一种用于限流的七芯片整流器制造技术

本实用新型专利技术涉及整流器的技术领域，特别地涉及一种用于限流的七芯片整流器，包括：底座，壳体，壳体上开设有若干空心槽，三个芯片电极组件，芯片电极组件包括：第一陶瓷基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片和第一半导体电极，第二半导体电极，第二陶瓷基板，第一可控硅电极，连接电极，可控硅芯片位于第二半导体芯片一侧，第二可控硅电极包括：依次连接的第四固定部、第四连接部和第五焊接部，第五焊接部固定连接于可控硅芯片上表面，第四固定部穿过空心槽并折弯，固定件，固定件用于底端通过引线与可控硅芯片连接，固定件穿过空心槽并在壳体上下两侧折弯，解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于限流的七芯片整流器
本技术涉及整流器的
，特别地涉及一种用于限流的七芯片整流器。
技术介绍
三相整流模块，是将数个整流管封装在同一个壳体内，构成一个完整的整流电路。随着电力半导体模块的工艺制造技术、设计能力、测试水平以及生产经验的不断完善，目前三相整流模块已经普遍适用于变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不停电电源、高频感应加热电源、工业电磁炉以及电动车增程器等行业。但是大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：为了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，本技术提供了一种用于限流的七芯片整流器，将三块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板焊接于底座，第二陶瓷基板安装在任意两个第一陶瓷基板之间，第一陶瓷基板上一侧焊接有第二半导体电极，第二半导体电极的第三焊接部上焊接有第二半导体芯片，第二半导体电极的第二固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体上，第一陶瓷基板上另一侧焊接有第一半导体电极，第一半导体电极的第二焊接部焊接至第二半导体芯片的上表面，第一半导体电极的第一固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体上，第一半导体电极的第一焊接部上焊接有第一半导体芯片，第二陶瓷基板上位于第二半导体芯片的一侧焊接有第一可控硅电极，第一可控硅电极的第四焊接部上焊接有可控硅芯片，第一可控硅电极的第三固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定在壳体上，可控硅芯片上表面焊接有第二可控硅电极,第二可控硅电极的第四固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过罗山与螺母配合固定在壳体上，最后在第一半导体芯片和第四焊接部上表面焊接连接电极，可控硅芯片通过引线与固定件连接。解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于限流的七芯片整流器，包括：底座，壳体，所述壳体上开设有若干空心槽，三个芯片电极组件，所述芯片电极组件包括：第一陶瓷基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片和第一半导体电极，所述第一陶瓷基板固定于底座上，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片均设置在陶瓷基板上方，所述第一半导体电极包括：依次连接的第一固定部、第一连接部、第一焊接部、折弯部和第二焊接部，所述第二焊接部固定连接于第二半导体芯片上方，所述第一焊接部固定连接于第一半导体芯片与第一陶瓷基板之间，所述第一固定部穿过空心槽并折弯，第二半导体电极，所述第二半导体电极包括：依次连接的第二固定部、第二连接部和三个第三焊接部，一个所述第三焊接部对应一个芯片电极组件，所述第三焊接部固定于第二半导体芯片与第一陶瓷基板之间，第二陶瓷基板，所述第二陶瓷基板固定连接于底座上，所述第二陶瓷基板设置在相邻两个第一陶瓷基板之间，第一可控硅电极，所述第一可控硅电极包括：依次连接的第三固定部、第三连接部和第四焊接部，所述第四焊接部固定于第二陶瓷基板上方，所述第三固定部穿过空心槽并折弯，连接电极，所述连接电极与每个第一半导体芯片的上表面连接，所述连接电极与位于第一半导体电极侧的第四焊接部上表面连接，可控硅芯片，所述可控硅芯片固定于第四焊接部上，所述可控硅芯片位于第二半导体芯片一侧，第二可控硅电极，所述第二可控硅电极包括：依次连接的第四固定部、第四连接部和第五焊接部，所述第五焊接部固定连接于可控硅芯片上表面，所述第四固定部穿过空心槽并折弯，固定件，所述固定件用于底端通过引线与可控硅芯片连接，所述固定件穿过空心槽并在壳体上下两侧折弯。作为优选，相邻两个所述空心槽之间设有凸楞。作为优选，所述壳体中间开设有灌装槽。具体地，所述灌装槽与空心槽之间通过卡块连接。具体地，所述第一固定部、第二固定部、第三固定部、第四固定部和固定件均与壳体形成90°折弯。作为优选，所述第一固定部与第一连接部之间、所述第二固定部与第二连接部之间、所述第三固定部与第三连接部之间、所述第四固定部与第四连接部之间均设有便于折弯的折弯孔。本技术的有益效果是：本技术提供了一种用于限流的七芯片整流器，将三块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板焊接于底座，第二陶瓷基板安装在任意两个第一陶瓷基板之间，第一陶瓷基板上一侧焊接有第二半导体电极，第二半导体电极的第三焊接部上焊接有第二半导体芯片，第二半导体电极的第二固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体上，第一陶瓷基板上另一侧焊接有第一半导体电极，第一半导体电极的第二焊接部焊接至第二半导体芯片的上表面，第一半导体电极的第一固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体上，第一半导体电极的第一焊接部上焊接有第一半导体芯片，第二陶瓷基板上位于第二半导体芯片的一侧焊接有第一可控硅电极，第一可控硅电极的第四焊接部上焊接有可控硅芯片，第一可控硅电极的第三固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定在壳体上，可控硅芯片上表面焊接有第二可控硅电极,第二可控硅电极的第四固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过罗山与螺母配合固定在壳体上，最后在第一半导体芯片和第四焊接部上表面焊接连接电极，可控硅芯片通过引线与固定件连接。解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。本技术提供了一种用于限流的九芯片整流器，为了解决整流器模块在插导线进行使用时两导线相接触引起电路故障的问题，相邻两个空心槽之间设有凸楞，每一根与壳体上空心槽位置处对应的导线均通过凸楞分隔，使得相邻两导线不会相互接触，避免发生电路故障事故。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术一种用于限流的七芯片整流器的结构示意图；图2是第一半导体电极的结构示意图；图3是第二半导体电极的结构示意图；图4是第一可控硅电极的结构示意图；图5是第二可控硅电极的结构示意图；图中：1.底座，2.壳体，3.空心槽，4.第一陶瓷基板，5.第一半导体芯片，6.第二半导体芯片，7.第一半导体电极，71.第一固定部，72.第一连接部，73.第一焊接部，74.折弯部，75.第二焊接部，8.第二半导体电极，81.第二固定部，82.第二连接部，83.第三焊接部，9.第二陶瓷基板，10.第一可控硅电极，101.第三固定部，102.第三连接部，103.第四焊接部，11.连接电极，12.可控硅芯片，13.第二可控硅电极，131.第四固定部，132.第四连接部，133.第五焊接部，14.固定件，15.凸楞，16.灌装槽，17卡块，18.折弯孔。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图所示，本技术提供了一种用于限流的七芯片整流器，包括：底座1，壳体2，壳体2上开设有若干空心本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于限流的七芯片整流器，其特征在于包括：底座(1)，壳体(2)，所述壳体(2)上开设有若干空心槽(3)，三个芯片电极组件，所述芯片电极组件包括：第一陶瓷基板(4)、第一半导体芯片(5)、第二半导体芯片(6)和第一半导体电极(7)，所述第一陶瓷基板(4)固定于底座(1)上，所述第一半导体芯片(5)和第二半导体芯片(6)均设置在第一陶瓷基板(4)上方，所述第一半导体电极(7)包括：依次连接的第一固定部(71)、第一连接部(72)、第一焊接部(73)、折弯部(74)和第二焊接部(75)，所述第二焊接部(75)固定连接于第二半导体芯片(6)上方，所述第一焊接部(73)固定连接于第一半导体芯片(5)与第一陶瓷基板(4)之间，所述第一固定部(71)穿过空心槽(3)并折弯，第二半导体电极(8)，所述第二半导体电极(8)包括：依次连接的第二固定部(81)、第二连接部(82)和三个第三焊接部(83)，一个所述第三焊接部(83)对应一个芯片电极组件，所述第三焊接部(83)固定于第二半导体芯片(6)与第一陶瓷基板(4)之间，第二陶瓷基板(9)，所述第二陶瓷基板(9)固定连接于底座(1)上，所述第二陶瓷基板(9)设置在相邻两个第一陶瓷基板(4)之间，第一可控硅电极(10)，所述第一可控硅电极(10)包括：依次连接的第三固定部(101)、第三连接部(102)和第四焊接部(103)，所述第四焊接部(103)固定于第二陶瓷基板(9)上方，所述第三固定部(101)穿过空心槽(3)并折弯，连接电极(11)，所述连接电极(11)与每个第一半导体芯片(5)的上表面连接，所述连接电极(11)与位于第一半导体电极(7)侧的第四焊接部(103) 上表面连接，可控硅芯片(12)，所述可控硅芯片(12)固定于第四焊接部(103)上，所述可控硅芯片(12)位于第二半导体芯片(6)一侧，第二可控硅电极(13)，所述第二可控硅电极(13)包括：依次连接的第四固定部(131)、第四连接部(132)和第五焊接部(133)，所述第五焊接部(133)固定连接于可控硅芯片(12)上表面，所述第四固定部(131)穿过空心槽(3)并折弯，固定件(14)，所述固定件(14)用于底端通过引线与可控硅芯片(12)连接，所述固定件(14)穿过空心槽(3)并在壳体(2)上下两侧折弯。...

【技术特征摘要】
1.一种用于限流的七芯片整流器，其特征在于包括：底座(1)，壳体(2)，所述壳体(2)上开设有若干空心槽(3)，三个芯片电极组件，所述芯片电极组件包括：第一陶瓷基板(4)、第一半导体芯片(5)、第二半导体芯片(6)和第一半导体电极(7)，所述第一陶瓷基板(4)固定于底座(1)上，所述第一半导体芯片(5)和第二半导体芯片(6)均设置在第一陶瓷基板(4)上方，所述第一半导体电极(7)包括：依次连接的第一固定部(71)、第一连接部(72)、第一焊接部(73)、折弯部(74)和第二焊接部(75)，所述第二焊接部(75)固定连接于第二半导体芯片(6)上方，所述第一焊接部(73)固定连接于第一半导体芯片(5)与第一陶瓷基板(4)之间，所述第一固定部(71)穿过空心槽(3)并折弯，第二半导体电极(8)，所述第二半导体电极(8)包括：依次连接的第二固定部(81)、第二连接部(82)和三个第三焊接部(83)，一个所述第三焊接部(83)对应一个芯片电极组件，所述第三焊接部(83)固定于第二半导体芯片(6)与第一陶瓷基板(4)之间，第二陶瓷基板(9)，所述第二陶瓷基板(9)固定连接于底座(1)上，所述第二陶瓷基板(9)设置在相邻两个第一陶瓷基板(4)之间，第一可控硅电极(10)，所述第一可控硅电极(10)包括：依次连接的第三固定部(101)、第三连接部(102)和第四焊接部(103)，所述第四焊接部(103)固定于第二陶瓷基板(9)上方，所述第三固定部(101)穿过空心槽(3)并折弯，连接电极(11)，所述连接电极(11)与每个第一半导体芯片(5)的上表面连接，所述连接电极(11...

【专利技术属性】
技术研发人员：方爱俊，
申请(专利权)人：常州港华半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32