【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低温下制备锐钛矿晶相二氧化钛薄膜的方法，其特征在于，步骤如下：（１）将用于制备薄膜的基材清洗后烘干后备用；（２）将钛靶固定在磁控阴极靶托上，并将清洗烘干后用于制备薄膜的基材固定在磁控溅射系统真空室的样品基座上，调节靶面至 样品的距离以及靶表面上溅射区域的磁场强度；（３）烘烤磁控溅射系统真空室，待真空室本底真空抽至１×１０↑［－４］Ｐａ以下时，通入氩气，直至气压达到０．８Ｐａ－４Ｐａ之间后，对溅射系统中的钛靶进行直流辉光溅射清洗；（４）待溅射清 洗完成后，通过反应磁控溅射在基材上沉积二氧化钛膜，在沉积过程中基材所在基底不加热且通过水冷系统冷却，调节氩气与氧气的流量比在１０∶１至５∶１之间，调节总气压在１Ｐａ－４Ｐａ之间，调节功率密度在１．４Ｗ／ｃｍ↑［２］－２．８Ｗ／ｃｍ↑［２］之间，在基底上加上负偏压在２０Ｖ－１００Ｖ之间，然后开始直流反应磁控溅射成膜，在整个过程中，基底温度始终低于８０℃；（５）溅射后从真空室取出试样，即在基材表面沉积了一层具有光致活性的锐钛矿晶相二氧化钛薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟晓霞，周威，束奇伟，夏宇兴，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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