光电子组件制造技术

本发明专利技术涉及一种包括层结构的光电子组件，该层结构具有用于产生电磁辐射的有源区，其中该有源区被布置在平面中，其中该层结构具有顶侧和四个侧面，其中条形的脊结构被布置在该层结构的顶侧上，其中该脊结构在第一侧面和第三侧面之间延伸，其中该第一侧面表示用于电磁辐射的照射面，其中第一凹陷在该脊结构旁边侧向地被引入到该层结构的顶侧中，其中第二凹陷被引入到该第一凹陷中，并且其中该第二凹陷一直延伸到该第二侧面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子组件
本专利技术涉及根据专利权利要求1所述的光电子组件。
技术介绍
本专利申请要求德国专利申请DE102015116712.3的优先权，其公开内容在此通过引用的方式并入。在现有技术中，从US2009/0137098A1或从US7724793B2中已知例如以激光二极管的形式的光电子组件，该光电子组件包括层结构，该层结构包括用于产生电磁辐射的有源区。层结构上布置有脊结构，所述脊结构被布置在两个侧面之间，这两个侧面彼此平行地被布置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改进的光电子组件。本专利技术的目的通过根据权利要求1所述的组件得以实现。其他有利的实施方式在从属权利要求中被说明。提供一种包括层结构的光电子组件，该层结构包括用于产生电磁辐射的有源区，其中层结构包括顶侧和四个侧面，其中条形的脊结构被布置在层结构的顶侧上，其中脊结构在第一侧面和第三侧面之间延伸，其中第一侧面构成用于电磁辐射的发射面，其中第一凹陷在脊结构旁边侧向地被引入到层结构的顶侧中，其中第二凹陷被引入到第一凹陷中，并且其中第二凹陷一直延伸到第二侧面。由此在很大程度上避免在第一和/或第三侧面断裂的情况下的位错形成。此外，在p向下安装（p-downmounting）的情况下，流经侧面的漏电流被减小。在一种实施方式中，第一凹陷被引入到第一侧面和/或第三侧面中，其中第二凹陷被引入到第一侧面和/或第三侧面中。由于第一和/或第三凹陷在第一和/或第三侧面的区域中的布置，可以实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。在一种实施方式中，至少一个第三凹陷在脊结构旁边侧向地被引入到第一凹陷的底面中。由此可以实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。在一种实施方式中，第三凹陷被引入到第一和/或第三侧面中。由此实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。在一种实施方式中，第三凹陷与第二侧面大体上平行地布置，其中第三凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。在一种实施方式中，第一凹陷沿第二侧面的纵向延伸，并且其中第一凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。在一种实施方式中，第一凹陷经第二侧面的纵侧的1%至99%的范围延伸。通过这种方式，在p向下安装的情况下，实现对流经第二侧面的漏电流的进一步减小。在一种实施方式中，第二凹陷沿第二侧面的纵向延伸，并且其中第二凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。在一种实施方式中，第二凹陷经第一侧面的纵侧的1%至99%的范围延伸，尤其是50%至95%的范围延伸。通过这种方式，在p向下安装的情况下，实现对流经第二侧面的漏电流的进一步减小。在一种实施方式中，第二凹陷相对于第一凹陷的底面而言具有比第三凹陷更大的深度。在一种实施方式中，第二凹陷相对于顶侧而言具有在0.5µm至50µm之间的范围内的深度，尤其是具有在1µm至10µm之间的范围内的深度。通过这种方式，在p向下安装的情况下，减小流经第二侧面的漏电流充分减小。在一种实施方式中，第二凹陷相对于顶侧而言具有在2µm至6µm之间的范围内的深度。在一种实施方式中，第二和第四侧面相对于中心面而言以镜像对称的方式被构造，其中顶侧相对于中心面而言以镜像对称的方式被构造，其中这些顶侧被布置在相对于脊结构而言的相对侧上。因此，流经第二和第三侧面的漏电流被减小。另外，在第一和/或第三侧面上的位错形成被进一步减少。在一种实施方式中，第一凹陷和/或第二凹陷和/或第三凹陷的至少壁和/或底面覆有钝化层。由此可以减小流经侧面的漏电流。在一种实施方式中，第一凹陷在激光二极管的整个长度上从第一侧面沿第二侧面一直延伸到第三侧面，其中第一凹陷一直延伸到第二侧面，其中第二凹陷被引入到第一凹陷的第一底面中，其中第二凹陷沿第二侧面延伸，其中第二凹陷被构造为，与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开，并且其中第二凹陷通到第二侧面中。在一种实施方式中，第一凹陷在激光二极管的整个长度上从第一侧面沿第二侧面一直延伸到第三侧面，其中在第一凹陷的区域中，第二侧面包括侧向凹进的壁面，其中第二凹陷侧向地被引入到第一凹陷中并且被引入到凹进的壁面中，其中第二凹陷被引入到层结构的顶侧中，其中第二凹陷沿第二侧面延伸，其中第二凹陷被构造为，与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开。在一种实施方式中，另外的凹陷被引入到层结构的第一侧面中和顶侧中，其中该另外的凹陷被布置在脊结构与第二侧面的凹进的壁面之间。在一种实施方式中，该另外的凹陷包括底面，其中底面被布置在层结构的顶侧与第二凹陷的第二底面的高度之间。在一种实施方式中，第二个另外的凹陷被引入到层结构的第三侧面中和顶侧中，其中该第二个另外的凹陷被布置在脊结构与第二侧面的内凹的壁面之间。在一种实施方式中，该第二个另外的凹陷包括底面，其中底面被布置在层结构的顶侧与第二凹陷的第二底面的高度之间。在一种实施方式中，第二凹陷的第二底面被布置在与第一凹陷的底面相同的高度上。附图说明在与示例性实施方式的以下描述相关联的情况下，本专利技术的上述性质、特征和优点以及实现它们的方式将变得更加清楚且更清楚地被理解，其中所述示例性的实施方式以与附图相关联的方式被更详细地阐述，其中：图1示出光电子组件的示意性透视图；图2示出穿过包括两个凹陷的激光二极管的横截面；图3示出穿过包括三个凹陷的激光二极管的横截面；图4示出激光二极管的顶侧的示意性俯视图；图5示出穿过包括斜切凹陷的激光二极管的示意性横截面；图6示出穿过激光二极管的另一个实施方式的示意性横截面，该激光二极管包括凹陷，该凹陷被构造为，部分垂直且部分以斜切的方式；图7示出穿过激光二极管的另一个实施方式的示意性横截面，该激光二极管包括多个第三凹陷；图8示出穿过激光二极管的另一个实施方式的横截面，该激光二极管包括部分垂直且部分斜切的侧壁；图9示出激光二极管的另一个实施方式的示意性透视图，该激光二极管包括第二侧壁处的凹陷；图10示出激光二极管的另一个实施方式的示意性透视图，该激光二极管包括第三侧面处的凹陷；图11示出激光二极管的示意性透视图，该激光二极管包括在第三侧面上和第一侧面上的凹陷；图12示出晶片的一部分的示意性俯视图，该晶片包括在组件被分开之前的根据图9的组件；图13示出晶片的一部分的示意性俯视图，该晶片包括在组件被分开之前的组件的另一个实施方式；图14示出晶片的一部分的示意性俯视图，该晶片包括在组件被分开之前的根据图10的组件；以及图15示出晶片的一部分的示意性俯视图，该晶片包括在组件被分开之前的根据图11的组件。具体实施方式图1以示意图的形式示出以包括层结构2的激光二极管1的形式的光电子组件。层结构2包括四个侧面3、4、5、6。通常，第一侧面3和第三侧面5彼此平行地布置。类似地，第二侧面4和第四侧面6通常彼此平行地布置。条形的脊结构8设置于层结构2的顶侧7上。脊结构8在第一侧面3和第三侧面5之间在纵向方向上延伸。在第一侧面3处，发射面7设置于脊结构8的下方，经由该发射面电磁辐射在第一侧面3上被发射。在包括彼此垂直的x轴、y轴和z轴的坐标系中，第一侧面3和第三侧面5垂直于z轴地布置。第二侧面4和第四侧面6垂直于x轴地布置。顶侧7垂直于y轴设置。在示出的示例性实施方式中，脊结构8相对于沿顶侧7的x轴的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括层结构（2）的光电子组件，所述层结构（2）包括用于产生电磁辐射的有源区（9），其中所述有源区（9）被布置在平面中，其中所述层结构（2）包括顶侧（7）和四个侧面（3、4、5、6），其中第一侧面（1）和第三侧面（3）彼此相对地布置，其中第二侧面（4）和第四侧面（5）彼此相对地布置，其中条形的脊结构（8）被布置在所述层结构（2）的所述顶侧（7）上，其中所述脊结构（8）在所述第一侧面（3）和所述第三侧面（5）之间延伸，其中所述第一侧面（3）构成用于电磁辐射的发射面，其中第一凹陷（11）所述脊结构（8）旁边侧向地被引入到所述层结构（2）的所述顶侧（7）中，其中第二凹陷（12）被引入到所述第一凹陷（11）中，并且其中所述第二凹陷（12）一直延伸到所述第二侧面（4、50、51）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.01 DE 102015116712.31.一种包括层结构（2）的光电子组件，所述层结构（2）包括用于产生电磁辐射的有源区（9），其中所述有源区（9）被布置在平面中，其中所述层结构（2）包括顶侧（7）和四个侧面（3、4、5、6），其中第一侧面（1）和第三侧面（3）彼此相对地布置，其中第二侧面（4）和第四侧面（5）彼此相对地布置，其中条形的脊结构（8）被布置在所述层结构（2）的所述顶侧（7）上，其中所述脊结构（8）在所述第一侧面（3）和所述第三侧面（5）之间延伸，其中所述第一侧面（3）构成用于电磁辐射的发射面，其中第一凹陷（11）所述脊结构（8）旁边侧向地被引入到所述层结构（2）的所述顶侧（7）中，其中第二凹陷（12）被引入到所述第一凹陷（11）中，并且其中所述第二凹陷（12）一直延伸到所述第二侧面（4、50、51）。2.根据权利要求1所述的组件，其中所述第一凹陷（11）被引入到所述第一侧面（3）和/或所述第三侧面（5）中，并且其中所述第二凹陷（12）被引入到所述第一侧面（3）和/或所述第三侧面（5）中。3.根据权利要求1或2所述的组件，其中至少一个第三凹陷（16）在所述脊结构（8）旁边被侧向地引入到所述第一凹陷（11）的底面（13）中。4.根据权利要求3所述的组件，其中所述第三凹陷（16）被引入到所述第一侧面（3）和/或所述第三侧面（5）中。5.根据权利要求3所述的组件，其中所述第三凹陷（16）与所述第二侧面（4）大体平行地布置，其中所述第三凹陷（16）以与所述第一侧面（3）间隔开并且与所述第三侧面（5）间隔开的方式被布置。6.根据权利要求1以及3至5中任意一项所述的组件，其中所述第一凹陷（11）沿所述第二侧面（4）的纵向延伸，并且其中所述第一凹陷（11）以与所述第一侧面（3）间隔开并且与所述第三侧面（5）间隔开的方式被布置。7.根据权利要求6所述的组件，其中所述第一凹陷（11）经所述第二侧面（4）的纵侧的1%至99%的范围延伸，特别是经所述第二侧面（4）的纵侧的50%至95%的范围延伸。8.根据权利要求1以及3至7中任意一项所述的组件，其中所述第二凹陷（12）沿所述第二侧面（4）的纵向延伸，并且其中所述第二凹陷（12）以与所述第一侧面（3）间隔开并且与所述第三侧面（5）间隔开的方式被布置。9.根据权利要求1所述的组件，其中所述第一凹陷（11）在所述激光二极管（1）的整个长度上从所述第一侧面（3）沿所述第二侧面（4）一直延伸到所述第三侧面（5），其中所述第一凹陷（11）一直延伸到所述第二侧面（4），其中所述第二凹陷（12）被引入到所述第一凹陷（11）的第一底面（13）中，其中所述第二凹陷（12）沿所述第二侧面（4）延伸，其中所述第二凹陷（12）被构造为，与所述第一侧面（3）间隔开并且与所述第三侧面（5）间隔开，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：S格哈德，A莱尔，C菲尔海利希，A勒夫勒，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE