乙太网供电的侦测电路及其侦测电流产生方法技术

乙太网供电的侦测电路及侦测电流产生方法。乙太网供电的侦测电路设置于一供电端，用来于一第一侦测模式产生一第一侦测电流以针对一第一种类的受电端进行侦测，以及于一第二侦测模式产生一第二侦测电流以针对一第二种类的受电端进行侦测，该侦测电路包含：一第一电流源群组，包含至少一第一电流源，用来于该第一侦测模式产生部分该第一侦测电流；以及一第二电流源群组，包含复数第二电流源，用来于该第一侦测模式产生部分该第一侦测电流，以及于该第二侦测模式产生该第二侦测电流。该第一电流源群组在该第二侦测模式不产生电流。

【技术实现步骤摘要】
乙太网供电的侦测电路及其侦测电流产生方法
本专利技术是关于乙太网供电，尤其是关于乙太网供电的侦测电路及其侦测电流产生方法。
技术介绍
乙太网供电(poweroverEthernet,POE)的系统中包含供电端(powersourcingequipment,PSE)及受电端(powerdevice,PD)。受电端具有不同的种类。在国际电机电子工程师学会(InstituteofElectricalandElectronicsEngineers,IEEE)制订乙太网供电的相关标准(例如IEEE802.3af)之前所制造的受电端(以下称为非标准受电端)允许较大的电容，而在该标准制订之后所制造的受电端(以下称为标准受电端)的电容较小。供电端可依需求决定是否对非标准受电端进行侦测并供电，若要侦测非标准受电端则需要一较大电流来进行侦测。如何在提供大电流的同时不增加供电端的侦测电路的电路面积则是此领域的重要课题。
技术实现思路
鉴于先前技术的不足，本专利技术的一目的在于提供一种乙太网供电的侦测电路及其侦测电流产生方法，以减少电路面积。本专利技术揭露一种乙太网供电的侦测电路，设置于一供电端，用来于一第一侦测模式产生一第一侦测电流以及于一第二侦测模式产生一第二侦测电流，以侦测一受电端的种类，包含：一输出埠；一第一电流源，用来于该第一侦测模式产生一第一电流；一第二电流源，用来于该第二侦测模式选择性地产生一第二电流；一第三电流源，用来于该第二侦测模式选择性地产生一第三电流；以及一控制单元，耦接该第一、第二及第三电流源，用来于该第一侦测模式控制该第一电流输出至该输出埠，以使该第一侦测电流包含该第一电流，以及于该第二侦测模式控制该第一电流停止输出至该输出埠，并且控制该第二电流及该第三电流的至少其中的一输出至该输出埠，以使该第二侦测电流包含该第二电流及该第三电流的至少其中之一。本专利技术另揭露一种乙太网供电的侦测电路，设置于一供电端，用来于一第一侦测模式产生一第一侦测电流以针对一第一种类的受电端进行侦测，以及于一第二侦测模式产生一第二侦测电流以针对一第二种类的受电端进行侦测，该侦测电路包含：一第一电流源群组，包含至少一第一电流源，用来于该第一侦测模式产生部分该第一侦测电流；以及一第二电流源群组，包含复数第二电流源，用来于该第一侦测模式产生部分该第一侦测电流，以及于该第二侦测模式产生该第二侦测电流。该第一电流源群组在该第二侦测模式不产生电流。本专利技术另揭露一种乙太网供电的侦测电流产生方法，应用于一乙太网供电的供电端，用来于一第一侦测模式产生一第一侦测电流以针对一第一种类的受电端进行侦测，以及于一第二侦测模式产生一第二侦测电流以针对一第二种类的受电端进行侦测，该方法包含：于该第一侦测模式利用一第一电流源群组产生部分该第一侦测电流，该第一电流源群组包含至少一第一电流源；于该第一侦测模式利用一第二电流源群组产生部分该第一侦测电流，该第二电流源群组包含复数第二电流源；于该第二侦测模式控制该第一电流源群组不产生电流；以及于该第二侦测模式利用该第二电流源群组产生该第二侦测电流。本专利技术的乙太网供电的侦测电路及其侦测电流产生方法能够提供大电流且避免增加电路面积。相较于习知技术，本专利技术的乙太网供电的侦测电路能够以较小的电路面积产生所需的侦测电流，以供乙太网供电的供电端进行非标准受电端的侦测及标准受电端的侦测。有关本专利技术的特征、实作与功效，兹配合图式作实施例详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的乙太网供电系统的示意图；图2为供电端110的内部的侦测电路的局部电路图；图3为本专利技术的电流校正的流程图；图4为供电端110的内部的侦测电路的局部电路图的另一实施例；以及图5为本专利技术侦测电流产生方法其中一实施例的流程图。符号说明100乙太网供电系统110供电端120-1～120-3受电端200侦测电路210、410第一电流源群组212、222-1～222-n、412-1～412-m电流源220第二电流源群组230连接埠240控制单元400侦测电路S310～S350、S510～S520步骤具体实施方式以下说明内容的技术用语是参照本
的习惯用语，如本说明书对部分用语有加以说明或定义，该部分用语的解释是以本说明书的说明或定义为准。本专利技术的揭露内容包含乙太网供电的侦测电路及其侦测电流产生方法。由于本专利技术的乙太网供电的侦测电路所包含的部分元件单独而言可能为已知元件，因此在不影响该装置专利技术的充分揭露及可实施性的前提下，以下说明对于已知元件的细节将予以节略。此外，本专利技术的侦测电流产生方法可以是软体及/或韧体配合硬体的形式，并且可藉由本专利技术的乙太网供电的侦测电路或其等效装置来执行，在不影响该方法专利技术的充分揭露及可实施性的前提下，以下方法专利技术的说明将着重于步骤内容而非硬体。图1是本专利技术的乙太网供电系统的示意图。乙太网供电系统100包含一个供电端110及三个受电端120-1、120-2及120-3，三个受电端分别连接供电端110的连接埠1～3(图未示)。在此假设受电端120-1为标准受电端，受电端120-2及120-3为非标准受电端。为了能够对受电端120-1～120-3正确供电，供电端110在供电之前会先透过连接埠1～3侦测受电端120-1～120-3的种类。因为受电端可分为标准受电端及非标准受电端两种，所以供电端110包含标准受电端侦测模式及非标准受电端侦测模式。两种模式会在连接埠提供不同的侦测电流。更详细地说，进行非标准受电端的侦测时，供电端110轮流在每个连接埠提供第一侦测电流，以分别对受电端进行侦测；而进行标准受电端的侦测时，供电端110可以同时在每个连接埠提供第二侦测电流，以同时对所有连线的受电端进行侦测。一般而言，因为非标准受电端可能包含大电容，所以第一侦测电流大于第二侦测电流。在一个实施例中，第一侦测电流在侦测过程中实质上维持固定，其等级例如是100μA～2mA，第二侦测电流在侦测过程中可能改变，其等级例如是100μA～900μA。图2是供电端110的内部的侦测电路的局部电路图。侦测电路200包含第一电流源群组210、第二电流源群组220、输出埠230及控制单元240。第一电流源群组210包含至少一个电流源，第二电流源群组220包含复数个电流源。每个电流源连接于输出埠230与参考电压Vref(例如接地)之间。此实施例中第一电流源群组210包含电流源212，第二电流源群组220包含电流源222-1～222-n，n为正整数。第一电流源群组210与第二电流源群组220并联，亦即电流源212及222-1～222-n皆并联。第一电流源群组210用来于非标准受电端侦测模式提供部分该前述的第一侦测电流，第二电流源群组220主要用来于标准受电端侦测模式提供前述的第二侦测电流。一般而言，第一电流源群组210的电流总和大于第二电流源群组220的电流总和，亦即I1>I21+I22+…+I2n。电流源212及电流源222-1～222-n可以由电晶体实作(例如以互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,CMOS)的制程方式)，并基于电流镜(currentmirror)的技术来产生所需的电流。通常产生的电流愈大，电流源所占的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种乙太网供电的侦测电路，设置于一供电端，用来于一第一侦测模式产生一第一侦测电流以及于一第二侦测模式产生一第二侦测电流，以侦测一受电端的种类，包含：一输出埠；一第一电流源，用来于该第一侦测模式产生一第一电流；一第二电流源，用来于该第二侦测模式选择性地产生一第二电流；一第三电流源，用来于该第二侦测模式选择性地产生一第三电流；以及一控制单元，耦接该第一、第二及第三电流源，用来于该第一侦测模式控制该第一电流输出至该输出埠，以使该第一侦测电流包含该第一电流，以及于该第二侦测模式控制该第一电流停止输出至该输出埠，并且控制该第二电流及该第三电流的至少其中的一输出至该输出埠，以使该第二侦测电流包含该第二电流及该第三电流的至少其中之一。

【技术特征摘要】
1.一种乙太网供电的侦测电路，设置于一供电端，用来于一第一侦测模式产生一第一侦测电流以及于一第二侦测模式产生一第二侦测电流，以侦测一受电端的种类，包含：一输出埠；一第一电流源，用来于该第一侦测模式产生一第一电流；一第二电流源，用来于该第二侦测模式选择性地产生一第二电流；一第三电流源，用来于该第二侦测模式选择性地产生一第三电流；以及一控制单元，耦接该第一、第二及第三电流源，用来于该第一侦测模式控制该第一电流输出至该输出埠，以使该第一侦测电流包含该第一电流，以及于该第二侦测模式控制该第一电流停止输出至该输出埠，并且控制该第二电流及该第三电流的至少其中的一输出至该输出埠，以使该第二侦测电流包含该第二电流及该第三电流的至少其中之一。2.根据权利要求1所述的侦测电路，其中该控制单元更于该第一侦测模式控制该第二电流及该第三电流的至少其中的一输出至该输出埠，以使该第一侦测电流包含该第一电流以及该第二电流与该第三电流的至少其中之一。3.根据权利要求1所述的侦测电路，其中该第一侦测电流是用来侦测一第一种类的受电端，该第二侦测电流是用来侦测一第二种类的受电端，该第一种类的受电端的电容大于该第二种类的受电端的电容，该第一电流的标称值(nominalvalue)为该第一侦测电流的理想值减去该第二电流的电流值，且该第二电流大于该第三电流。4.一种乙太网供电的侦测电路，设置于一供电端，用来于一第一侦测模式产生一第一侦测电流以针对一第一种类的受电端进行侦测，以及于一第二侦测模式产生一第二侦测电流以针对一第二种类的受电端进行侦测，该侦测电路包含：一第一电流源群组，包含至少一第一电流源，用来于该第一侦测模式产生部分该第一侦测电流；以及一第二电流源群组，包含复数第二电流源，用来于该第一侦测模式产生部分该第一侦测电流，以及于该第二侦测模...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯尹，黄惠敏，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71