多晶四氧化三铁薄膜材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及多晶四氧化三铁薄膜材料的制备方法。采用对向靶反应溅射法或一般磁控溅射法，其中选用纯度高于９９．９９％高纯Ｆｅ为靶材，溅射装置真空系统的背底真空要求高于１．０×１０↑［－５］Ｐａ；反应气体的流量与溅射气体的流量比要求低于５％；溅射功率：溅射功率为１５Ｗ／ｃｍ↑［２］～２０Ｗ／ｃｍ↑［２］；多晶四氧化三铁薄膜材料，具有多晶结构，晶粒尺寸均匀，材料的Ｘ射线光电子能谱中Ｆｅ↑［２＋］的特征峰位于７０９和７２３ｅＶ，使Ｆｅ２ｐ↑［１／２］和Ｆｅ２ｐ↑［３／２］峰展宽；不出现位于７１９ｅＶ处的Ｆｅ↑［３＋］的特征卫星峰；厚度为１０～１１２０ｎｍ的Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜的电阻率随薄膜厚度的减小逐渐增大；室温下，当薄膜厚度减小到１０ｎｍ时，电阻率增加了近四个数量级，并且没有观察到Ｖｅｒｗｅｙ转变；电阻率与温度的关系符合颗粒间隧穿模型：ｌｏｇρ～Ｔ↑［－１／２］。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶四氧化三铁薄膜材料的制备方法，采用对向靶反应溅射法或一般磁控溅射法，其特征是：选用纯度高于９９．９９％高纯Ｆｅ为靶材，溅射装置真空系统的背底真空要求在２．０×１０↑［－５］～６×１０↑［－６］Ｐａ；反应气体Ｏ↓［２］的流量与溅射气体Ａｒ的流量比要求在１％～６％范围内；溅射功率：溅射功率为１０Ｗ／ｃｍ↑［２］～２０Ｗ／ｃｍ↑［２］。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白海力，刘晖，申俊杰，米文搏，姜恩永，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]