发光多孔硅材料的制备方法技术

一种采用脉冲电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用直流电流腐蚀的方法。在腐蚀过程中，电化学反应主要集中在多孔硅硅孔的底部，反应生成的化学产物容易沉积在硅孔中，阻止反应的进一步进行，导致直流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔孔径比较大，分布不均匀，界面不平整，腐蚀效率不高等缺点。而且以这种方法制备的多孔硅材料光学特性不够好。本发明专利技术利用脉冲的特性，把脉冲电流引入多孔硅电化学腐蚀，即在腐蚀一定时间以后让腐蚀电流停止一段时间，这样可以让反应产物有时间从硅孔中扩散出来。脉冲腐蚀法得到的多孔硅材料无论是表面界面结构还是光学特性都得到了极大的提高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光多孔硅材料的制备方法，其特征是用脉冲电流取代传统的直流电流腐蚀多孔硅材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯晓远，范洪雷，柳毅，熊祖洪，丁训民，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]