一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器制造技术

本发明专利技术涉及一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，特别是由束带和设置在上述束带上的传感部构成，其中，上述传感部由设置在同一平面上的麻醉深度传感器和脑血氧饱和度传感器构成，从而能够用一个检测传感器同时测量麻醉深度和脑血氧饱和度，具有降低成本的效果。

A sensor for detecting depth of anesthesia and cerebral oxygen saturation

The present invention relates to a somatotype depth of anaesthesia and a sensor for detection of cerebral blood oxygen saturation, especially by a band and a sensing section set on the above band, wherein the sensing part is composed of an anesthetic depth sensor and a brain oxygen saturation sensor set on the same plane, so as to be able to use a detection sensor simultaneously. Measuring anesthetic depth and cerebral oxygen saturation has the effect of reducing cost.

【技术实现步骤摘要】
一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器
本专利技术涉及一体型麻醉深度(depthofanesthesia)及脑氧饱和度(Bloodoxygenationofbrain)检测传感器，更详细地，涉及一种能够用一个传感器测量麻醉深度及脑血氧饱和度的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器。
技术介绍
在如手术和治疗之类的医疗行为或皮肤护理(Skincare)等领域中受试者伴有疼痛时，通常通过麻醉阻断神经传递以消除或减轻疼痛。特别是，进行重疾或重症的手术时，进行全身麻醉以消除所有的身体反应，并且在这种全身麻醉状态下，应持续地观察患者的麻醉状态。即，检测麻醉深度以确认患者的麻醉状态，确保在麻醉充分的状态下进行手术，以防止发生手术过程中患者因觉醒而受到精神上的痛苦等问题。目前，麻醉深度的检测是通过在人体附着脑电图(EGG)传感器，由此采集由高低电位差组成的生物信号后，将其放大而实现的。另一方面，表示大脑皮质组织的血氧饱和度的脑血氧饱和度被作为缺氧症，新生儿监测，急救医学等临床领域中的重要参数，尤其在危重患者的临床管理中特别重要。目前，这种脑血氧饱和度的检测是通过将传感器附着到人体后，发射红光和近红外光来检测测量血红蛋白的氧化程度的方式进行。如上所述的麻醉深度传感器或脑血氧饱和度传感器都是有效监测患者的意识水平和状态的重要手段。然而，由于这两种传感器分别作为单独的产品而被制造，并且使用时是分开使用的，因此不但使用起来繁琐，而且整合监测患者的意识水平也存在问题。现有技术文献专利文献(专利文献0001)申请号：10-2010-0035977(授权号：10-1079785，专利技术名称：用于计算麻醉深度指标的脑电图分析装置)
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题本专利技术为解决上述现有技术问题而提出，其目的在于，提供一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，该检测传感器将麻醉深度传感器和脑血氧饱和度传感器设置在一个束带(strap)上，从而能够用一个检测传感器同时测量麻醉深度和脑血氧饱和度。技术方案为解决上述技术问题而提出的根据本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，由束带和设置在上述束带上的传感部构成，其中，上述传感部由设置在同一平面上的麻醉深度传感器和脑血氧饱和度传感器构成。其中，上述麻醉深度传感器由接地电极；与上述接地电极间隔设置的基准电极；以及分别设置在接地电极和基准电极的两侧，使上述接地电极和基准电极位于中间的第一、第二测量电极构成。上述脑血氧饱和度传感器由向头部照射具有不同波长的红光和近红外光的一对光源；接收从头部皮肤或头盖骨反射的光的一对第一光检测部；接收从脑部反射的光的一对第二光检测部构成。并且，上述一对光源分别设置在上述第一测量电极与基准电极之间以及上述第二测量电极与接地电极之间。上述一对第一光检测部分别设置在上述光源与基准电极之间以及上述光源与接地电极之间。上述一对第二光检测部间隔设置在上述基准电极与接地电极之间。另外，上述束带在未设置上述麻醉深度传感器和上述脑血氧饱和度传感器的地方形成有褶皱。有益效果如上构成的本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，通过将麻醉深度传感器和脑血氧饱和度传感器设置在一个束带上，可以用一个检测传感器同时测量麻醉深度和脑血氧饱和度，使用方便且无需单独制造用于测量麻醉深度和脑血氧饱和度的检测传感器，从而具有可以降低成本的优点。附图说明图1是示出根据本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器的立体图。图2是示出根据本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器的使用状态的图。附图标记10：束带10a：褶皱20：传感部21：麻醉深度传感器21a：接地电极21b：基准电极21c：第一测量电极21d：第二测量电极22：脑血氧饱和度传感器22a：光源22b：第一光检测部22c：第二光检测部具体实施方式以下，将参照附图具体地说明本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器的实施例。图1是示出根据本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器的立体图，图2是示出根据本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器的使用状态的图。根据本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器由束带10和设置在上述束带10上的传感部20构成。上述束带10应考虑人体特征来选择材质，尤其是考虑附着本专利技术的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器的人体的头部的特征来选择材质。即，考虑到头部不平坦且具有曲面的问题，束带10需要选择具有柔韧性、且可自由地弯折或弯曲的材质。并且，应选择具有较高的人体粘附性而能够在如额头或头皮等皮肤表面较好地实现附着和分离、且即使频繁地附着和分离时,对人体刺激性也很低的材料来制造束带10。特别是，使用能够多次粘附于人体且不刺激皮肤的水凝胶，可以获得如上所述的效果。上述传感部20由麻醉深度传感器21和脑血氧饱和度传感器22构成，上述麻醉深度传感器21和上述脑血氧饱和度传感器22设置在上述束带10的同一平面上。上述麻醉深度传感器21由一个接地电极21a、一个基准电极21b、以及设置于上述接地电极21a和上述基准电极21b的两侧(使上述接地电极21a和上述基准电极21b位于其中间)的第一、第二测量电极21c、21d构成。考虑到测量生物信号时的受试者的电安全，上述接地电极21a接触身体的一部分使受试者保持接地状态。即，接地电极21a在测量生物信号时防止由异常电圧引起的安全事故，当发生故障电流时将其迅速放流到人体的外部来抑制异常电位的上升，以执行确保受试者的电安全的功能。该接地电极21a设置在上述束带10的一侧面。上述基准电极21b是作为测量生物信号的基准的电极，即作为用于测量与上述第一、第二测量电极21c、21d的电位差的基准而具备的。该基准电极21b设置在上述束带10的一侧面，并且设置为与上述接地电极21a间隔一定间距。上述第一测量电极21c附着于人体的头部感测麻醉和进行麻醉过程中的生物信号，以测量和检测从头部产生的脑波。该第一测量电极21c设置在上述基准电极21b的两侧中的一侧，并远离上述接地电极21a。上述第二测量电极21d如同第一测量电极21c，附着于人体的头部感测麻醉和进行麻醉过程中的生物信号，以测量和检测从头部产生的脑波。由于测量电极执行测量和检测生物信号的功能，因此在考虑到测量的精确度和效率等的情况下，在更宽的范围内收集和分析生物信号会更加有利。尤其，如同本专利技术利用测量电极测量脑波时，优选地，对左脑和右脑的脑波都进行测量，因此，优选地，若上述第一测量电极21c测量左脑的脑波，则上述第二测量电极21d测量右脑的脑波。因此，上述第二测量电极21d设置为尽量远离上述第一测量电极21c。即，第二测量电极21d设置在上述接地电极21a的两侧中的一侧，并远离上述第一测量电极21c。上述脑血氧饱和度传感器22由一对光源22a和一对第一光检测部22b以及一对第二光检测部22c构成。上述脑血氧饱和度传感器22用于照射红光和近红外光，并对反射的红光和近红外光的成分的比例进行演算后，基于演算出的红光和近红外光的成分的比例来推定脑血氧饱和度。上述光源22a在头部照射具有不同波长的红光(Redlight)和近红外光(Infraredlight)。该光源22a一个设置在上述第一测量电极21c与基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，由束带(10)和设置在所述束带(10)上的传感部(20)构成，其中，所述传感部(20)由设置在同一平面上的麻醉深度传感器(21)和脑血氧饱和度传感器(22)构成。

【技术特征摘要】
2016.11.28 KR 10-2016-01589081.一种一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，由束带(10)和设置在所述束带(10)上的传感部(20)构成，其中，所述传感部(20)由设置在同一平面上的麻醉深度传感器(21)和脑血氧饱和度传感器(22)构成。2.根据权利要求1所述的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，所述麻醉深度传感器(21)由以下结构构成：接地电极(21a)；基准电极(21b)，其与所述接地电极(21a)间隔设置；以及第一测量电极(21c)和第二测量电极(21d)，其分别设置在接地电极(21a)和基准电极(21b)的两侧，使所述接地电极(21a)和基准电极(21b)位于中间所述第一测量电极(21c)和第二测量电极(21d)之间。3.根据权利要求2所述的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，所述脑血氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光武，洪承均，崔相佑，李揆弘，
申请(专利权)人：查姆工程株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR