一种双通道供电装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种双通道供电装置和电子设备，双通道供电装置包括：第一防反单元，第二防反单元、防串扰单元；第一防反单元包括PMOS管，PMOS管的漏极外接第一功率电源，源极分别连接第二防反单元以及外部的负载；栅极与防串扰单元相连；第二防反单元包括第一二极管；第一二极管的正极分别连接防串扰单元以及外部的第二功率电源，负极分别连接PMOS管的源极以及负载；其中，第一功率电源的供电功率大于第二功率电源的供电功率；防串扰单元连接在PMOS管的栅极以及第一二极管的正极之间；在第二功率电源上电时，防串扰单元导通；在第一功率电源上电时，防串扰单元截止。本发明专利技术降低了功率损耗，防止了通道之间的串扰。

【技术实现步骤摘要】
一种双通道供电装置和电子设备
本专利技术涉及一种供电装置，特别是涉及一种可为同一负载提供两种供电电流的双通道供电装置和电子设备。
技术介绍
在电路设计中，经常会需要包括两个通道的供电装置，两个通道会同时为负载电路提供不同供电电流。例如，在汽车前大灯的设计中，往往需要使用一套LED负载同时实现日间行车灯功能和位置灯的功能。但是，日间行车灯的功率是位置灯的功率的十倍，也就是说，提供给日间行车灯的供电电流要明显大于位置灯的供电电流。因此，在这种双通道供电装置中，两个通道之间的端口防反是特别需要注意的。目前，对于双通道供电装置的端口防反设计一般有两种方案：第一种，利用二极管的单向导通特性进行防反，这种方案在大功率两通道电路中使用会有弊端，会造成在防反二极管上消耗过多功率，导致模块的工作效率降低过多。例如图1所示电路，其中，“1”通道表示的是大功率通道，“2”通道表示的是小功率通道，二极管D1和D2的管压降可以达到0.7V。在第1通道下，如输入电流达3A时，那么二极管D2上的功率损耗达到2.1W，会大大降低电源模块的工作效率，并且，二极管自身的发热量也会很大，对整个双通道供电装置造成一定的影响。第二种是利用PMOS的导通阈值进行防反接电路设计，这种方案虽然解决了二极管消耗大量功率的缺陷，但在双通道供电中应用又会存在自身的缺陷。如图2所示电路，其中，“1”通道表示的是大功率通道，“2”通道表示的是小功率通道。在第1通道上电时，PMOS管Q1内的体二极管导通，使得PMOS管Q1的源极存在电压，且栅极和源极之间的压降大于导通压降，则PMOS管Q1导通工作；当第1通道的电源和地反接时，PMOS管的栅极和源极之间的压降小于导通压降，PMOS管Q1则不会导通，起到了防反接的作用。并且，当第1通道输入电流3A时，PMOS管Q1的导通压降只有0.2V左右，在PMOS管Q1上消耗的功率也只有0.6W，对模块效率的影响很小。但是，在第2通道上电时，PMOS管Q1的源极也存在高电压，因此，也可以导通PMOS管Q1，从而容易造成第1通道电源端口没有上电却有高电压存在。进一步导致以下两种故障：1)如果第1通道的电源端口误接了地，会直接导致第2通道端口经二极管D1和PMOS管Q1到第1通道端口到地的这个回路过流，从而导致回路中元器件的烧毁；2)有些厂家的模块检测策略中会通过检测各个电源线上的电压来判断是否存在对电源短路故障，因此，如果第1通道的端口没上电却存在高电压，检测设备会出现误判。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种双通道供电装置和电子设备，用于解决现有技术中具备端口防反设计的双通道供电装置的功率损耗过大以及双通道之间相互干扰的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种双通道供电装置，包括：第一防反单元，第二防反单元、防串扰单元；所述第一防反单元包括PMOS管，所述PMOS管的漏极外接第一功率电源，源极分别连接所述第二防反单元以及外部的负载；栅极与所述防串扰单元相连；所述第二防反单元包括第一二极管；所述第一二极管的正极分别连接所述防串扰单元以及外部的第二功率电源，负极分别连接所述PMOS管的源极以及所述负载；其中，所述第一功率电源的供电功率大于所述第二功率电源的供电功率；所述防串扰单元连接在所述PMOS管的栅极以及所述第一二极管的正极之间；在所述第二功率电源上电时，所述防串扰单元导通；在所述第一功率电源上电时，所述防串扰单元截止。于本专利技术的一实施例中，在所述第一功率电源上电时，所述第一防反单元的所述PMOS管导通。于本专利技术的一实施例中，所述第一防反单元还包括第一电阻和第三二极管；其中，所述PMOS管的漏极连接外部的所述第一功率电源；栅极分别与所述第一电阻的一端和所述第三二极管的正极相连；源极与所述第三二极管的负极相连；所述第一电阻的一端与所述PMOS管的栅极相连，另一端接地；所述第三二极管的正极分别与所述第一电阻的一端和所述PMOS管的栅极相连，负极与所述PMOS管的源极相连。于本专利技术的一实施例中，所述第三二极管为稳压二极管。于本专利技术的一实施例中，所述防串扰单元包括第四二极管；其中，所述第四二极管的正极分别与所述第一二极管的正极和所述第二功率电源相连，负极与所述PMOS管的栅极相连。于本专利技术的一实施例中，所述防串扰单元包括PNP三极管，其中，所述PNP三极管的发射极分别与所述第一二极管的正极和所述第二功率电源相连，基极接地，集电极与所述PMOS管的栅极相连。于本专利技术的一实施例中，所述防串扰单元还包括第二电阻，所述PNP三极管的基极通过所述第二电阻接地。本专利技术还公开了一种电子设备，所述电子设备包括如上所述的双通道供电装置。如上所述，本专利技术的一种双通道供电装置和电子设备，用于为一套负载同时提供两套不同功率的供电电源。其基于现有的基于PMOS管的双通道供电装置的端口防反设计，在两个不同功率的供电通道的防反单元之间增加防串扰单元，不但降低了大功率供电通道的功率损耗，还防止了大功率供电通道和小功率供电通道之间的串扰。并且，本专利技术的防串扰单元是利用二极管或者PNP三极管的特性来消除双通道之间的串扰，结构简单，成本低廉。附图说明图1显示为现有技术中的双通道供电装置的电路示意图。图2显示为现有技术中的双通道供电装置的电路示意图。图3显示为本专利技术实施例公开的一种双通道供电装置的电路示意图。图4显示为本专利技术另一实施例公开的一种双通道供电装置的电路示意图。元件标号说明110第一防反单元120第二防反单元130防串扰单元200第一功率电源300第二功率电源400负载具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。请参阅附图。需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。本专利技术提供了一种双通道供电装置和电子设备，用于为一套负载同时提供两种不同功率的供电电源。本专利技术通过在大功率供电通道中采用PMOS管作为第一防反单元进行防反设计，在小功率供电通道中采用二极管作为第二防反单元进行防反设计，并在第一防反单元和第二防反单元之间增加防串扰单元，利用二极管或者PNP三极管的特性来消除大功率供电通道和小功率供电通道之间的串扰。实施例1本实施例公开了一种双通道供电装置，用于为一套负载同时提供两种不同功率的供电电源。如图3所示，本实施例的双通道供电装置包括：第一防反单元110、第二防反单元120和防串扰单元130。其中，第一防反单元110连接在外接的第一功率电源200和负载400之间；第二防反单元120连接在外接的第二功率电源300和负载400之间；防串扰单元130连接在第一防反单元110和第二防反单元120之间。其中，第一功率电源200所提供的供电功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双通道供电装置，其特征在于，包括：第一防反单元，第二防反单元、防串扰单元；所述第一防反单元包括PMOS管，所述PMOS管的漏极外接第一功率电源，源极分别连接所述第二防反单元以及外部的负载；栅极与所述防串扰单元相连；所述第二防反单元包括第一二极管；所述第一二极管的正极分别连接所述防串扰单元以及外部的第二功率电源，负极分别连接所述PMOS管的源极以及所述负载；其中，所述第一功率电源的供电功率大于所述第二功率电源的供电功率；所述防串扰单元连接在所述PMOS管的栅极以及所述第一二极管的正极之间；在所述第二功率电源上电时，所述防串扰单元导通；在所述第一功率电源上电时，所述防串扰单元截止。

【技术特征摘要】
1.一种双通道供电装置，其特征在于，包括：第一防反单元，第二防反单元、防串扰单元；所述第一防反单元包括PMOS管，所述PMOS管的漏极外接第一功率电源，源极分别连接所述第二防反单元以及外部的负载；栅极与所述防串扰单元相连；所述第二防反单元包括第一二极管；所述第一二极管的正极分别连接所述防串扰单元以及外部的第二功率电源，负极分别连接所述PMOS管的源极以及所述负载；其中，所述第一功率电源的供电功率大于所述第二功率电源的供电功率；所述防串扰单元连接在所述PMOS管的栅极以及所述第一二极管的正极之间；在所述第二功率电源上电时，所述防串扰单元导通；在所述第一功率电源上电时，所述防串扰单元截止。2.根据权利要求1所述的双通道供电装置，其特征在于：在所述第一功率电源上电时，所述第一防反单元的所述PMOS管导通。3.根据权利要求1所述的双通道供电装置，其特征在于：所述第一防反单元还包括第一电阻和第三二极管；其中，所述PMOS管的漏极连接外部的所述第一功率电源；栅极分别与所述第一电阻的一端和所述第三二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆俊桦，夏盛，谢国华，
申请(专利权)人：武汉通畅汽车电子照明有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42