显示设备制造技术

本发明专利技术涉及显示设备。一种显示设备包括：被配置为发射光的背光单元；位于从背光单元发射的光的路径中、并且包括显示彼此不同的颜色的第一像素和第二像素的第一基板；面对第一基板的第二基板；位于第一基板和第二基板之间的光量控制层；被设置在第一基板上并沿第一方向延伸的栅极线；被设置在第一基板上并与栅极线间隔开的存储线；以及被设置在第一基板上并沿与第一方向相交的第二方向延伸的数据线。第一像素包括第一薄膜晶体管、第一像素电极和第一光转换单元。第二像素电极包括第二薄膜晶体管和第二光转换单元。

【技术实现步骤摘要】
显示设备相关申请的交叉引用本申请要求2016年11月10日提交至韩国知识产权局的第10-2016-0149482号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用整体合并于此。
本专利技术示例性实施例涉及显示设备，并且更具体地，涉及包括光量控制层的显示设备。
技术介绍
显示设备可以是液晶显示(“LCD”)设备、有机发光二极管(“OLED”)显示设备、等离子体显示面板(“PDP”)设备或电泳显示设备。显示设备可以包括荧光图案。包括荧光图案的显示设备可以被称为光致发光显示(“PLD”)设备。光致发光显示设备可以包括蓝色光源、红色荧光体、绿色荧光体和蓝色荧光体。红色荧光体可将蓝色准直光转换为红色散射光。绿色荧光体可将蓝色准直光转换为绿色散射光。蓝色荧光体可将蓝色准直光转换为蓝色散射光。因此，可以产生红色、绿色和蓝色中的各个颜色。然而，红色荧光体、绿色荧光体和蓝色荧光体中每一种荧光体的蓝色光吸收率和蓝色光转换率可以彼此不同。
技术实现思路
本专利技术示例性实施例提供显示设备，并且更具体地，提供具有提高的显示质量的光致显示设备。本专利技术示例性实施例提供显示设备。显示设备包括背光单元、第一基板、第二基板、光量控制层、栅极线、存储线和数据线。背光单元，被配置为发射光。第一基板位于从背光单元发射的光的路径中。第一基板包括第一像素和第二像素。第一像素和第二像素显示彼此不同的颜色。第二基板面对第一基板。光量控制层位于第一基板和第二基板之间。栅极线被设置在第一基板上。栅极线在第一方向上延伸。存储线被设置在第一基板上。存储线与栅极线间隔开。存储线被设置在第一基板上。数据线在第二方向上延伸。第二方向与第一方向相交。第一像素包括第一薄膜晶体管、第一像素电极和第一光转换单元。第一薄膜晶体管连接到栅极线和数据线。第一像素电极连接到第一薄膜晶体管。第一光转换单元被设置在第二基板上并沿着与第一基板的上表面正交的方向与第一像素电极重叠。第二像素包括第二薄膜晶体管、第二像素电极和第二光转换单元。第二薄膜晶体管连接到栅极线和数据线。第二像素电极连接到第二薄膜晶体管。第二光转换单元被设置在第二基板上并沿着与第一基板的上表面正交的方向与第二像素电极重叠。第一像素电极的面积与第二像素电极的面积不同。第一像素电极和存储线之间的重叠面积与第二像素电极和存储线之间的重叠面积彼此不同。第一基板可以进一步包括第三像素。第三像素可以显示与第一像素所显示的颜色和第二像素所显示的颜色不同的颜色。第三像素可以包括第三薄膜晶体管和第三像素电极。第三薄膜晶体管可以连接到栅极线和数据线。第三像素电极可以连接到第三薄膜晶体管。第三像素电极的面积与第一像素电极的面积和第二像素电极的面积不同。第三像素电极和存储线之间的重叠面积可以与第一像素电极和存储线之间的重叠面积和第二像素电极和存储线之间的重叠面积不同。第一像素可以显示红色，第二像素可以显示绿色，并且第三像素可以显示蓝色。第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极的面积比可以为约1.1至1.3:1:0.7至0.9。第一像素电极和存储线之间的重叠面积可以小于第二像素电极和存储线之间的重叠面积。第二像素电极和存储线之间的重叠面积可以小于第三像素电极和存储线之间的重叠面积。第一薄膜晶体管可以包括第一栅电极、第一半导体层、第一源电极和第一漏电极。第一栅电极可以从栅极线分出。第一半导体层可以与第一栅电极绝缘并且与第一栅电极重叠。第一源电极和第一漏电极可以被设置在第一半导体层上并且可以彼此间隔开。第二薄膜晶体管可以包括第二栅电极、第二半导体层、第二源电极和第二漏电极。第二栅电极可以从栅极线分出。第二半导体层可以与第二栅电极绝缘并且与第二栅电极重叠。第二源电极和第二漏电极可以被设置在第二半导体层上并且可以彼此间隔开。第一栅电极和第一漏电极之间的重叠面积与第二栅电极和第二漏电极之间的重叠面积可以彼此不同。第一栅电极和第一漏电极之间的重叠面积可以大于第二栅电极和第二漏电极之间的重叠面积。第三薄膜晶体管可以包括第三栅电极、第三半导体层、第三源电极和第三漏电极。第三栅电极可以从栅极线分出。第三半导体层可以与所述第三栅电极绝缘并且与第三栅电极重叠。第三源电极和第三漏电极可以被设置在第三半导体层上并且可以彼此间隔开。第三栅电极和第三漏电极之间的重叠面积可以与第一栅电极和第一漏电极之间的重叠面积以及第二栅电极和第二漏电极之间的重叠面积不同。第二栅电极和第二漏电极之间的重叠面积可以大于第三栅电极和第三漏电极之间的重叠面积。第一光转换单元可以包括红色荧光体，并且第二光转换单元可以包括绿色荧光体。红色荧光体和绿色荧光体可以包括从量子点，量子棒和四足量子点中选择的至少一种。量子点可以具有核-壳结构，核-壳结构包括核和覆盖核的壳。核可以包括选自以下中的至少一个：CdSe、CdS、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdSeTe、CdZnS、CdSeS、PbSe、PbS、PbTe、AgInZnS、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InZnP、InGaP、InGaN、InAs和ZnO，并且壳可以包括选自以下的至少一个：CdS、CdSe、CdTe、CdO、ZnS、ZnSe、ZnSeS、ZnTe、ZnO、InP、InS、GaP、GaN、GaO、InZnP、InGaP、InGaN、InZnSCdSe、PbS、TiO、SrSe和HgSe。红色荧光体和绿色荧光体包括选自以下中的至少一个：Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce)、Tb3Al5O12:Ce3+(TAG:Ce)、(Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+、(Sr,Ba,Ca,Mg,Zn)2Si(OD)4:Eu2+(D＝F,Cl,S,N,Br)、Ba2MgSi2O7:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+、Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce3+、(Ca,Sr)S:Eu2+、(Sr,Ca)Ga2S4:Eu2+、SrSi2O2N2:Eu2+、SiAlON:Ce3+、β-SiAlON:Eu2+、Ca-α-SiAlON:Eu2+、Ba3Si6O12N2:Eu2+、CaAlSiN3:Eu2+、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+、Sr2Si5N8:Eu2+、(Sr,Ba)Al2O4:Eu2+、(Mg,Sr)Al2O4:Eu2+和BaMg2Al16O27:Eu2+。背光单元可以发射蓝光。显示设备还可以包括被设置在光量控制层和第二基板之间的偏振器。本专利技术示例性实施例提供显示设备。显示设备包括背光单元、第一基板、第二基板、光量控制层、第一光转换单元、第二光转换单元和黑矩阵。背光单元，被配置为发射光；第一基板位于从背光单元发射的光的路径中。第一基板包括第一像素和第二像素。第一像素和第二像素显示彼此不同的颜色。第二基板面对第一基板。光量控制层位于第一基板和第二基板之间。第一光转换单元位于光量控制层和第二基板之间并且沿着与第一基板的上表面正交的方向与第一像素重叠。第二光转换单元位于光量控制层和第二基板之间并且沿着与第一基板的上表面正交的方向与第二像素重叠。黑矩阵被设置在第二基板上。黑矩阵包括第一开口和第二开口。第一开口沿着与第一基板的上表面正交的方向与第一像素重叠。第二开口沿着与第一基板的上表面正交的方向与第二像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示设备，包括：背光单元，被配置为发射光；第一基板，位于从所述背光单元发射的光的路径中，并且包括第一像素和第二像素，其中所述第一像素和所述第二像素显示彼此不同的颜色；第二基板，面对所述第一基板；光量控制层，位于所述第一基板和所述第二基板之间；栅极线，被设置在所述第一基板上并在第一方向上延伸；存储线，被设置在所述第一基板上并与所述栅极线间隔开；以及数据线，被设置在所述第一基板上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，其中所述第一像素包括：第一薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述数据线；第一像素电极，连接到所述第一薄膜晶体管；以及第一光转换单元，被设置在所述第二基板上，并且沿着与所述第一基板的上表面正交的方向与所述第一像素电极重叠，其中所述第二像素包括：第二薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述数据线；第二像素电极，连接到所述第二薄膜晶体管；以及第二光转换单元，被设置在所述第二基板上，并且沿着与所述第一基板的上表面正交的方向与所述第二像素电极重叠，所述第一像素电极的面积和所述第二像素电极的面积彼此不同，并且所述第一像素电极和所述存储线之间的重叠面积与所述第二像素电极和所述存储线之间的重叠面积彼此不同。...

【技术特征摘要】
2016.11.10 KR 10-2016-01494821.一种显示设备，包括：背光单元，被配置为发射光；第一基板，位于从所述背光单元发射的光的路径中，并且包括第一像素和第二像素，其中所述第一像素和所述第二像素显示彼此不同的颜色；第二基板，面对所述第一基板；光量控制层，位于所述第一基板和所述第二基板之间；栅极线，被设置在所述第一基板上并在第一方向上延伸；存储线，被设置在所述第一基板上并与所述栅极线间隔开；以及数据线，被设置在所述第一基板上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，其中所述第一像素包括：第一薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述数据线；第一像素电极，连接到所述第一薄膜晶体管；以及第一光转换单元，被设置在所述第二基板上，并且沿着与所述第一基板的上表面正交的方向与所述第一像素电极重叠，其中所述第二像素包括：第二薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述数据线；第二像素电极，连接到所述第二薄膜晶体管；以及第二光转换单元，被设置在所述第二基板上，并且沿着与所述第一基板的上表面正交的方向与所述第二像素电极重叠，所述第一像素电极的面积和所述第二像素电极的面积彼此不同，并且所述第一像素电极和所述存储线之间的重叠面积与所述第二像素电极和所述存储线之间的重叠面积彼此不同。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一基板进一步包括显示与所述第一像素所显示的颜色和所述第二像素所显示的颜色不同的颜色的第三像素，所述第三像素包括：第三薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述数据线；以及第三像素电极，连接到所述第三薄膜晶体管，所述第三像素电极的面积与所述第一像素电极的所述面积和所述第二像素电极的所述面积不同，并且所述第三像素电极和所述存储线之间的重叠面积与所述第一像素电极和所述存储线之间的所述重叠面积以及所述第二像素电极和所述存储线之间的所述重叠面积不同。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述第一像素显示红色，所述第二像素显示绿色，并且所述第三像素显示蓝色。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极的面积比为1.1至1.3:1:0.7至0.9。5.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述第一像素电极和所述存储线之间的所述重叠面积比所述第二像素电极和所述存储线之间的所述重叠面积小。6.根据权利要求5所述的显示设备，其中所述第二像素电极和所述存储线之间的所述重叠面积比所述第三像素电极和所述存储线之间的所述重叠面积小。7.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述第一薄膜晶体管包括：第一栅电极，从所述栅极线分出；第一半导体层，与所述第一栅电极绝缘并且重叠；以及第一源电极和第一漏电极，被设置在所述第一半导体层上并且彼此间隔开；所述第二薄膜晶体管包括：第二栅电极，从所述栅极线分出；第二半导体层，与所述第二栅电极绝缘并且重叠；以及第二源电极和第二漏电极，被设置在所述第二半导体层上并且彼此间隔开；并且所述第一栅电极和所述第一漏电极之间的重叠面积与所述第二栅电极和所述第二漏电极之间的重叠面积彼此不同。8.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述第一栅电极和所述第一漏电极之间的所述重叠面积比所述第二栅电极和所述第二漏电极之间的所述重叠面积大。9.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述第三薄膜晶体管包括：第三栅电极，从所述栅极线分出；第三半导体层，与所述第三栅电极绝缘并且重叠；以及第三源电极和第三漏电极，被设置在所述第三半导体层上并且彼此间隔开；并且所述第三栅电极和所述第三漏电极之间的重叠面积与所述第一栅电极和所述第一漏电极之间的所述重叠面积以及所述第二栅电极和所述第二漏电极之间的所述重叠面积不同。10.根据权利要求9所述的显示设备，其中所述第二栅电极和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹汝建，金璟陪，金泳敏，金一坤，金暲鎰，朴哲佑，禹修完，尹善泰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR