一种N型单面电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种N型单面电池的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P

【技术实现步骤摘要】
一种N型单面电池的制作方法
本专利技术涉及太阳能电池
，更具体地说，尤其涉及一种N型单面电池的制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，太阳能电池已广泛应用于人们的日常生活以及工业中，目前市场上流行的是P型多晶电池片，但是其效率并不高，逐渐无法满足市场需求。为了避免P型多晶电池片的问题，各个行业中出现了N型电池片的生产及应用，但是目前N型电池片均是N型双面电池，因为存在背光面反射少的问题，导致电池的短路电流较小。为了解决N型双面电池反射少，短路电流小的问题，N型单面电池应用而生，但是，现有技术中，N型单面电池的生产成本很高，且生产良率低。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种N型单面电池的制作方法，该制作方法有效降低N型单面电池的生产成本，提高生产良率。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种N型单面电池的制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P+层；在所述衬底的背面形成N+层；在所述P+层背离所述衬底的一侧依次形成第一钝化层以及第二钝化层；在所述N+层背离所述衬底的一侧形成第三钝化层；在所述第三钝化层背离所述N+层的一侧通过丝网印刷的方式形成银浆薄膜层。优选的，在上述制作方法中，所述衬底为N型衬底。优选的，在上述制作方法中，所述在所述衬底的正面形成P+层包括：对所述衬底的正面进行碱制绒处理；当碱制绒处理完成后，在所述衬底的正面进行硼扩散，形成P+层；刻蚀去除所述衬底背面上经过硼扩散形成的pn结和正面上经过硼扩散形成的硼硅玻璃。优选的，在上述制作方法中，所述制作方法还包括：当P+层形成后，在所述P+层背离所述衬底的一侧形成掩膜层；其中，所述掩膜层为SiON层，且所述掩膜层的厚度为40nm-120nm，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述在所述衬底的背面形成N+层包括：当掩膜层形成后，在所述衬底的背面进行磷扩散，形成N+层；刻蚀去除所述衬底背面上经过磷扩散形成的磷硅玻璃以及所述掩膜层。优选的，在上述制作方法中，所述第一钝化层为Al2O3层，且所述第一钝化层的厚度为2nm-20nm，包括端点值；所述第二钝化层为SiN层，且所述第二钝化层的厚度为60nm-80nm，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述第三钝化层为SiN层，且所述第三钝化层的厚度为60nm-100nm，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述P+层的深度为0.3um-2um，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述N+层的深度为0.2um-1um，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述银浆薄膜层的厚度为1um-3um，包括端点值。通过上述描述可知，本专利技术提供的一种N型单面电池的制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P+层；在所述衬底的背面形成N+层；在所述P+层背离所述衬底的一侧依次形成第一钝化层以及第二钝化层；在所述N+层背离所述衬底的一侧形成第三钝化层；在所述第三钝化层背离所述N+层的一侧通过印刷的方式形成银浆薄膜层。由此可知，本专利技术通过在N型电池的背面形成一层银浆薄膜层，使光重新反射回电池内部，进而增加了N型单面电池的短路电流。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种N型单面电池的制作方法的流程示意图；图2-图6为图1提供的一种N型单面电池的制作方法的流程示意图相对应的工艺流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种N型单面电池的制作方法的流程示意图。所述制作方法包括：S101：提供一衬底。具体的，所述衬底为N型硅衬底。S102：在所述衬底的正面形成P+层。具体的，如图2所示，首先对所述衬底11进行碱制绒处理，用于得到金字塔状的绒面12，已提高硅片的陷光作用，当碱制绒处理完成后，在所述衬底11的正面进行硼扩散，以形成P+层13，即P型层，该P+层13与N型硅衬底11之间形成PN结，并且在硼扩散的过程中，会在P+层13上额外形成硼硅玻璃以及在硅片的背面会形成pn结，因此需要刻蚀去除硅片背面的pn结和正面上经过硼扩散形成的硼硅玻璃。S103：在所述衬底的背面形成N+层。具体的，如图3所示，在所述衬底11的背面进行磷扩散，以形成N+层14，即N型层，并且在磷扩散的过程中，会在N+层14上额外形成磷硅玻璃，因此需要刻蚀去除所述衬底11背面上经过磷扩散形成的磷硅玻璃。S104：在所述P+层背离所述衬底的一侧依次形成第一钝化层以及第二钝化层。具体的，如图4所示，所述第一钝化层15与所述第二钝化层16用于保护所述P+层13避免受到外界因素的影响，以提高所述N型单面电池的可靠性。S105：在所述N+层背离所述衬底的一侧形成第三钝化层。具体的，如图5所示，所述第三钝化层17用于保护所述N+层14避免受到外界因素的影响，以提高所述N型单面电池的可靠性。S106：在所述第三钝化层背离所述N+层的一侧通过丝网印刷的方式形成银浆薄膜层。具体的，在所述第三钝化层17背离所述N+层14的一侧形成银浆薄膜层18，且银浆薄膜层18不能覆盖电池背面的主栅线部分，其余部分全部印刷银浆薄膜层18，用于使光重新反射会电池内部，进而增加了N型单面电池的短路电流。需要说明的是，在本专利技术实施例中所述银浆薄膜层18为非烧穿银浆薄膜层，以防止形成银浆薄膜层的过程中烧穿第三钝化层17。进一步的，在本专利技术实施例中，所述制作方法还包括：当P+层形成后，在所述P+层背离所述衬底的一侧形成掩膜层。其中，所述掩膜层为SiON层，且所述掩膜层的厚度为40nm-120nm，包括端点值。具体的，当步骤S102中P+层形成后，需要在所述P+层背离所述衬底的一侧形成掩膜层，起到保护所述P+层的作用，用于避免在步骤S103中形成所述N+层磷扩散时影响到所述P+层。需要说明的是，当所述N+层形成之后，需要刻蚀去除所述掩膜层。并且，在本专利技术实施例中，对所述掩膜层的材料并不作限定，仅仅以举例的形式进行说明。进一步的，所述第一钝化层15为Al2O3层，且所述第一钝化层15的厚度为2nm-20nm，包括端点值，例如所述第一钝化层15的厚度为3nm或15nm或19nm。所述第二钝化层16为SiN层，且所述第二钝化层16的厚度为60nm-80nm，包括端点值，例如所述第二钝化层16的厚度为65nm或70nm或75nm。并且，在本专利技术实施例中，对所述第一钝化层15以及所述第二钝化层16的材料并不作限定，仅仅以举例的形式进行说明。进一步的，所述P+层13的深度为0.3um-2um，包括端点值，例如，所述P+层13的深度为0.4um本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型单面电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P

【技术特征摘要】
1.一种N型单面电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P+层；在所述衬底的背面形成N+层；在所述P+层背离所述衬底的一侧依次形成第一钝化层以及第二钝化层；在所述N+层背离所述衬底的一侧形成第三钝化层；在所述第三钝化层背离所述N+层的一侧通过丝网印刷的方式形成银浆薄膜层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为N型衬底。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的正面形成P+层包括：对所述衬底的正面进行碱制绒处理；当碱制绒处理完成后，在所述衬底的正面进行硼扩散，形成P+层；刻蚀去除所述衬底背面上经过硼扩散形成的pn结和正面上经过硼扩散形成的硼硅玻璃。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：当P+层形成后，在所述P+层背离所述衬底的一侧形成掩膜层；其中，所述掩膜层为SiON层，且所述掩膜层的厚度为40nm-120nm，包括端点值...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金艺，徐冠群，包健，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33