MY*SiO*:A*发光薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光薄膜，其化学表达式为：ＭＹ↓［（１－ｘ）］ＳｉＯ↓［４］∶Ａ↓［ｘ］，其中，Ｍ为Ｎａ，Ｌｉ中的一种元素，Ａ为Ｐｒ，Ｅｕ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｃｅ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｓｍ中的一种元素，０．００１＜ｘ≤０．５，其特征在于所说的原料选用纯度为９９．９９％的Ｎａ↓［２］ＣＯ↓［３］，Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］，Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］，ＳｉＯ↓［２］，Ｐｒ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｅｕ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｅｒ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｔｍ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｌｕ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｎｄ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｓｍ↓［２］Ｏ↓［３］，溶剂为水和乙醇；本发明专利技术还提供了该发光薄膜制备方法。本发明专利技术制备的发光薄膜表面均匀、致密无开裂；薄膜颗粒大小均匀，而且薄膜的厚度可以控制；薄膜的发光性能优良；本发明专利技术的发光薄膜可用于制作场发射显示器的显示屏，该显示屏不但能够克服现有技术的缺点，而且还具有热稳定性高、放气率小、附着力强、表面平整度高等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光物理材料与显示技术，特别是一种MY(1-x)SiO4:Ax发光薄膜及其制备方法。
技术介绍
发光材料制成的显示屏在阴极射线管、电致发光以及场发射显示器件中起着十分重要的作用。目前将发光粉末制成的显示屏应用于场发射显示器存在着诸多障碍。由于颗粒之间的接触电阻，导致屏的电导率不高。此外，颗粒之间以及颗粒与衬底之间的附着力问题，也是难以克服的。同时，这种方法制备的屏表面粗糙，致密及均匀性差，容易造成光的反射且稳定性不好，分辨力也较低。因此，制备性能优良的发光薄膜成为研究的一个重要方向。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术的不足，而提供一种发光性能优良的MY(1-x)SiO4:Ax发光薄膜，以及该发光薄膜的其制备方法。本专利技术制备为解决上述问题所采用的技术方案，是提供一种MY(1-x)SiO4:Ax发光薄膜，其特征在于所说的原料选用纯度为99.99％的Na2CO3，Li2CO3，Y2O3，SiO2，Pr2O3，Eu2O3，Er2O3，Tm2O3，Ce2O3，Lu2O3，Nd2O3，Sm2O3，溶剂为水和乙醇；其化学表达式为MY(1-x)SiO4:Ax其中，M为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＹ↓［（１－ｘ）］ＳｉＯ↓［４］：Ａ↓［ｘ］发光薄膜，其特征在于所说的原料选用纯度为９９．９９％的Ｎａ↓［２］ＣＯ↓［３］，Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］，Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］，ＳｉＯ↓［２］，Ｐｒ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｅｕ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｅｒ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｔｍ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｌｕ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｎｄ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｓｍ↓［２］Ｏ↓［３］，溶剂为水或乙醇；所制备发光薄膜的化学表达式为：ＭＹ↓［（１－ｘ）］ＳｉＯ↓［４］∶Ａ↓ ［ｘ］其中，Ｍ为Ｎａ或Ｌｉ中的一种元素；Ａ为Ｐｒ，Ｅｕ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｃｅ，Ｌｕ，Ｎｄ或Ｓｍ中的一种元素；０．００...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李岚，张晓松，王达健，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]