【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料的制备方法。
技术介绍
氧化锌是一种重要的功能材料，在通讯、交通、航空航天、国防及日常生活、如声表面滤波器、抗紫外线膜、气体传感器、催化剂、透明导电膜、杀菌、除臭、抗静电、抗浪涌器件、吸波材料、化妆器等等方面得到广泛的应用。氧化锌作为一种宽禁带氧化物半导体材料，其在光电子领域也有着潜在的应用前景，近来研究人员又对氧化锌在光电子领域的应用展开了深入的研究。要制作光电子器件，不但需要N型(电子导电)的氧化锌材料，还需要P型(空穴导电)的氧化锌材料，以便制作光电子器件基本单元之一的PN结。但由于自身缺陷的缘故，用普通方法制备的氧化锌材料一般都是N型的，即导电载流子是电子，而且载流子浓度相当高，而用普通的掺杂方法很难获得氧化锌P型材料。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种制备P型氧化锌薄膜的方法。本专利技术的制备P型氧化锌薄膜的方法是在具有超声波雾化器，石英生长炉和温度控制器的化学气相沉积装置的石英生长炉内设置衬底，通过调节温度控制器使衬底温度为400～600℃，将醋酸锌溶液放入超声波雾化器并加入适量的氨水由雾化器雾化，雾化后的气体进入石英生长炉，并在衬底表面发生化学反应生成P型氧化锌薄膜。所说的衬底或是玻璃载片、或者是硅片、或者是蓝宝石、或者是石英玻璃片。本专利技术方法由于氨水在高温下分解成氮和氢原子，部分氢原子进入氧化锌薄膜中，钝化氧空位，使得原生载流子浓度(电子)减小；氨水分解产生的部分氮原子进入氧化锌薄膜中取代氧原子，因氮原子外围价电子数目较氧原子少，因而导致氧化锌薄膜中空穴浓度增加，使得氧化锌薄膜成P型导电。通过控制衬底的温...
【技术保护点】
一种制备Ｐ型氧化锌薄膜的方法，其特征是在具有超声波雾化器［１］，石英生长炉［２］和温度控制器［３］的化学气相沉积装置的石英生长炉内设置衬底［４］，通过调节温度控制器［３］使衬底温度为４００～６００℃，将醋酸锌溶液放入超声波雾化器［１］并加入适量的氨水由雾化器雾化，雾化后的气体进入石英生长炉，并在衬底表面发生化学反应生成Ｐ型氧化锌薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：季振国，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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