用于形成硅氧层的组成物、制造硅氧层的方法及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma  [方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。 1

Composition for forming silicon oxide layer, method for manufacturing silicon oxygen layer and electronic device

The present invention relates to a composition for the formation of a silicon oxide layer, a method of producing a silicon oxide layer and an electronic device. The composition of the silicon oxide layer includes a silicon containing polymer and a solvent, in which the average weight of the weight of the silicon polymer is within the range of 2000 to 100000, and the silicon containing polymerization calculated by the equation 1 The branch ratio of the substance (a) is within the range of 0.25 to 0.50. The equation 1] in equation 1, in equation 1, is the intrinsic viscosity of the polymer containing silicon, M is the absolute molecular weight of the silicon containing polymer, the A is the branch ratio, and the K is an intrinsic constant. Therefore, the silicon oxide layer, which is used for the formation of the composition of the silicon oxide layer, has a dense structure, and thus reduces the loss and layer stress and improves the etch resistance and the peaceful surface characteristics. One

【技术实现步骤摘要】
用于形成硅氧层的组成物、制造硅氧层的方法及电子装置相关申请案的交叉参考本申请案要求2016年12月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请案第10-2016-0166797号的优先权和权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及用于形成硅氧层的组成物、制造硅氧层的方法以及包括硅氧层的电子装置。
技术介绍
平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为切换装置，并且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。此外，在半导体与若干电极之间形成绝缘层以将其隔开。绝缘层可以是包含硅组分的硅氧层。通常，通过涂布聚硅氮烷、聚硅氧烷或其混合物并且将所述涂层转化成氧化物膜来形成硅氧层，并且在薄膜耐久性方面需要抗蚀刻性以及同时在涂层特性方面需要间隙填充特征以便获得均匀的层。这些特征彼此具有平衡关系，并且因此需要同时满足所述特性的用于形成硅氧层的材料。
技术实现思路
一个实施例提供用于形成具有密集型结构的硅氧层的组成物，其可减少损耗或层应力的产生，并且改良抗蚀刻性以及同时确保间隙填充特征。另一实施例提供一种使用用于形成硅氧层的组成物制造硅氧层的方法。另一实施例提供一种包含硅氧层的电子装置。根据一实施例，用于形成硅氧层的组成物包括含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。[方程式1]η＝k×Ma在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。含硅聚合物的固有粘度可在3mg/L到15mg/L范围内。含硅聚合物的绝对分子量可在2,000g/mol到300,000g/mol范围内。含硅聚合物可包含聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合。溶剂可包含由以下各项中选出的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、环己烷、环己烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁酮以及其组合。按用于形成硅氧层的组成物的总量计，可包含0.1重量％到30重量％的量的含硅聚合物。根据另一实施例，用于制造硅氧层的方法包含在衬底上涂布用于形成硅氧层的组成物，干燥涂布有所述用于形成硅氧层的组成物的衬底以及在250℃到1,000℃下固化所述用于形成硅氧层的组成物。根据另一实施例，电子装置包括硅氧层。根据一实施例的用于形成硅氧层的组成物包括固态含硅聚合物，其具有预定的重量平均分子量和分支比。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。具体实施方式将在下文中详细描述本专利技术的例示性实施例，且可容易地由具有相关领域中常识的人员执行。然而，本专利技术可以许多不同形式实施，并且不应理解为限于本文所阐述的实例实施例。如本文中所使用，当未另外提供定义时，术语‘经取代的’可以指化合物中的氢由以下中选出的取代基置换：卤素原子(F、Br、Cl或I)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、甲脒基、肼基、亚肼基、羰基、氨甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1到C20烷基、C2到C20烯基、C2到C20炔基、C6到C30芳基、C7到C30芳基烷基、C1到C30烷氧基、C1到C20杂烷基、C2到C20杂芳基、C3到C20杂芳基烷基、C3到C30环烷基、C3到C15环烯基、C6到C15环炔基、C2到C30杂环烷基以及其组合。如本文所使用，当未另外提供定义时，术语‘杂’是指包含1到3个由N、O、S以及P中选出的杂原子的一个基团。此外，在说明书中，标志“＊”是指某物在何处与相同或不同的原子或化学式连接。在下文中，描述一种根据一实施例的用于形成硅氧层的组成物。根据一实施例的用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物具有2,000到100,000的重量平均分子量和0.25到0.50的分支比。本文中，通过称为马克-霍温克-樱田方程式(Mark-Houwink-Sakuradaequation)的方程式1计算分支比。[方程式1]η＝k×Ma在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。在方程式1(马克-霍温克-樱田方程式)中，分支比(a)对应于曲线的斜率。通常，当聚合物具有大分支比时，聚合物具有大量直链结构并且因此变得不太密集，而当聚合物具有小分支比时，聚合物具有高交联度并且因此具有密集型结构。因此，聚合物的分支比可以是表示聚合物的层密集度的因子。根据一实施例，用于形成硅氧层的组成物中所包含的含硅聚合物经设计以具有预定范围内的重量平均分子量，并且同时具有符合预定范围内的分支比的结构。因此，用于形成硅氧层的组含物可同时满足抗蚀刻性和其所形成的层的平坦度。此外，组成物可减少损耗和层的应力，并且因此获得具有高质量的层。如上文所描述，由马克-霍温克-樱田方程式计算含硅聚合物的分支比(a)，其中测量含硅聚合物的固有粘度和绝对分子量，并且接着使用所测量的固有粘度和绝对分子量通过马克-霍温克-樱田方程式计算分支比。另一方面，在方程式1中，k是固有常数。通常，将通过GPC测量材料的绝对分子量(LS检测器)和固有粘度值输入程序(Astra软件)中，并且可获得分支比和固有常数k，或可通过获取Log值借助于马克-霍温克-樱田方程式获得。举例来说，含硅聚合物的分支比(a)可具体是0.25到0.50、0.26到0.50、0.27到0.50或0.28到0.50，但不限于此。举例来说，含硅聚合物的固有粘度可在3到15(mg/L)范围内并且绝对分子量可在2,000g/mol到300,000g/mol或2,000到200,000g/mol范围内，但不限于此。含硅聚合物包含聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合，并且可具有例如500到10,000的数目平均分子量，但不限于此。含硅聚合物可例如包含由化学式A表示的部分。[化学式A]在化学式A中，R1到R3独立地是氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，并且“*”指示连接点。举例来说，含硅聚合物可以是通过使卤代硅烷与氨反应产生的聚硅氮烷。举例来说，除由化学式A表示的部分以外，用于形成硅氧层的组成物中的含硅聚合物可更包含由化学式B表示的部分。[化学式B]化学式B中的R4到R7独立地是氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成硅氧层的组成物，其特征在于，包括含硅聚合物和溶剂，

【技术特征摘要】
2016.12.08 KR 10-2016-01667971.一种用于形成硅氧层的组成物，其特征在于，包括含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并.且由方程式1计算的所述含硅聚合物的分支比在0.25到0.50范围内：方程式1：η＝k×Ma其中，在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，且k是固有常数。2.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物，其中所述含硅聚合物的固有粘度在3mg/L到15mg/L范围内。3.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物，其中所述含硅聚合物的绝对分子量在2,000g/mol到300,000g/mol范围内。4.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物，其中所述含硅聚合物包...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈秀姸，裵鎭希，郭泽秀，金龙国，金眞敎，卢健培，尹熙灿，李知虎，黄丙奎，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR