一种N型单面电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种N型单面电池的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P

【技术实现步骤摘要】
一种N型单面电池的制作方法
本专利技术涉及太阳能电池
，更具体地说，尤其涉及一种N型单面电池的制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，太阳能电池已广泛应用于人们的日常生活以及工业中，目前市场上流行的是P型多晶电池片，但是其效率并不高，逐渐无法满足市场需求。为了避免P型多晶电池片的问题，各个行业中出现了N型电池片的生产及应用，但是目前N型电池片均是N型双面电池，因为存在背光面反射少的问题，导致电池的短路电流较小。为了解决N型双面电池反射少，短路电流小的问题，N型单面电池应用而生，但是，现有技术中，N型单面电池的生产成本很高，且生产良率低。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种N型单面电池的制作方法，该制作方法有效降低N型单面电池的生产成本，提高生产良率。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种N型单面电池的制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P+层；在所述衬底的背面形成N+层；在所述P+层背离所述衬底的一侧依次形成第一钝化层以及第二钝化层；在所述N+层背离所述衬底的一侧形成第三钝化层；在所述第三钝化层背离所述N+层的一侧通过丝网印刷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型单面电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P

【技术特征摘要】
1.一种N型单面电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的正面形成P+层；在所述衬底的背面形成N+层；在所述P+层背离所述衬底的一侧依次形成第一钝化层以及第二钝化层；在所述N+层背离所述衬底的一侧形成第三钝化层；在所述第三钝化层背离所述N+层的一侧通过丝网印刷的方式形成银浆薄膜层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为N型衬底。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的正面形成P+层包括：对所述衬底的正面进行碱制绒处理；当碱制绒处理完成后，在所述衬底的正面进行硼扩散，形成P+层；刻蚀去除所述衬底背面上经过硼扩散形成的pn结和正面上经过硼扩散形成的硼硅玻璃。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：当P+层形成后，在所述P+层背离所述衬底的一侧形成掩膜层；其中，所述掩膜层为SiON层，且所述掩膜层的厚度为40nm-120nm，包括端点值...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金艺，徐冠群，包健，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33