主要原因是使用不当或管理失控造成的，大型电池组的寿命有时连单体电池的一半寿命都不到，电池能量管理系统是保证电动汽车安全、保持动力电源系统正常应用和提高电池寿命的一种相当重要的技术措施，称为电动汽车电池的“保护神”，它起到对电池性能的保护、防止个别电池的早期损坏的作用、有利于电动汽车的运行，并具有各种警告和保护功能等，对于电池来讲如果表示输入电压+-极标示正确,对于充电器满足要求即可,但是为了安全着想,如果+-极标示错误,在连接充电器时候，会造成电池短路，会烧坏充电器以及电池，严重时候会引起起火现象；因此对于充电器要求要有反接保护作用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种对于电池充电时起到防反接效果，避免短路损坏充电器和电池。为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：一种充电器反接保护线路，包括OUT端、PE端、第一MOSFET、第二MOSFET、三极管、第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器，所述第一电阻器与第一MOSFET和第二MOSFET并联，所述第一电阻器串联于三极管和PE端，所述第二MOSFET的漏极连接于OUT端，所述OUT端串联于第二电阻器和第三电阻器，所述第三电阻器的一端连接于三极管的基极，第三电阻器的另一端连接于PE端。优选的，所述第一电阻器并联于第一MOSFET的源极和栅极，所述第一电阻器并联于第二MOSFET的源极和栅极。优选的，所述三极管的集电极连接于第一电阻器，三极管的发射极连接于PE端。优选的，所述第一电阻器并联有稳压二极管组，所述稳压二极管组并联位于第一电阻器和第二MOSFET之间。优选的，所述OUT端连接有第四电阻器，所述第四电阻器的另一端连接于第一MOSFET的漏极，所述第三电阻器并联有电容器。本技术的有益效果在于：提供了一种充电器反接保护线路，此电路结构简单，成本低，并且实现了电池充电器反接功能，通过三极管的导通，致使第一MOSFET和第二MOSFET实现截止状态，进而实现反接保护作用，很好的实现当电路被反接时不会出现短路，造成损坏充电器和电池的情况，而充电器具有完好的反接保护电路深受到广大客户的认可和青睬。附图说明图1为本技术充电器反接保护线路的电路原理图。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。如图1所示，一种充电器反接保护线路，包括OUT端、PE端、第一MOSFETQ1、第二MOSFETQ2、三极管Q3、第一电阻器R1、第二电阻器R2和第三电阻器R3，所述第一电阻器R1与第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2并联，所述第一电阻器R1串联于三极管Q3和PE端，所述第二MOSFETQ2的漏极连接于OUT端，所述OUT端串联于第二电阻器R2和第三电阻器R3，所述第三电阻器R3的一端连接于三极管Q3的基极，第三电阻器R3的另一端连接于PE端。本实施例的充电器反接保护线路，此电路结构简单，成本低，并且实现了电池充电器反接功能，通过三极管Q3的导通，致使第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2实现截止状态，进而实现反接保护作用，很好的实现当电路被反接时不会出现短路，造成损坏充电器和电池的情况，而充电器具有完好的反接保护电路深受到广大客户的认可和青睬。本实施例中，所述第一电阻器R1并联于第一MOSFETQ1的源极和栅极，所述第一电阻器R1并联于第二MOSFETQ2的源极和栅极，所述三极管Q3的集电极连接于第一电阻器R1，三极管Q3的发射极连接于PE端，所述第一电阻器R1并联有稳压二极管组Z1，所述稳压二极管组Z1并联位于第一电阻器R1和第二MOSFETQ2之间，所述OUT端连接有第四电阻器R4，所述第四电阻器R4的另一端连接于第一MOSFETQ1的漏极，所述第三电阻器R3并联有电容器C1。本实施例利用第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2的开关作用使充电器具有反接保护作用，在正常输出情况下，第一电阻器R1的电压为14V，达到第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2驱动电压开通条件，致使第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2导通，输出电压正常，满足充电器充电要求，当电池反接时候OUT端极性相反，瞬间有电压反灌过来，经过第二电阻器R2和第三电阻器R3的分压，致使三极管Q3导通，导致第一电阻器R1段电压拉底，无法达到第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2驱动电压开通条件，因而第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2无法导通，从而截止，从而起到反接保护作用，稳压二极管组Z1和第四电阻器R4在线路中的作用是起到保护第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2，通过以上从而实现充电器具有反接保护功能。在本技术的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”，“横向(X”、“纵向(Y”、“竖向(Z”“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本技术的具体保护范围。此外，如有术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含包括一个或者多个该特征，在本技术描述中，“数个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除另有明确规定和限定，如有术语“组装”、“相连”、“连接”术语应作广义去理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；也可以是机械连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介相连，可以是两个元件内部相连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述的术语在本技术中的具体含义。以上所述实施例仅表达了本技术的若干实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充电器反接保护线路，包括OUT端、PE端、第一MOSFET Q1、第二MOSFET Q2、三极管Q3、第一电阻器R1、第二电阻器R2和第三电阻器R3，其特征在于：所述第一电阻器R1与第一MOSFET Q1和第二MOSFET Q2并联，所述第一电阻器R1串联于三极管Q3和PE端，所述第二MOSFET Q2的漏极连接于OUT端，所述OUT端串联于第二电阻器R2和第三电阻器R3，所述第三电阻器R3的一端连接于三极管Q3的基极，第三电阻器R3的另一端连接于PE端。

【技术特征摘要】
1.一种充电器反接保护线路，包括OUT端、PE端、第一MOSFETQ1、第二MOSFETQ2、三极管Q3、第一电阻器R1、第二电阻器R2和第三电阻器R3，其特征在于：所述第一电阻器R1与第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2并联，所述第一电阻器R1串联于三极管Q3和PE端，所述第二MOSFETQ2的漏极连接于OUT端，所述OUT端串联于第二电阻器R2和第三电阻器R3，所述第三电阻器R3的一端连接于三极管Q3的基极，第三电阻器R3的另一端连接于PE端。2.根据权利要求1所述的充电器反接保护线路，其特征在于：所述第一电阻器R1并联于第一MOSFETQ1...

【专利技术属性】
技术研发人员：连华胜，张克旺，
申请(专利权)人：东莞市奥源电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44