The invention provides an array substrate and a liquid crystal display panel. The array substrate includes a plurality of grid lines, multiple data lines and a plurality of sub pixels of array arrangement. Each sub pixel includes a first film transistor, a second thin film transistor, a third thin film transistor, a pixel electrode, and a first end and a pixel of the first film transistor. The electrode connection, the first end of the second thin film transistor and the second end of the first film transistor are connected to the same data line, the second end of the second thin film transistor and the first end of the third thin film transistor are all connected with the pixel electrodes, and the second end of the third thin film tube in the N row pixel and the pixels of the sub pixel of the first N+1 The electrode connection; in which N is more than 1, the first end of the thin film transistor is one in the source and the drain, the second end is the other in the source and the drain, and the third end is the gate. The invention can eliminate the influence of the discharge of the array substrate on the potential of the common voltage Acom of the array substrate, and reduce the occurrence of crosstalk of the array substrate. One
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及液晶显示面板
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
技术介绍
在现有的TFT-LCD(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay,薄膜晶体管液晶显示器)面板(简称液晶显示面板)中,一般采用3T像素结构设计,即一个子像素中包含有3个薄膜晶体管。采用3T像素结构设计的TFT-LCD面板具有开口率高,色偏效果改善明显,因而3T像素结构应用在主流的VA型(垂直型)TFT-LCD面板中。如图1所示,图1示出了3T像素结构的等效电路图,薄膜晶体管T2接入阵列基板公共电压Acom,实现TFT-LCD面板上的次区子像素的放电功能。但在3T像素结构的制程中,由于受到制程稳定性等因素影响,导致薄膜晶体管T1、T2、T3的沟道长宽比较大,因而会导致对应薄膜晶体管的电压电流出现漂移,即对应薄膜晶体管的电流电压特性浮动比较大,进而导致TFT-LCD面板在显示串扰画面时,阵列基板公共电压Acom的电位跳变差异放大。受阵列基板公共电压Acom电位跳变的影响,TFT-LCD面板出现水平串扰。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供一种阵列基板及液晶显示面板,消除阵列基板放电时对阵列基板公共电压的电位影响,降低阵列基板串扰的发生。本专利技术提供的一种阵列基板,包括多条栅极线、多条数据线以及阵列排布的多个子像素;每一子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、像素电极;所述第一薄膜晶体管的第一端与所述像素电极连接,所述第二薄膜晶体管的第一端以及所述第一薄膜晶体管的第二端接入同一条数据线,所述第二 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多条栅极线、多条数据线以及阵列排布的多个子像
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多条栅极线、多条数据线以及阵列排布的多个子像素;每一子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、像素电极;所述第一薄膜晶体管的第一端与所述像素电极连接,所述第二薄膜晶体管的第一端以及所述第一薄膜晶体管的第二端接入同一条数据线,所述第二薄膜晶体管的第二端以及所述第三薄膜晶体管的第一端均与所述像素电极连接,且第N行子像素中所述第三薄膜晶体管的第二端与第N+1行子像素的像素电极连接;第N行子像素中所述第一薄膜晶体管的第三端、所述第二薄膜晶体管的第三端以及所述第三薄膜晶体管的第三端均与第N条栅极线连接;其中,N≥1,薄膜晶体管的第一端为源极和漏极中的一个,第二端为源极和漏极中的另一个,第三端为栅极。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,同一列子像素中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均与同一条数据线连接,同一行子像素中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管均与同一条栅极线连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每...
【专利技术属性】
技术研发人员:王金杰,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。