发光装置制造方法及图纸

发光装置(8)具备，包含吸收辐射源(1)辐射的一次光(2)的至少一部分来转换为二次光(4)的第一荧光体(31)的第一波长转换体(3)、以及包含吸收二次光(4)的至少一部分来转换为三次光(6)的第二荧光体(51)的第二波长转换体(5)。第二荧光体(51)的荧光寿命，比第一荧光体(31)的荧光寿命长，照射到第二波长转换体(5)的二次光(4)的光密度，比照射到第一波长转换体(3)的一次光(2)的光密度小。

Light emitting device

A light emitting device (8) is provided with a first wavelength conversion body (3) containing at least one of the first light (2) of the radiation source (1) radiation to the first light (31) of the two light (4), and the second fluorescence (51) converting body (51) containing at least one part of the two light (4) to convert to three light (6). The fluorescence lifetime of the second fluorescence (51) is longer than the fluorescence lifetime of the first fluorescence (31), and the light density of the two light (4) of the second wavelength conversion body (5) is irradiated, and the light density of the first light (2) of the first wavelength conversion body (3) is smaller than that of the first wavelength conversion body (3).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置
本专利技术涉及，发光装置。
技术介绍
近几年，提出了组合辐射激光的固体发光元件、以及包含荧光体的波长转换体的发光装置的方案。存在一种发光装置，按照用途组合固体发光元件和荧光体，使发光波长或发光光谱变化为所希望的波长。然而，若由激光使荧光体以高光密度激发，则荧光体产生效率饱和，因此，转换效率大幅度降低。因此，存在的课题是，不能充分地提高发光装置的输出。例如，专利文献1中记载，红色荧光体是，容易产生效率饱和的荧光体。针对这样的课题，专利文献2中提出了，由光学透镜使从半导体元件射出的光扩散后，照射到包含红色荧光体的波长转换体，从而使照射到波长转换体的光密度降低的结构。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1：日本特开2014－160227号公报专利文献2：国际公开第2014/073136号然而，若在装置内安装光学透镜等的光学部件，则装置的结构变得复杂，存在难以提供紧凑的发光装置的课题。
技术实现思路
本专利技术，提供紧凑的发光装置。本专利技术涉及的发光装置的实施方案之一，所述发光装置具备：辐射源，辐射激光以作为一次光；第一波长转换体，包含第一荧光体，该第一荧光体吸收由所述辐射源辐射的所述一次光的至少一部分来将所述一次光转换为二次光；以及第二波长转换体，包含第二荧光体，该第二荧光体吸收由所述第一波长转换体辐射的所述二次光的至少一部分来将所述二次光转换为三次光，所述发光装置，发出包含所述一次光、所述二次光、以及所述三次光的输出光，所述二次光包含的长波长成分，比所述一次光多，所述三次光包含的长波长成分，比所述二次光多，所述第二荧光体的荧光寿命，比所述第一荧光体的荧光寿命长，照射到所述第二波长转换体的所述二次光的光密度，比照射到所述第一波长转换体的所述一次光的光密度小。根据本专利技术，能够实现紧凑的发光装置。附图说明图1是示出实施例1涉及的发光装置的结构的概略图。图2是示出实施例1的变形例1涉及的发光装置的结构的概略图。图3是示出实施例1的变形例2涉及的发光装置的结构的概略图。图4是示出实施例1的变形例3涉及的发光装置的结构的概略图。图5是示出实施例2涉及的发光装置的结构的概略图。图6是示出实施例2的变形例涉及的发光装置的结构的概略图。图7是示出实施例3涉及的发光装置的结构的概略图。图8是示出实施例4涉及的发光装置的结构的概略图。图9是示出实施例4的变形例涉及的发光装置的结构的概略图。图10是实施例5涉及的发光部的上面图。图11是图10的XI－XI线的模式截面图。图12是示出形成为格子状的第二波长转换体的图。图13是示出形成为点状的第二波长转换体的图。图14是实施例5的变形例涉及的发光部的模式截面图。图15是示出用于说明由实施例涉及的发光装置获得的效果的试验的试验环境的模式图。图16是实施例6涉及的发光部的模式截面图。图17是比较例涉及的发光部的模式截面图。图18是示出实施例6涉及的发光部的输出光的CIE色度座标的色度的图。图19是示出相对于激发光的功率密度的输出光的全光通量的变化率的图。图20是示出相对于激发光的功率密度的输出光的色度x的变化量Δx的图。图21是示出相对于激发光的功率密度的输出光的色度y的变化量Δy的图。图22是示出相对于激发光的功率密度的输出光的色度x的变化量Δx以及色度y的变化量Δy的图。具体实施方式以下，对于本专利技术的实施例，参照附图进行说明。而且，以下说明的实施例，都示出本专利技术的优选的一个具体例子。因此，以下的实施例所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等是一个例子，而不是限定本专利技术的主旨。因此，对于以下的实施例的构成要素中的、示出本专利技术的最上位概念的实施方案中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素而被说明。而且，各个图是模式图，并不一定是严密示出的图。并且，在各个图中，对实质上相同的结构附上相同的符号，省略或简化重复的说明。(实施例1)[概略结构]首先，对于实施例1涉及的发光装置的结构，利用图1进行说明。图1是示出实施例1涉及的发光装置的结构的图。如图1示出，实施例1涉及的发光装置8具备，辐射源1、第一波长转换体3、以及第二波长转换体5。辐射源1，辐射激光以作为一次光2。第一波长转换体3包含，吸收一次光2的至少一部分来将一次光2转换为二次光4的第一荧光体31。第二波长转换体5包含，吸收由第一波长转换体3辐射的二次光4的至少一部分来将二次光4转换为三次光6的第二荧光体51。发光装置8，发出包含一次光2、二次光4、以及三次光6的输出光7。第二荧光体51的荧光寿命，比第一荧光体31的荧光寿命长。在实施例1中，发光装置8，在大致圆锥形状的罩91的底部组合大致半球状的第二波长转换体5，从而形成外围。辐射源1，位于大致圆锥形状的罩91内的顶点附近，辐射源1辐射的一次光2的光轴，与大致圆锥形状的罩91的轴(圆锥轴)大致平行。辐射源1，例如，与向辐射源1供给电力的外部电源92连接。在发光装置8中，第一波长转换体3，位于辐射源1与第二波长转换体5之间，且与辐射源1以及第二波长转换体5都分离。而且，在图中，将一次光2的光轴方向设为x轴方向。并且，将与x轴正交的平面内的彼此正交的方向分别设为y轴方向以及z轴方向。在实施例1中，例如，发光装置8的x轴方向的长度为200mm以下，大致圆锥形状的罩91的底部的半径为50mm以下。由第一波长转换体3以及第二波长转换体5构成的发光部100的x轴方向的长度为50mm以下，大致半球状的第二波长转换体5的半径为50mm以下。以下，对于发光装置8的详细结构，继续利用图1进行详细说明。[辐射源]辐射源1，辐射激光以作为一次光2。这样的辐射源1，例如，利用表面发光激光二极管等的激光二极管。辐射源1，被收容在罩91内，由通过罩91的贯通孔911的电源线与外部电源92连接。辐射源1具有，例如，所述激光二极管等的固体发光元件。根据这样的结构，辐射源1变小，能够实现发光装置8的小型化。辐射源1，例如，辐射具有在420nm以上480nm以下、或440nm以上470nm以下的波长区域内示出最大峰值强度的发光光谱的蓝色系光，以作为一次光2。一次光2在这样的波长区域内具有最大峰值强度，因此，一次光2成为视认性良好的蓝光。因此，能够将一次光2，不仅作为第一荧光体31以及第二荧光体51的激发光来利用，也作为发光装置8的输出光7来利用，从而不会浪费。并且，辐射源1也可以，例如，辐射具有在200nm以上380nm以下、或360nm以上380nm以下的波长区域内示出最大峰值强度的发光光谱的紫外线光，以作为一次光2。并且，辐射源1也可以，例如，辐射具有在380nm以上420nm以下、或395nm以上415nm以下的波长区域内示出最大峰值强度的发光光谱的紫色系光，以作为一次光2。如此，若一次光2在紫外线或紫色系的波长区域内具有最大峰值强度，则能够作为第一荧光体31选定蓝色荧光体。作为第一荧光体31利用蓝色荧光体，从而能够将第一荧光体31发出的具有宽幅的发光光谱的蓝光作为输出光7的一部分利用。一般而言，荧光体的发光光谱，与激光的发光光谱相比光谱宽度(FWHM：FullWidthatHalfMaximum)为宽幅。因此，根据这样的结构能够实现输出光7的高演色性。而且，一次光2也可以是，辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，所述发光装置具备：辐射源，辐射激光以作为一次光；第一波长转换体，包含第一荧光体，该第一荧光体吸收由所述辐射源辐射的所述一次光的至少一部分来将所述一次光转换为二次光；以及第二波长转换体，包含第二荧光体，该第二荧光体吸收由所述第一波长转换体辐射的所述二次光的至少一部分来将所述二次光转换为三次光，所述发光装置，发出包含所述一次光、所述二次光、以及所述三次光的输出光，所述二次光包含的长波长成分，比所述一次光多，所述三次光包含的长波长成分，比所述二次光多，所述第二荧光体的荧光寿命，比所述第一荧光体的荧光寿命长，照射到所述第二波长转换体的所述二次光的光密度，比照射到所述第一波长转换体的所述一次光的光密度小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.28 JP 2015-2119621.一种发光装置，所述发光装置具备：辐射源，辐射激光以作为一次光；第一波长转换体，包含第一荧光体，该第一荧光体吸收由所述辐射源辐射的所述一次光的至少一部分来将所述一次光转换为二次光；以及第二波长转换体，包含第二荧光体，该第二荧光体吸收由所述第一波长转换体辐射的所述二次光的至少一部分来将所述二次光转换为三次光，所述发光装置，发出包含所述一次光、所述二次光、以及所述三次光的输出光，所述二次光包含的长波长成分，比所述一次光多，所述三次光包含的长波长成分，比所述二次光多，所述第二荧光体的荧光寿命，比所述第一荧光体的荧光寿命长，照射到所述第二波长转换体的所述二次光的光密度，比照射到所述第一波长转换体的所述一次光的光密度小。2.如权利要求1所述的发光装置，所述辐射源具有固体发光元件。3.如权利要求1或2所述的发光装置，照射到所述第二波长转换体的所述二次光的光密度是，照射到所述第一波长转换体的所述一次光的光密度的1/10以下。4.如权利要求1至3的任一项所述的发光装置，所述辐射源，辐射具有在420nm以上480nm以下的波长区域内示出最大峰值强度的发光光谱的蓝色系光，以作为所述一次光。5.如权利要求1至3的任一项所述的发光装置，所述第一荧光体，辐射具有在480nm以上600nm以下的波长区域内示出最大峰值强度的发光光谱的光，以作为所述二次光。6.如权利要求1至5的任一项所述的发光装置，所述第一荧光体是Ce3+活化荧光体。7.如权利要求1至6的任一项所述的发光装置，所述第一荧光体具有，石榴石的结晶结构。8.如权利要求1至7的任一项所述的发光装置，所述第一荧光体，至少由一个单结晶形成。9.如权利要求8所述的发光装置，所述第一波长转换体，仅由所述第一荧光体构成，所述第一荧光体，由具有来源于石榴石的结晶结构的多面体的粒子形状的一颗粒子构成。10.如权利要求1至9的任一项所述的发光装置，所述第二荧光体是...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部岳志，大盐祥三，浅野洋，本多洋介，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP