【技术实现步骤摘要】
一种脚杆可拆卸且可变换长度的MOS管
本技术属于MOS管
,具体涉及一种脚杆可拆卸的MOS管。
技术介绍
晶体管有N型channel所有它称为N-channelMOS管,或NMOS。P-channelMOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说,"PMOSVt从0.6V上升到0.7V",实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。但是目前市场上的MOS管不仅结构复杂,而且功能单一,没有设置可以拆卸的脚杆,不能选择使用脚杆的长度,没有设置内接脚杆和外接脚杆,不能选择连接的方式,适用性不强。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种脚杆可拆卸且可变换长度的MOS管,以解决上述
技术介绍
中提出的没有设置可以拆卸的脚杆,不能选择使用脚杆的长度,没有设置内接脚杆和外接脚杆,不能选择连接的方式,适用性不强的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种脚杆可拆卸且可变换长度的MOS管,包括绝缘保护层,所述绝缘保护层的内部设置有半导体,所述半导体的内部两端分别嵌有漏极接头和源极接头,所述半导体与绝缘保护层之间固定有氧化物和栅极接头,所述 ...
【技术保护点】
一种脚杆可拆卸且可变换长度的MOS管,包括绝缘保护层(1),其特征在于:所述绝缘保护层(1)的内部设置有半导体(14),所述半导体(14)的内部两端分别嵌有漏极接头(10)和源极接头(3),所述半导体(14)与绝缘保护层(1)之间固定有氧化物(15)和栅极接头(4),所述源极接头(3)、漏极接头(10)和栅极接头(4)的一端内部均设有连接孔(11),所述连接孔(11)内部连接有与内接脚杆(5)为一体的连接头(9),所述内接脚杆(5)与外接脚杆(7)的连接处开有撕裂缝(8),所述外接脚杆(7)的底部连接有带脚垫通孔(16)的脚垫(6),所述绝缘保护层(1)的外部包裹有铝质散热器(2),所述铝质散热器(2)的顶端设置了带有连接体通孔(13)的连接体(12)。
【技术特征摘要】
1.一种脚杆可拆卸且可变换长度的MOS管,包括绝缘保护层(1),其特征在于:所述绝缘保护层(1)的内部设置有半导体(14),所述半导体(14)的内部两端分别嵌有漏极接头(10)和源极接头(3),所述半导体(14)与绝缘保护层(1)之间固定有氧化物(15)和栅极接头(4),所述源极接头(3)、漏极接头(10)和栅极接头(4)的一端内部均设有连接孔(11),所述连接孔(11)内部连接有与内接脚杆(5)为一体的连接头(9),所述内接脚杆(5)与外接脚杆(7)的连接处开有撕裂缝(8),所述外接脚杆(7)的底部连接有带脚垫通孔(16)的脚垫(6),所述绝缘保护层(1)的外部包裹有铝质散热器(2),所述铝质散热器(2)的顶端设置了带有连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:艾亮东,魏远雄,
申请(专利权)人:东莞市艾吉芯电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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