【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
使用的化学腐蚀液,特别是一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液。
技术介绍
腐蚀速率受到两种制约机制的限制第一,腐蚀速率受控于腐蚀剂到达反应表面的速率,或者说受控于反应生成物离开反应表面的速率。这种情况称为扩散制约腐蚀机制,或者称为质量输运制约腐蚀机制。第二种情况是腐蚀速率受表面发生的化学反应速率的限制,这定义为反应速率制约腐蚀,或称之为表面制约腐蚀,这种制约通常是温度和腐蚀液成分以及浓度的函数。砷化镓(GaAs)是继硅(Si)之后最重要的半导体材料,在半导体器件制作中常常需要通过选择性腐蚀技术来获得特定的结构。理想的腐蚀方法是在要求具有高的选择性的同时,还需要与集成电路工艺兼容,安全稳定,操作简单和可重复性好等特点。在过去的十几年中,对砷化铝/砷化镓(AlAs/GaAs)选择性腐蚀进行了很多研究,主要有三种 第一种是50%的柠檬酸∶双氧水(H2O2)=2∶1(体积比)。第二种是NH4OH-H2O2系腐蚀液。第三种用氟里昂等离子体进行干法刻蚀。上述三种方法都存在一些不利因素,其中第一种方法选择比低。第二种方法存在腐蚀液对光 ...
【技术保护点】
一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液,其特征在于,包括:柠檬酸溶液和双氧水,该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄应龙,杨富华,王良臣,姜磊,白云霞,王莉,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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