一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法技术

一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法，涉及一种导电高分子材料聚吡咯。提供一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法。１）吡咯使用前采用常压蒸馏，取１２８～１３１℃的馏分，避光氮气气氛下冷藏；２）将高氯酸锂或对甲苯磺酸钠溶于水中得溶液Ａ；３）在溶液Ａ中加入步骤１）所得的吡咯，通氮气得溶液Ｂ；４）将基片打磨后依次放入乙醇和水中超声波清洗；５）在三电极电解池中，将步骤４）所得的基片作为工作电极，铂片作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，溶液Ｂ作为支持电解液，聚合，真空干燥，获得目标产物。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法，其特征在于其步骤为：　　　　１）吡咯使用前采用常压蒸馏，取１２８～１３１℃的馏分，然后避光氮气气氛下冷藏备用；　　　　２）将高氯酸锂或对甲苯磺酸钠溶于水中，得到溶液Ａ；　　　　３）在溶液Ａ中，加入步骤１）所得的吡咯，并通氮气，得到溶液Ｂ，吡咯的摩尔浓度与高氯酸锂或对甲苯磺酸钠的摩尔浓度比为１∶（０．１～５）；　　　　４）将基片打磨后依次放入乙醇和水中超声波清洗备用；　　　　５）在三电极电解池中，将步骤４）所得的基片作为工作电极，铂片作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，溶液Ｂ作为支持电解液，聚合，真空干燥，获得目标产物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊兆贤，林丞，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]