一种免吸收电容的静态无功补偿器制造技术

本实用新型专利技术属于新型电力电子装置技术领域，具体涉及一种免吸收电容的静态无功补偿器。本实用新型专利技术具体包括：六个绝缘栅双极型晶体管IGBT、一个薄膜电容、一组正母线及一组负母线；其中六个绝缘栅双极型晶体管IGBT与正母线和负母线排列成三相全桥形式，一个薄膜电容器并入正母线和负母线之间。本实用新型专利技术有利于无功补偿器的体积缩小，性能提高，有利于静态无功补偿器的产业化。本实用新型专利技术采用聚乙烯薄膜电容取代电解电容，来稳定电压波动，免去吸收电容，从而减小了无功补偿器体积尺寸；且薄膜电容的替换不限各种静态无功补偿器的拓扑结构。

【技术实现步骤摘要】
一种免吸收电容的静态无功补偿器
本技术属于新型电力电子装置
，具体涉及一种免吸收电容的静态无功补偿器。
技术介绍
目前，市场上的静态无功补偿器内部，采用电解电容来稳定直流电压，采用专用吸收电容来吸收绝缘栅双极型晶体管IGBT的脉冲尖峰如图1所示。该现有技术所存在的问题和缺陷电解电容，用来稳定直流电压波动，吞吐谐波和自身损耗能量。缺点是：耐压值不高需要串联分压才能工作、内感大从而增加了直流母线的杂散电感，增加了绝缘栅双极型晶体管IGBT关断失效的几率。专用吸收电容，主要用来：吸收来自杂散电感的续流；吸收绝缘栅双极型晶体管IGBT尖峰脉冲；因为需要接近绝缘栅双极型晶体管IGBT，所以经常占用绝缘栅双极型晶体管IGBT附近体积。
技术实现思路
本技术目的在于提出了一种免吸收电容的静态无功补偿器，解决了稳定电压波动，免去吸收电容，减小了无功补偿器体积尺寸的技术问题。本技术的技术方案是：一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：包括六个绝缘栅双极型晶体管IGBT、一个薄膜电容、一组正母线及一组负母线；其中六个绝缘栅双极型晶体管IGBT与正母线和负母线排列成三相全桥形式，一个薄膜电容器并入正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：包括六个绝缘栅双极型晶体管IGBT、一个薄膜电容、一组正母线及一组负母线；其中六个绝缘栅双极型晶体管IGBT与正母线和负母线排列成三相全桥形式，一个薄膜电容并入正母线和负母线之间。

【技术特征摘要】
1.一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：包括六个绝缘栅双极型晶体管IGBT、一个薄膜电容、一组正母线及一组负母线；其中六个绝缘栅双极型晶体管IGBT与正母线和负母线排列成三相全桥形式，一个薄膜电容并入正母线和负母线之间。2.如权利要求1所述的一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：所述薄膜电容以金属箔当电极。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王潞钢，何超，姜涛，陈果，王海洋，刘帅，
申请(专利权)人：北京精密机电控制设备研究所，
类型：新型
国别省市：北京,11