量子点复合物及其制备方法和包括其的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种量子点复合物及其制备方法和包括其的显示装置。量子点复合物包括量子点和位于量子点外部且覆盖量子点的二氧化硅层。制备量子点复合物的方法包括：将量子点与第一溶剂混合，以获得表面被羟基配体修饰的量子点；将获得的表面被羟基配体修饰的量子点与硅酸四乙酯的醇溶液混合。根据本发明专利技术的实施例的量子点复合物的稳定性高，并且其制造步骤简单，不需要任何催化剂。根据本发明专利技术的实施例的包括量子点复合物的显示装置具有优异的显示质量和高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点复合物及其制备方法和包括其的显示装置
本专利技术涉及量子点
，具体地讲，涉及一种量子点复合物、该量子点复合物的制备方法和包括该量子点复合物的显示装置。
技术介绍
量子点(QuantumDot,QD)是具有芯或芯-壳结构的纳米颗粒，量子点受到光或电等的激发而发射在不同波长范围内的光线，因此有效地用于许多领域，尤其是用于显示装置中。量子点的优势在于：通过调控量子点的尺寸，可以实现发光波长范围覆盖到红外及整个可见光波段，且发射光波段窄、色彩饱和度高；量子点材料的量子转换效率高；材料性能稳定；制备方法简单多样，可以从溶液中制备，资源丰富。量子点材料具有发光光谱集中、色纯度高、发光波长高度可调等优点，因此可以大幅度提高目前LCD显示器的色域，并且提高LCD显示器的色彩还原能力。现有的QD-LCD主要将发光波段在R(红)、G(绿)、B(蓝)的量子点混合封装于工程塑料薄膜(QDfilm)或玻璃管(QDtube)中，并将该结构置于背光与显示系统之间的位置，以传统白光背光激发，达到丰富色域的目的。量子点可分散于溶剂中以制成用于打印、转印、旋涂等工艺的墨水，特别是近来备受关注的喷墨打印(InkjetPrinting，IJP)技术，其用于打印电致发光的显示器件。该技术对QD墨水有一定的要求，现有的QD墨水存在稳定性低的缺陷。因此，由于量子点的较低的稳定性等原因会降低其发光效率，因此限制了量子点的应用。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术的一方面提供了一种具有高稳定性和/或高发光效率的量子点复合物。根据本专利技术的示例性实施例，一种量子点复合物包括：量子点；二氧化硅层，二氧化硅层位于量子点外部且覆盖量子点。在一个实施例中，二氧化硅层可以直接地覆盖量子点的外表面。本专利技术的另一方面提供了一种制备量子点复合物的方法，所述方法包括：(A)将量子点与第一溶剂混合，以获得表面被羟基配体修饰的量子点；(B)将获得的表面被羟基配体修饰的量子点与硅酸四乙酯的醇溶液混合。所述方法还可以包括：在步骤(B)之后，在常温或加热条件下形成量子点复合物凝胶。在一个实施例中，第一溶剂可以是具有羟基的溶剂。在一个实施例中，第一溶剂可以是具有巯基和羟基的溶剂。在一个实施例中，量子点与硅酸四乙酯的混合比可以满足量子点：硅酸四乙酯＝0.05～10％，该混合比为质量百分比。在一个实施例中，硅酸四乙酯的醇溶液的浓度可以为2～20wt％。本专利技术的另一方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一基底、位于第一基底下方的TFT层、位于TFT层下方的液晶层、位于液晶层下方的第一偏振层、位于第一偏振层下方的封装层和位于封装层下方的QDCF层，其中，QDCF层包括上述的量子点复合物。本专利技术的又一方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一基底、位于第一基底下方的第二基底、位于第二基底下方的第一偏振层、位于第一偏振层下方的TFT层、位于TFT层下方的液晶层、位于液晶层下方的第三基底和位于第一基底与第二基底之间的QDCF层，其中，QDCF层包括上述的量子点复合物。根据本专利技术的实施例的量子点复合物的稳定性高，并且其制造步骤简单，不需要任何催化剂。根据本专利技术的实施例的显示装置可以具有高色彩饱和度、高发光效率和持久优异的显示质量。附图说明图1是示出根据本专利技术的示例性实施例的量子点复合物的示意图。图2是示出根据本专利技术的示例性实施例的用于制备量子点复合物的方法的流程图。图3是示出根据本专利技术的示例性实施例的QD-LCD显示装置的示例性剖视图。图4是示出图3的根据本专利技术的示例性实施例的QD-LCD显示装置的QDCF层的示例性剖视图。图5是示出根据本专利技术的另一示例性实施例的QD-LCD显示装置的示例性剖视图。具体实施方式下面详细地描述本专利技术的示例性的实施方案。然而，本专利技术并不限制于下述的示例性的实施方案，而是可以各种不同的形式实现。描述以下示例性的实施方案从而使本领域技术人员能够实施和实现本专利技术。在整个说明书中相同的附图标记是指相同的单元。图1是示出根据本专利技术的示例性实施例的量子点复合物10的示意图。参照图1，根据本专利技术的示例性实施例的量子点复合物10可以包括：量子点11；二氧化硅(SiO2)层12，该SiO2层12位于量子点11外部且覆盖量子点11。SiO2层12可以包覆或围绕量子点11。SiO2层12可以位于量子点11的外表面上。SiO2层12可以直接地覆盖量子点11的外表面，而在它们之间没有其他中间物。根据本专利技术的示例性实施例的量子点复合物10可以具有大体上球形或椭球形的形状，例如，可以是具有球形或椭球形的形状的颗粒。例如，具有近似球形颗粒形状的量子点复合物10的直径可以在几十纳米至几个微米的范围内，例如2nm至10nm。可选地，包覆量子点11的SiO2层12可以具有10nm～20μm的厚度。量子点11可以是核-壳型的单层结构或多层结构。量子点11的每一层可以包括从CdS、CdO、CdSe、CdTe、ZnS、ZnO、ZnSe、ZnTe、MnS、MnO、MnSe、MnTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、CaO、CaS、CaSe、CaTe、SrO、SrS、SrSe、SrTe、BaO、BaS、BaSe、BaTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、Al2O3、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2O3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2O3、In2S3、In2Se3、In2Te3、SiO2、GeO2、SnO2、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbO2、PbS、PbSe、PbTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、BP、Si、Ge及其组合中选择的至少一种。在一个实施例中，量子点11可以包括发光核和无机壳层，其中，用于发射绿光的发光核的材料可以包括ZnCdSe2、InP和Cd2SSe中的至少一种，用于发射红光的发光核的材料可以包括CdSe、Cd2SeTe和InAs中的至少一种，用于形成无机壳层的材料可以包括CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS和ZnO中的至少一种。图2是示出根据本专利技术的示例性实施例的用于制备量子点复合物的方法的流程图。参照图2，将量子点与第一溶剂混合，以获得表面被羟基(-OH)配体修饰的量子点(S11)。在一个实施例中，第一溶剂可以是具有羟基的溶剂。优选地，第一溶剂可以是具有巯基(-SH)和羟基的溶剂。例如，第一溶剂的一端可以具有巯基。在一个实施例中，第一溶剂可以是下面的化合物1、2和3中的至少一种。例如，第一溶剂可以是谷胱甘肽。此外，将获得的表面被羟基(-OH)配体修饰的量子点与硅酸四乙酯(TEOS)的醇溶液混合(S12)。在一个实施例中，TEOS的醇溶液的浓度为2～20wt％。可选地，量子点与TEOS的混合比(质量百分比)满足量子点：TEOS＝0.05～10％。TEOS水解生成SiO2的反应式如下面的式A所示。根据本专利技术的示例性实施例，表面被羟基(-OH)配体修饰的量子点与硅酸四乙酯发生的反应如式B所示，量子点表面的-OH可以诱导醇解反应，醇解后QD直接连接着硅氧基，从而在QD的表面形成了SiO2的原位包覆。因此，可以不需要任何催化剂地形成SiO2层稳定地覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点复合物，其特征在于，包括：量子点；二氧化硅层，二氧化硅层位于量子点外部且覆盖量子点。

【技术特征摘要】
1.一种量子点复合物，其特征在于，包括：量子点；二氧化硅层，二氧化硅层位于量子点外部且覆盖量子点。2.根据权利要求1所述的量子点复合物，其特征在于，二氧化硅层直接地覆盖量子点的外表面。3.一种制备量子点复合物的方法，其特征在于，包括：(A)将量子点与第一溶剂混合，以获得表面被羟基配体修饰的量子点；(B)将获得的表面被羟基配体修饰的量子点与硅酸四乙酯的醇溶液混合。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在步骤(B)之后，在常温或加热条件下形成量子点复合物凝胶。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一溶剂是包括羟基的溶剂。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一溶剂是包括巯基和羟基的溶剂。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，量子点与硅酸四...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬泽，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44