声波滤波器装置及制造该声波滤波器装置的方法制造方法及图纸

本公开提供一种声波滤波器装置及制造该声波滤波器装置的方法，所述声波滤波器装置包括：基板；滤波器，设置在所述基板上；壁构件，设置在所述基板上并且围绕所述滤波器；及盖构件，设置在所述壁构件的上方，并且与所述壁构件形成内部空间。所述盖构件具有弯曲的形状并且包括包含第一材料的第一盖构件和包含第二材料的第二盖构件。

【技术实现步骤摘要】
声波滤波器装置及制造该声波滤波器装置的方法本申请要求于2016年12月5日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0164468号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种声波滤波器装置及制造该声波滤波器装置的方法。
技术介绍
目前，大多数具有腔的晶圆级封装(WLP)包括微机电系统(MEMS)和滤波器封装。由于晶圆级封装中包括的滤波器封装已经变得更小和更薄，因此已经开发了诸如芯片级封装(CSP)、晶圆-晶圆级封装和膜封装的制造技术。已经使用这些制造技术制造声波滤波器装置。在声波滤波器装置的制造工艺期间，特别地，在模制工艺期间，当增大内部压力以实现适当的模制用内部压力时，和/或当具有低的应变率的聚合物被用作盖(cap)构件时，有必要具有更厚的盖构件以避免变形或其他问题。由于更厚的盖构件增大了整个封装的厚度，因此在薄的声波滤波器封装的生产中包含更厚的盖构件是有问题的。因此，有必要开发一种在保证适当的内部压力的同时能够减小盖构件的厚度的结构。换句话说，有必要开发一种在模制工艺期间能够抑制盖构件的变形的结构。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。根据示例性实施例，一种声波滤波器装置包括：基板；滤波器，设置在所述基板上；壁构件，设置在所述基板上并且围绕所述滤波器；及盖构件，设置在所述壁构件的上方，并且与所述壁构件形成内部空间。所述盖构件具有弯曲的形状并且包括包含第一材料的第一盖构件和包含第二材料的第二盖构件。所述第一盖构件可设置在所述壁构件上，所述第二盖构件可设置在所述第一盖构件上，并且所述第一盖构件和所述第二盖构件中的至少一个可具有残余应力。所述盖构件可包括向上凸出的中央部分。所述第一盖构件可具有与所述第二盖构件的厚度相同或比所述第二盖构件的厚度薄的厚度。所述声波滤波器装置还可包括在自上而下的视角下在所述壁构件的外部设置在所述基板上的金属层。所述声波滤波器装置还可包括设置在所述金属层上的下凸块金属构件。所述声波滤波器装置还可包括：凸块，设置在所述下凸块金属构件上；及模制层，设置为使得所述下凸块金属构件、所述壁构件及所述盖构件嵌入在其中，并且使得所述凸块部分地向外暴露。金属膜可设置在所述凸块下且在所述下凸块金属构件上。所述模制层可设置在所述盖构件上。形成所述第二盖构件的所述第二材料的弹性模量可大于形成所述第一盖构件的所述第一材料的弹性模量。形成所述第一盖构件的所述第一材料和形成所述第二盖构件的所述第二材料可以是不同的金属。根据示例性实施例，一种制造声波滤波器装置的方法包括：在基板上形成滤波器；形成壁构件以围绕所述滤波器；及形成具有向上凸出的中央部分的盖构件。所述盖构件包括：第一盖构件，形成在所述壁构件上；及第二盖构件，形成在所述第一盖构件上。所述第一盖构件可具有与所述第二盖构件的厚度相同或比所述第二盖构件的厚度薄的厚度。形成所述第一盖构件的第一材料和形成所述第二盖构件的第二材料可以是不同的金属。形成所述第二盖构件的第二材料的弹性模量可大于形成所述第一盖构件的第一材料的弹性模量。所述第二盖构件可通过非电镀或电镀工艺形成。形成所述第二盖构件的步骤可包括当形成所述第二盖构件时向所述第二盖构件施加张应力，以使在形成所述第二盖构件后在所述第二盖构件中残留有残余应力。形成所述第一盖构件的步骤可包括将金属片结合到所述壁构件和去除所述金属片的边缘。制造声波滤波器装置还可包括在与所述基板上形成所述滤波器相同的工艺期间，在所述基板上形成金属层。示例提供一种能够减小当形成模制层时其中设置有滤波器的内部空间的变窄的声波滤波器装置及制造该声波滤波器装置的方法。通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。附图说明图1是示出根据示例性实施例的声波滤波器装置的示意性截面图。图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9是示出制造根据示例性实施例的声波滤波器装置的方法的示图。图10是示出根据示例性实施例的声波滤波器的示意性截面图。在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种变换、修改及等同物对于本领域普通技术人员而言将是显而易见的。这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不局限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出对于本领域普通技术人员而言将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域普通技术人员公知的功能和构造的描述。这里所描述的特征可以按照不同的形式实施，并且将不被解释为被这里所描述的示例所限制。更确切的说，已经提供这里所描述的示例以使本公开将是彻底的和完整的，并且将本公开的全部范围传达给本领域普通技术人员。接下来，将参照附图更详细地描述示例。除非另有指示，否则第一层“在”第二层或基板“上”或者“连接到”第二层或基板的陈述将被理解为覆盖第一层直接接触第二层或基板的情况以及第一层和第二层或基板之间设置有一层或更多其他层的情况两者。描述空间相对关系的诸如“在……下方”、“在……之下”、“下”、“底部”、“在……上方”、“在……之上”、“上”、“顶部”、“左”和“右”的词语可用于方便地描述一个装置或元件与其他装置或元件的空间关系。这样的词语将被解释为包含装置以图中所示的方位以及在使用或操作中的其他方位进行定位。例如，装置基于图中所示的装置的方位包括设置在第一层的上方的第二层的示例也包括当装置在使用或操作中被上下翻转时的装置。图1是示出根据示例性实施例的声波滤波器装置的示意性截面图。参照图1，根据示例性实施例的声波滤波器装置100包括基板110、滤波器单元120、壁构件130、盖构件140、下凸块金属构件150、模制层160和凸块170。基板110可以是压电基板。例如，基板110可以是诸如LiTaO3、LiNbO3等的压电单晶、压电陶瓷和/或压电薄膜形成在主表面上的基板。然而，这些仅仅是示例性的，压电单晶可由其他材料或材料的组合形成。形成为在自上而下的视角下围绕滤波器单元120的金属层112可形成在基板110上。金属层112可由与滤波器单元120的材料相同的材料形成。例如，金属层112可形成为包含钛(Ti)、镍(Ni)、铝(Al)、铜(Cu)或铝铜合金(AlCu)中的一种或更多种。如上所述，金属层112和滤波器单元120可由相同的材料形成，从而可更容易地执行金属层112的形成。因此，形成金属层112和滤波器单元120的工艺可具有提高的效率。金属层112和滤波器单元120可通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)工艺形成，但是形成工艺不限于此。例如，金属层112和滤波器单元120可通过镀覆方法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等形成。如图1所示，滤波器单元120可形成在基板110的中央部分中。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声波滤波器装置，包括：基板；滤波器，设置在所述基板上；壁构件，设置在所述基板上并且围绕所述滤波器；及盖构件，设置在所述壁构件的上方，并且与所述壁构件形成内部空间，其中，所述盖构件具有弯曲的形状并且包括包含第一材料的第一盖构件和包含第二材料的第二盖构件。

【技术特征摘要】
2016.12.05 KR 10-2016-01644681.一种声波滤波器装置，包括：基板；滤波器，设置在所述基板上；壁构件，设置在所述基板上并且围绕所述滤波器；及盖构件，设置在所述壁构件的上方，并且与所述壁构件形成内部空间，其中，所述盖构件具有弯曲的形状并且包括包含第一材料的第一盖构件和包含第二材料的第二盖构件。2.根据权利要求1所述的声波滤波器装置，其中：所述第一盖构件设置在所述壁构件上；所述第二盖构件设置在所述第一盖构件上；并且所述第一盖构件和所述第二盖构件中的至少一个具有残余应力。3.根据权利要求1所述的声波滤波器装置，其中，所述盖构件包括向上凸出的中央部分。4.根据权利要求2所述的声波滤波器装置，其中，所述第一盖构件具有与所述第二盖构件的厚度相同或比所述第二盖构件的厚度薄的厚度。5.根据权利要求1所述的声波滤波器装置，还包括：在所述壁构件的外部设置在所述基板上的金属层。6.根据权利要求5所述的声波滤波器装置，还包括：下凸块金属构件，设置在所述金属层上。7.根据权利要求6所述的声波滤波器装置，还包括：凸块，设置在所述下凸块金属构件上；及模制层，设置为使得所述下凸块金属构件、所述壁构件及所述盖构件嵌入在其中，并且使得所述凸块部分地向外暴露。8.根据权利要求7所述的声波滤波器装置，其中，金属膜设置在所述凸块下方且在所述下凸块金属构件上。9.根据权利要求7所述的声波滤波器装置，其中，所述模制层设置在所述盖构件上。10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗圣勋，郑载贤，朴昇旭，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR