三相负荷平衡装置制造方法及图纸

技术编号:18374856 阅读:26 留言:0更新日期:2018-07-05 23:50
本实用新型专利技术提供了一种三相负荷平衡装置,包括:平衡器、处理器和通讯模块;所述平衡器上的第一端、第二端和第三端分别与输电线路上的A相线路、B相线路和C相线路相连接;所述平衡器的控制端与所述处理器相连接;所述处理器与所述通讯模块相连接;所述平衡器,用于平衡输电线路中的电流;所述通讯模块,用于接收控制信号;所述处理器,用于根据所述控制信号控制所述平衡器,以使所述平衡器平衡输电线路中的电流。本实用新型专利技术通过控制器控制平衡器发出电流,实现平衡变压器低压输出线路末端的三相电流,保证用户端的用电设备安全、可靠的运行,并且具有结构简单、运行稳定和维护方便的有益效果。

【技术实现步骤摘要】
三相负荷平衡装置
本技术涉及电力设备
,具体涉及一种三相负荷平衡装置。
技术介绍
电力系统中三相电流或三相电压的幅值不一致,幅值差超过规定范围则导致三相不平衡。三相不平衡超过标准后危害很大,会引起电机的发热和振动;会造成变压器线圈过热增加线路损耗,影响变压器使用寿命。通常采用三相平衡调节装置对电力系统中的三相不平衡的电流或电压进行调节。现有的三相平衡调节装置通过分相分组投切单相电容或者采用有源动态逆变器,实现分相注入不同的电流。这种三相平衡调节装置成本高、发热量大,而且无法解决变压器低压输出线路末端的三相不平衡的电流。因此,亟需一种经济有效且稳定运行的装置满足变压器低压端输出电流平衡的要求。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷,提供一种三相负荷平衡装置,实现对变压器低压端的输出电流进行调节,达到平衡变压器低压端输出电流,以及平衡输电线路的负荷电流,消除三相线路的不平衡。为实现上述目的,本技术提供以下技术方案:一方面,本技术提供了一种三相负荷平衡装置,包括:平衡器、处理器和通讯模块;所述平衡器上的第一端、第二端和第三端分别与输电线路上的A相线路、B相线路和C相线路相连接;所述平衡器的控制端与所述处理器相连接;所述处理器与所述通讯模块相连接;所述平衡器,用于平衡输电线路中的电流;所述通讯模块,用于接收控制信号;所述处理器,用于根据所述控制信号控制所述平衡器,以使所述平衡器平衡输电线路中的电流。进一步的,所述三相负荷平衡装置还包括:三相断路器,所述三相断路器的第一相的两端分别与所述平衡器的第一端和输电线路的A相线路相连接;所述三相断路器的第二相的两端分别与所述平衡器的第二端和输电线路的B相线路相连接;所述三相断路器的第三相的两端分别与所述平衡器的第三端和输电线路的C相线路相连接;所述三相断路器,用于切断所述平衡器与输电线路之间的连接电路。进一步的,所述平衡器包括:IGBT晶体管D1、IGBT晶体管D2、IGBT晶体管D3、IGBT晶体管D4、IGBT晶体管D5、IGBT晶体管D6、电容C1、电容C2、电感LA、电感LB和电感LC;IGBT晶体管D1的发射极与IGBT晶体管D2的集电极相连接,IGBT晶体管D3的发射极与IGBT晶体管D4的集电极相连接,IGBT晶体管D5的发射极与IGBT晶体管D6的集电极相连接;IGBT晶体管D1的集电极分别与IGBT晶体管D3的集电极和IGBT晶体管D5的集电极相连接,IGBT晶体管D2的发射极分别与IGBT晶体管D4的发射极和IGBT晶体管D6的发射极相连接;IGBT晶体管D5的集电极通过电容C1与输电线路上的N线路相连接,IGBT晶体管D6的发射极通过电容C2与输电线路上的N线路相连接;IGBT晶体管D2的集电极、IGBT晶体管D4的集电极和IGBT晶体管D6的集电极分别通过电感LA、电感LB和电感LC分别与三相断路器的第一相、第二相和第三相电连接;每个IGBT晶体管的门极均与处理器相连接。进一步的,所述三相断路器与变压器低压输出线路末端的馈线相连接。进一步的,其特征在于,所述三相负荷平衡装置还包括:装置柜,所述装置柜的顶部设有若干散热孔;顶端设置有防护盖;内部设置有支撑架;所述平衡器、所述处理器和所述通讯模块从上至下依次设置在所述支撑架上。进一步的,所述处理器和所述通讯模块通过导线相连接。进一步的,所述三相负荷平衡装置还包括:天线,所述天线设置在所述装置柜的底部外侧壁上,且与所述装置柜内的所述通讯模块电连接。由上述技术方案可知,本技术所述的一种三相负荷平衡装置,通过控制器控制平衡器发出电流,实现平衡变压器低压输出线路末端的三相电流,保证用户端的用电设备安全、可靠的运行,并且具有结构简单、运行稳定和维护方便的有益效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例提供的三相负荷平衡装置的结构示意图;图2是本技术实施例提供的三相负荷平衡装置中平衡器的电路图;图3是本技术实施例提供的三相负荷平衡装置中平衡器中电流流向示意图;图4是本技术实施例提供的另一三相负荷平衡装置的结构示意图;图5是本技术实施例提供的装置柜的结构图;图6是本技术实施例提供的三相负荷平衡装置在输电线路上的安装位置示意图;图7是本技术实施例提供的装置柜的安装位置示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。本技术提供了一种三相负荷平衡装置,参见图1,三相负荷平衡装置包括:平衡器30、处理器20和通讯模块10;所述平衡器30上的第一端、第二端和第三端分别与输电线路上的A相线路、B相线路和C相线路相连接;所述平衡器30的控制端与所述处理器20相连接;所述处理器20与所述通讯模块10相连接;所述平衡器30,用于平衡输电线路中的电流;所述通讯模块10,用于接收控制信号;所述处理器20,用于根据所述控制信号控制所述平衡器30,以使所述平衡器30平衡输电线路中的电流。本技术提供的三相负荷平衡装置不包括检测输电线路上的电流或电压的装置,因此在进行三相负荷平衡调节时,需要处理器20通过通讯模块10接收外部发送的控制信号,处理器20根据控制信号控制平衡器30进行内部投切以使平衡器30输出电流,平衡器30输出的电流与输电线路上的电流进行叠加,达到平衡输电线路上的三相电流。上述平衡器30选择多个IGBT晶体管构成IGBT模块,实现平衡器内部的投切,采用IGBT晶体管可以避免因使用电容器等较大的储能装置造成的成本高、发热量大的问题。参见图2所示,本申请平衡器20的结构电路图,该平衡器的具体结构包括:IGBT晶体管D1、IGBT晶体管D2、IGBT晶体管D3、IGBT晶体管D4、IGBT晶体管D5、IGBT晶体管D6、电容C1、电容C2、电感LA、电感LB和电感LC;IGBT晶体管D1的发射极与IGBT晶体管D2的集电极相连接,IGBT晶体管D3的发射极与IGBT晶体管D4的集电极相连接,IGBT晶体管D5的发射极与IGBT晶体管D6的集电极相连接;IGBT晶体管D1的集电极分别与IGBT晶体管D3的集电极和IGBT晶体管D5的集电极相连接,IGBT晶体管D2的发射极分别与IGBT晶体管D4的发射极和IGBT晶体管D6的发射极相连接;IGBT晶体管D5的集电极通过电容C1与输电线路上的N线路相连接,IGBT晶体管D6的发射极通过电容C2与输电线路上的N线路相连接;IGBT晶体管D2的集电极、IGBT晶体管D4的集电极和IGBT晶体管D6的集电极分别通过电感LA、电感LB和电感LC分别与输电线路的A相线路、B相线路和C相线路相连接本文档来自技高网...
三相负荷平衡装置

【技术保护点】
1.一种三相负荷平衡装置,其特征在于,包括:平衡器、处理器和通讯模块;所述平衡器上的第一端、第二端和第三端分别与输电线路上的A相线路、B相线路和C相线路相连接;所述平衡器的控制端与所述处理器相连接;所述处理器与所述通讯模块相连接;所述平衡器,用于平衡输电线路中的电流;所述通讯模块,用于接收控制信号;所述处理器,用于根据所述控制信号控制所述平衡器,以使所述平衡器平衡输电线路中的电流。

【技术特征摘要】
1.一种三相负荷平衡装置,其特征在于,包括:平衡器、处理器和通讯模块;所述平衡器上的第一端、第二端和第三端分别与输电线路上的A相线路、B相线路和C相线路相连接;所述平衡器的控制端与所述处理器相连接;所述处理器与所述通讯模块相连接;所述平衡器,用于平衡输电线路中的电流;所述通讯模块,用于接收控制信号;所述处理器,用于根据所述控制信号控制所述平衡器,以使所述平衡器平衡输电线路中的电流。2.根据权利要求1所述的三相负荷平衡装置,其特征在于,所述三相负荷平衡装置还包括:三相断路器,所述三相断路器的第一相的两端分别与所述平衡器的第一端和输电线路的A相线路相连接;所述三相断路器的第二相的两端分别与所述平衡器的第二端和输电线路的B相线路相连接;所述三相断路器的第三相的两端分别与所述平衡器的第三端和输电线路的C相线路相连接;所述三相断路器,用于切断所述平衡器与输电线路之间的连接电路。3.根据权利要求2所述的三相负荷平衡装置,其特征在于,所述平衡器包括:IGBT晶体管D1、IGBT晶体管D2、IGBT晶体管D3、IGBT晶体管D4、IGBT晶体管D5、IGBT晶体管D6、电容C1、电容C2、电感LA、电感LB和电感LC;IGBT晶体管D1的发射极与IGBT晶体管D2的集电极相连接,IGBT晶体管D3的发射极与IGBT晶体管D4的集电极相连接,IGBT晶体管D5的发射...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐安张磊
申请(专利权)人:北京华电瑞通电力工程技术有限公司
类型:新型
国别省市:北京,11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1