CVD金刚石膜连续制备系统技术方案

本发明专利技术针对现有的金刚石膜制备装置不能连续制备ＣＶＤ金刚石膜而造成的效率低、灯丝损耗大、所需的辅助时间多、制备成本高的问题，公开了一种ＣＶＤ金刚石膜连续制备系统，它主要由包括沉积装置、过渡装置和装卸装置组成，它利用装置实现在沉积腔工作条件不变前提下的衬底更换实现连接沉积生产。既保证了碳化后的灯丝不再断裂，可以连续使用，大大降低灯丝消耗，又减少了重新安装灯丝、抽真空、碳化灯丝、真空室充气等辅助时间，实现了ＣＶＤ金刚石膜的连续制备，大大提高了金刚石膜的制备效率，降低了金刚石膜的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＣＶＤ金刚石膜连续制备系统，包括沉积装置（６４），沉积装置（６４）由沉积腔体（４４）、罩盖（３２）、衬底工作台（３８）、底座（３９）、热灯丝阵列（３４）、匀流气盒（３１）组成，罩盖（３２）安装在沉积腔体（４４）的上部，衬底工作台（３８）、底座（３９）、热灯丝阵列（３４）均安装在沉积腔体（４４）中，热灯丝阵列（３４）位于衬底工作台（３８）的上部，衬底工作台（３８）安装在底座（３９）上，匀流气盒（３１）位于热灯丝阵列（３４）的上部，其特征是在所述的沉积腔体（４４）的一侧安装有一与其内腔（６５）相通的过渡腔体（６６），过渡腔体（６６）连接有与其内腔（６７）相通的装卸腔体（１８）；在过渡腔体（６６）的内腔（６７）中安装有弹性真空密封门（５０），装卸腔体（１８）上安装有便于衬底进出的铰链门（１７），底座（３９）安装在分别穿过装卸腔体（１８）、过渡腔体（６６）后伸入沉积腔体（４４）的内腔（６５）中的导杆（４１）的一端上，导杆（４１）的另一端从装卸腔体（１８）的内腔伸出装卸腔体（１８）外并连接有驱动装置（６）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢文壮，左敦稳，徐锋，钟磊，王珉，黎向锋，林欢庆，陈兴峰，戴军之，宋海薇，张敏，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]