一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种大面积热丝化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜生长装置。该装置设有密闭的反应腔体，反应腔体内的上部设有气体喷淋环，气体喷淋环通过管路与外部气源连接，反应腔体的外侧设有抽真空系统和真空测控系统；气体喷淋环下方于反应腔体内，平行依次布置热丝、基片、导电层、绝缘层、水冷样品台，基片、导电层、绝缘层叠放于水冷样品台上，水冷样品台通过转轴与外部调速电机相连接。本实用新型专利技术可以实现在大面积基片上快速、均匀沉积金刚石薄膜电极，减少反应气体的消耗，沉积过程中能测控热丝的温度、工件表面的温度和反应腔内的压强，能准确控制金刚石薄膜沉积各项主要工艺参数，工艺重复性好。

A large area hot filament CVD diamond film growth device

The utility model relates to the field of diamond film growth, in particular to a large-area hot filament chemical vapor deposition (CVD) diamond film growth device. The device has a closed reaction cavity, the upper part of the reaction chamber is equipped with a gas spray ring, and the gas spray ring is connected with the external gas source through the pipeline. The outside of the reaction chamber is equipped with a vacuum system and a vacuum measurement and control system. The substrate, conductive layer and insulation layer are stacked on the water cooled sample stage. The water-cooled sample stage is connected with the external speed regulating motor through the rotating shaft. The utility model can achieve rapid and uniform deposition of diamond film electrodes on large area substrates, reduce the consumption of reaction gases, measure the temperature of hot wire, temperature of the surface of the workpiece and pressure in the reaction chamber during the deposition process, and can accurately control the main process parameters of diamond film deposition, and the process reproducibility is good.

【技术实现步骤摘要】
一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置
本技术涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种大面积热丝化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜生长装置。
技术介绍
金刚石薄膜以其优越的性能成为21世纪的新型功能材料。从20世纪80年代初开始，一直受到世界各国的广泛重视，因为金刚石膜具有一系列优异性能十分接近自然界中金刚石，具有最高硬度，高的弹性模量，极低的摩擦系数，极高的热导率，高的室温电阻率，极佳的绝缘性能，又有很高的电子和空穴转移率，并且在较宽的光波段范围内透明，具有较高的禁带宽度，成为新一代的功能半导体材料；同时它还具有极好的耐酸碱，抗腐蚀性是很好的耐蚀材料。作为电极材料它不同于普通的金属电极，因为它表面的共价结构、很宽的带隙和掺杂等，性能大大优于传统的玻璃碳、热解石墨及其他形式的电极；金刚石膜电极有很宽的势窗、很小的背景电流、很高的化学和电化学稳定性、没有有机物和生物化合物的吸附、其电化学响应在很长的时间内保持稳定、耐腐蚀等，可用于对有毒有机化合物的电化学处理，高灵敏度有害化合物的探测及分析，特别是微电极可用于生物细胞组织中核酸及微量成分的测量和监控。金刚石与水介质问有效势垒高达3V(激活碳是1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置，其特征在于，该装置设有密闭的反应腔体，反应腔体内的上部设有气体喷淋环，气体喷淋环通过管路与外部气源连接，反应腔体的外侧设有抽真空系统和真空测控系统；气体喷淋环下方于反应腔体内，平行依次布置热丝、基片、导电层、绝缘层、水冷样品台，基片、导电层、绝缘层叠放于水冷样品台上，水冷样品台通过转轴与外部调速电机相连接。

【技术特征摘要】
1.一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置，其特征在于，该装置设有密闭的反应腔体，反应腔体内的上部设有气体喷淋环，气体喷淋环通过管路与外部气源连接，反应腔体的外侧设有抽真空系统和真空测控系统；气体喷淋环下方于反应腔体内，平行依次布置热丝、基片、导电层、绝缘层、水冷样品台，基片、导电层、绝缘层叠放于水冷样品台上，水冷样品台通过转轴与外部调速电机相连接。2.按照权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜辛，刘鲁生，黄楠，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：新型
国别省市：辽宁,21