硅粉表面刻蚀装置制造方法及图纸

技术编号:1814734 阅读:161 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
硅粉表面刻蚀装置,属于等离子体应用,目的在于缩短反应时间,减化结构,提高硅粉纯化效率。本发明专利技术反应室上连接投料罐、出料罐和刻蚀气体输送系统,反应室内平行装有板式阳极和阴极,阴极与水冷装置连接,水冷装置通过密封波纹管与反应室底部活动连接,水冷装置底端通过振动转换杆连接振动源;密封波纹管、振动转换杆和振动源位于底架上,底架与反应室底部固定连接并安装于倾角调整支架上。本发明专利技术倾斜式的振动阴极使粉粒总处于阴极表面附近缓慢下滑,振动使粉粒均布于阴极,打散硅粉团块,该处离子能量最高刻蚀速率也高,下滑时间高达5至10分钟,因此可一次处理满足刻蚀要求;由于只采用氩气进行物理刻蚀,非常有利于环保和操作人员健康。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅粉表面刻蚀装置,反应室上连接投料罐、出料罐和刻蚀气体输送系统,反应室内平行装有板式阳极和阴极,板式阳极和阴极与放电电源电气连接;其特征在于:(1)所述阴极与水冷装置连接,水冷装置穿过反应室底部并通过密封波纹管与反应室底部活动连接,水冷装置底端通过振动转换杆连接振动源;(2)所述密封波纹管、振动转换杆和振动源位于底架上,底架与反应室底部固定连接;(3)所述底架安装于倾角调整支架上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:尹盛李战春王敬义王飞王家鑫
申请(专利权)人:华中科技大学
类型:发明
国别省市:83[中国|武汉]

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